Unerkennung vun isoléiert Layer Gate MOSFETs

Isolatioun Layer Gate Typ MOSFET AliasMOSFET (nodréiglech als MOSFET bezeechent), deen e Kabelmantel aus Siliziumdioxid an der Mëtt vun der Gatespannung an der Quelldrain huet.

MOSFET ass ochN-Kanal a P-Kanal zwou Kategorien, awer all Kategorie ass ënnerdeelt an d'Erweiderung an d'Liichtverschmotzung Typ zwee, also ginn et insgesamt véier Typen:N-Kanal Verbesserung, P-Kanal Verbesserung, N-Kanal Liichtjoer Ausschöpfung, P-Kanal Liichtjoer Typ. Awer wou d'Gate Quellspannung null ass, ass den Drainstroum och null vun der Päif sinn verstäerkte Röhre. Wéi och ëmmer, wou d'Gatequellspannung null ass, ass den Drainstroum net null ginn als Liichtverbrauchend Typ Réier kategoriséiert.
Verbesserte MOSFET Prinzip:

Wann Dir an der Mëtt vun der Gate Quell schafft d'Spannung net benotzt, ass d'Mëtt vun der Drain Quell PN Kräizung an der entgéintgesate Richtung, sou datt et kee konduktive Kanal gëtt, och wann d'Mëtt vun der Drainquelle mat enger Spannung, de konduktiv Trench Elektrizitéit zougemaach ass, ass et net méiglech eng schaffen aktuell ze hunn no. Wann d'Mëtt vun der Gate Quell plus positiv Richtung Spannung zu engem bestëmmte Wäert, an der Mëtt vun der Drain Quell wäert e konduktiv Sécherheetskanal produzéieren, sou datt de konduktiven Trench just vun dëser Gate Quellspannung produzéiert gëtt déi oppe Spannung VGS genannt gëtt, de méi grouss d'Mëtt vun der Gate Quell Spannung, der konduktiv Trench ass méi breet, déi am Tour mécht duerch déi grouss de Flux vun Elektrizitéit.

Prinzip vum Liicht dissipative MOSFET:

An der Operatioun gëtt keng Spannung an der Mëtt vun der Gatequell benotzt, am Géigesaz zu der Erweiderungstyp MOSFET, an e konduktiven Kanal existéiert an der Mëtt vun der Drainquell, sou datt nëmmen eng positiv Spannung an d'Mëtt vun der Drainquell bäigefüügt gëtt, wat resultéiert an engem Drain Stroum. Ausserdeem ass d'Paartquell an der Mëtt vun der positiver Richtung vun der Spannung, d'Konduktivkanal Expansioun, füügt déi entgéintgesate Richtung vun der Spannung derbäi, de konduktiven Kanal schrumpft, duerch de Stroum vum Stroum wäert méi kleng sinn, mat der Verbesserung vum MOSFET Verglach, et kann och an der positiver an negativer Zuel vun enger gewësser Zuel vu Regiounen am konduktiven Kanal sinn.

MOSFET Effizienz:

Als éischt gi MOSFETs benotzt fir ze vergréisseren. Well d'Inputresistenz vum MOSFET Verstärker ganz héich ass, sou datt de Filterkondensator méi kleng ka sinn, ouni d'Notzung vun elektrolytesche Kondensatoren.

Zweetens, MOSFET ganz héich Input Resistenz ass besonnesch gëeegent fir déi charakteristesch Impedanz Konversioun. Allgemeng benotzt a Multi-Level Verstärker Input Etapp fir charakteristesch Impedanz Konversioun.

MOSFET kann als justierbaren Widderstand benotzt ginn.

Véierten, MOSFET ka praktesch als DC Stroumversuergung sinn.

V. MOSFET kann als schalt Element benotzt ginn.