Den InverterMOSFETsfunktionnéieren an engem Schaltzoustand an de Stroum, deen duerch d'Réier fléisst ass ganz héich. Wann d'Röhre net richteg ausgewielt gëtt, d'Triebespannungsamplitude net grouss genuch ass oder d'Wärmevergëftung vum Circuit net gutt ass, kann et de MOSFET verursaachen.
1, Inverter MOSFET Heizung ass eescht, sollt oppassen op d'MOSFET Auswiel
MOSFET am Inverter am Schalterzoustand, erfuerdert allgemeng seng Drainstroum esou grouss wéi méiglech, On-Resistenz esou kleng wéi méiglech, wat d'Sättigungsspannungsfall vum Röhre reduzéiere kann, doduerch d'Röhre zanter dem Konsum reduzéieren, d'Hëtzt reduzéieren.
Kuckt d'MOSFET Handbuch, mir wäerte feststellen datt wat méi héich de Widderstandspannungswäert vum MOSFET ass, dest méi grouss ass seng On-Resistenz, an déi mat héijen Drainstroum an nidderegen Widderstandspannungswäert vum Röhre, seng On-Resistenz ass allgemeng ënner Zénger vun milliohm.
Unzehuelen e Laaschtstrom vun 5A, wielen mir den inverter allgemeng benotzt MOSFET RU75N08R a Spannungswäerter vu 500V 840 ka sinn, hiren Drainstroum sinn an 5A oder méi, awer d'On-Resistenz vun den zwee Réier ass anescht, fuert deeselwechte Stroum , hir Hëtzt Ënnerscheed ass ganz grouss. 75N08R On-Resistenz ass nëmmen 0.008Ω, wärend d'On-Resistenz vum 840 0.85Ω ass, wann de Laaschtstroum, deen duerch d'Röhre fléisst, 5A ass, ass 75N08R Röhrespannungsfall nëmmen 0.04V, zu dësem Zäitpunkt ass de MOSFET Rouerverbrauch nëmmen 0,2W, während der 840 Rouer Spannungsfall kann bis zu 4.25W, de Rouerverbrauch ass sou héich wéi 21.25W. Vun dësem kann et gesi ginn, wat méi kleng d'On-Resistenz vum MOSFET vum Inverter ass, wat besser ass, d'On-Resistenz vum Röhre ass grouss, de Rouerverbrauch ënner héije Stroum. wéi méiglech.
2, de Fuere Circuit vun der Fuerspannungsamplitude ass net grouss genuch
MOSFET ass e Spannungskontrollapparat, wann Dir de Rouerverbrauch reduzéiere wëllt, Hëtzt reduzéieren,MOSFETGate Drive Spannungsamplitude soll grouss genuch sinn fir de Pulsrand ze steil a riicht ze fueren, Dir kënnt de Röhrespannungsfall reduzéieren, de Röhreverbrauch reduzéieren.
3, MOSFET Hëtzt dissipation ass net gutt Ursaach
InverterMOSFETHeizung ass eescht. Well den Inverter MOSFET Energieverbrauch grouss ass, erfuerdert d'Aarbecht allgemeng e grousst genuch externt Gebitt vum Heizkierper, an den externen Heizkierper an de MOSFET selwer tëscht dem Heizkierper sollen an enke Kontakt sinn mat (allgemeng erfuerderlech mat thermesch konduktiv Silikonfett beschichtet ze ginn ), wann den externen Heizkierper méi kleng ass, oder de Kontakt mat dem MOSFET säin eegene Heizkierper net no genuch ass, kann zu Röhreheizung féieren.
Inverter MOSFET Heizung eescht ginn et véier Grënn fir de Resumé.
MOSFET liicht Heizung ass en normalen Phänomen, awer seriös Heizung, och féiert zum Röhre verbrannt, et ginn déi folgend véier Grënn:
1, de Problem vum Circuit Design
Loosst de MOSFET an engem linearem Operatiounszoustand schaffen, anstatt am Schaltkreesstaat. Et ass och eng vun den Ursaachen vun der MOSFET Heizung. Wann den N-MOS de Wiessel mécht, muss d'G-Niveau Spannung e puer V méi héich sinn wéi d'Energieversuergung fir voll ze sinn, während de P-MOS de Géigendeel ass. Net voll oppen an de Spannungsfall ass ze grouss, wat zu Stroumverbrauch resultéiert, déi gläichwäerteg DC Impedanz ass méi grouss, de Spannungsfall erhéicht, sou datt U * I och eropgeet, de Verloscht bedeit Hëtzt. Dëst ass de meescht vermeide Feeler am Design vum Circuit.
2, ze héich Frequenz
Den Haaptgrond ass, datt heiansdo d'exzessiv Verfollegung vun Volumen, doraus an erhéicht Frequenz, MOSFET Verloschter op der grousser, sou datt d'Hëtzt och erhéicht gëtt.
3, net genuch thermesch Design
Wann de Stroum ze héich ass, erfuerdert den nominellen aktuelle Wäert vum MOSFET normalerweis eng gutt Wärmevergëftung fir z'erreechen. Also ass d'ID manner wéi de maximale Stroum, et kann och schlecht erhëtzen, brauch genuch Hëllefsheizkierper.
4, MOSFET Auswiel ass falsch
Falsch Uerteel vu Kraaft, MOSFET intern Resistenz gëtt net voll berücksichtegt, wat zu enger verstäerkter Schaltimpedanz resultéiert.