Aarbechtsprinzip vum N-Kanal Verbesserungsmodus MOSFET

Neiegkeeten

Aarbechtsprinzip vum N-Kanal Verbesserungsmodus MOSFET

(1) D'Kontrolleffekt vu vGS op ID a Kanal

① Fall vu vGS=0

Et kann gesi ginn datt et zwee Réck-zu-Réck PN-Kräizungen tëscht dem Drain d a Quell s vum Erweiderungsmodus sinnMOSFET.

Wann d'Gate-Quellspannung vGS = 0, och wann d'Drain-Quellspannung vDS dobäi ass, an onofhängeg vun der Polaritéit vum vDS, gëtt et ëmmer e PN-Kräizung am ëmgedréint biased Zoustand.Et gëtt keen konduktiven Kanal tëscht dem Drain an der Quell, sou datt den Drainstroum ID≈0 zu dëser Zäit.

② De Fall vu vGS>0

Wann vGS> 0 gëtt en elektrescht Feld an der SiO2 Isoléierschicht tëscht dem Paart an dem Substrat generéiert.D'Richtung vum elektresche Feld ass senkrecht zum elektresche Feld riicht vum Paart op de Substrat op der Hallefleitoberfläche.Dëst elektrescht Feld repetéiert Lächer an zitt Elektronen un.Ofstreckend Lächer: D'Lächer am P-Typ Substrat no bei der Paart ginn ofgestouss, sou datt onbeweegbar Akzeptorionen (negativ Ionen) verloossen fir eng Ausarmschicht ze bilden.Elektronen unzezéien: D'Elektronen (Minoritéitsträger) am P-Typ Substrat ginn op d'Substratfläch gezunn.

(2) Bildung vum konduktiven Kanal:

Wann de vGS Wäert kleng ass an d'Fäegkeet Elektronen unzezéien net staark ass, gëtt et nach ëmmer kee konduktive Kanal tëscht dem Drain an der Quell.Wéi vGS eropgeet, ginn méi Elektronen op d'Uewerflächeschicht vum P Substrat ugezunn.Wann vGS e bestëmmte Wäert erreecht, bilden dës Elektronen eng N-Typ dënn Schicht op der Uewerfläch vum P-Substrat no beim Paart a si verbonne mat den zwou N+ Regiounen, bilden en N-Typ konduktiv Kanal tëscht dem Drain a Quell.Seng Konduktivitéitstyp ass Géigendeel zu deem vum P Substrat, sou datt et och eng Inversiounsschicht genannt gëtt.Wat méi grouss vGS ass, wat méi staark d'elektrescht Feld op der Hallefleitoberfläch handelt, wat méi Elektronen op d'Uewerfläch vum P Substrat ugezunn sinn, wat méi déck ass de konduktive Kanal, a wat méi kleng ass de Kanalresistenz.D'Gate-Quell Spannung wann de Kanal ufänkt ze forméieren gëtt d'Turn-on Volt genannt, representéiert duerch VT.

MOSFET

DéiN-Kanal MOSFETuewen diskutéiert kann net e konduktiven Kanal bilden wann vGS MOSFETdat muss e konduktiven Kanal bilden wann vGS≥VT e Verbesserungsmodus genannt gëttMOSFET.Nodeems de Kanal geformt ass, gëtt en Drainstroum generéiert wann eng Forward Volt vDS tëscht dem Drain a Quell applizéiert gëtt.Den Afloss vu vDS op ID, wann vGS> VT an e bestëmmte Wäert ass, ass den Afloss vun der Drain-Quellspannung vDS op de konduktiven Kanal an der aktueller ID ähnlech wéi dee vum Kräizungsfeldeffekttransistor.D'Spannungsfall generéiert vun der Drain aktuell ID laanscht de Kanal mécht d'Spannungen tëscht all Punkt am Kanal an der Paart net méi gläich.D'Spannung um Enn no bei der Quell ass déi gréisst, wou de Kanal am décksten ass.D'Spannung um Drain Enn ass déi klengst, a säi Wäert ass VGD = vGS-vDS, sou datt de Kanal hei am dënnsten ass.Awer wann vDS kleng ass (vDS


Post Zäit: Nov-12-2023