(1) D'Kontrolleffekt vu vGS op ID a Kanal
① Fall vu vGS=0
Et kann gesi ginn datt et zwee Réck-zu-Réck PN-Kräizungen tëscht dem Drain d a Quell s vum Erweiderungsmodus sinnMOSFET.
Wann d'Gate-Quellspannung vGS = 0, och wann d'Drain-Quellspannung vDS dobäi ass, an onofhängeg vun der Polaritéit vum vDS, gëtt et ëmmer e PN-Kräizung am ëmgedréint biased Zoustand.Et gëtt keen konduktiven Kanal tëscht dem Drain an der Quell, sou datt den Drainstroum ID≈0 zu dëser Zäit.
② De Fall vu vGS>0
Wann vGS> 0 gëtt en elektrescht Feld an der SiO2 Isoléierschicht tëscht dem Paart an dem Substrat generéiert.D'Richtung vum elektresche Feld ass senkrecht zum elektresche Feld riicht vum Paart op de Substrat op der Hallefleitoberfläche.Dëst elektrescht Feld repetéiert Lächer an zitt Elektronen un.Ofstreckend Lächer: D'Lächer am P-Typ Substrat no bei der Paart ginn ofgestouss, sou datt onbeweegbar Akzeptorionen (negativ Ionen) verloossen fir eng Ausarmschicht ze bilden.Elektronen unzezéien: D'Elektronen (Minoritéitsträger) am P-Typ Substrat ginn op d'Substratfläch gezunn.
(2) Bildung vum konduktiven Kanal:
Wann de vGS Wäert kleng ass an d'Fäegkeet Elektronen unzezéien net staark ass, gëtt et nach ëmmer kee konduktive Kanal tëscht dem Drain an der Quell.Wéi vGS eropgeet, ginn méi Elektronen op d'Uewerflächeschicht vum P Substrat ugezunn.Wann vGS e bestëmmte Wäert erreecht, bilden dës Elektronen eng N-Typ dënn Schicht op der Uewerfläch vum P-Substrat no beim Paart a si verbonne mat den zwou N+ Regiounen, bilden en N-Typ konduktiv Kanal tëscht dem Drain a Quell.Seng Konduktivitéitstyp ass Géigendeel zu deem vum P Substrat, sou datt et och eng Inversiounsschicht genannt gëtt.Wat méi grouss vGS ass, wat méi staark d'elektrescht Feld op der Hallefleitoberfläch handelt, wat méi Elektronen op d'Uewerfläch vum P Substrat ugezunn sinn, wat méi déck ass de konduktive Kanal, a wat méi kleng ass de Kanalresistenz.D'Gate-Quell Spannung wann de Kanal ufänkt ze forméieren gëtt d'Turn-on Volt genannt, representéiert duerch VT.
![MOSFET](http://www.olukey.com/uploads/图片-13.jpg)
DéiN-Kanal MOSFETuewen diskutéiert kann net e konduktiven Kanal bilden wann vGS
Post Zäit: Nov-12-2023