Iwwer High-Power MOSFET war ee vun den Ingenieuren déi gär d'Thema diskutéieren, sou datt mir dat gemeinsamt an ongewéinlecht Wëssen organiséiert hunnMOSFET, Ech hoffen Ingenieuren ze hëllefen. Loosst eis iwwer MOSFET schwätzen, e ganz wichtege Bestanddeel!
Anti-statesch Schutz
Héichkraaft MOSFET ass en isoléiert Paart Feldeffekt Röhre, de Paart ass keen Direktstroumkrees, d'Inputimpedanz ass extrem héich, et ass ganz einfach statesch Ladungsaggregatioun ze verursaachen, wat zu enger Héichspannung resultéiert ass de Paart an d'Quell vun d'Isoléierschicht tëscht dem Decompte.
Déi meescht vun der fréier Produktioun vu MOSFETs hunn keng antistatesch Moossnamen, also sidd ganz virsiichteg an der Versuergung an der Uwendung, besonnesch déi méi kleng Kraaft MOSFETs, wéinst der méi klenger Kraaft MOSFET Input Kapazitéit ass relativ kleng, wann se op statesch Elektrizitéit ausgesat ass, generéiert eng méi héich Spannung, liicht duerch elektrostatesch Decompte verursaacht.
Déi rezent Verbesserung vun High-Power MOSFET ass e relativ groussen Ënnerscheed, éischtens, wéinst der Funktioun vun enger méi grousser Input Kapazitéit ass och méi grouss, sou datt de Kontakt mat statesche Elektrizitéit e Ladeprozess huet, wat zu enger méi klenger Spannung resultéiert, wat Debroch verursaacht vun der Méiglechkeet vu méi kleng, an dann erëm, elo den High-Power MOSFET am internen Paart an d'Quell vum Paart an d'Quell vun engem geschützte Reguléierer DZ, déi statesch agebonnen am Schutz vun der Reguléierungsdiode Spannungsregulator Wäert Drënner, effektiv schützen d'Paart an d'Quell vun der Isoléierschicht, verschidde Kraaft, verschidde Modeller vum MOSFET Schutzregulator Diode Spannungsregulator Wäert ass anescht.
Obwuel héich-Muecht MOSFET intern Schutzmoossnamen, mir sollen am Aklang mat der anti-statesch Betribssystemer Prozeduren Bedreiwen, déi eng qualifizéiert Ënnerhalt Personal soll hunn.
Detektioun an Ersatz
Bei der Reparatur vun Fernseher an elektreschen Ausrüstung wäerte verschidde Komponentschued begéinen,MOSFETass och ënnert hinnen, dat ass wéi eis Ënnerhaltspersonal den allgemeng benotzte Multimeter benotze fir déi gutt a schlecht, gutt a schlecht MOSFET ze bestëmmen. Am Ersatz vun MOSFET wann et kee selwechten Hiersteller an dee selwechte Modell gëtt, wéi de Problem ze ersetzen.
1, High-Power MOSFET Test:
Als allgemeng elektresch Fernseh-Reparaturpersonal an der Messung vu Kristalltransistoren oder Dioden, allgemeng mat engem gewéinleche Multimeter fir déi gutt a schlecht Transistoren oder Dioden ze bestëmmen, obwuel d'Uerteel vum Transistor oder Diode elektresch Parameteren net bestätegt kënne ginn, awer soulaang wéi d'Method ass richteg fir d'Bestätegung vu Kristalltransistoren "gutt" a "schlecht" oder "schlecht" fir d'Bestätegung vu Kristalltransistoren. "Schlecht" oder kee Problem. Ähnlech kann MOSFET och sinn
Fir de Multimeter anzesetzen fir seng "gutt" a "schlecht" ze bestëmmen, aus dem allgemengen Ënnerhalt, kann och d'Bedierfnesser erfëllen.
Detektioun muss e Pointer Typ Multimeter benotzen (digitale Meter ass net gëeegent fir Halbleitergeräter ze moossen). Fir Power-Typ MOSFET Schaltröhre sinn N-Kanal Verbesserung, d'Produkter vun den Hiersteller benotze bal all déiselwecht TO-220F Package Form (bezunn op d'Schaltkraaftversuergung fir d'Kraaft vun 50-200W vum Feldeffekt Schaltröhre) , déi dräi Elektroden Arrangement ass och konsequent, dat ass, déi dräi
Pins erof, Drécke Modell vis-à-vis vum Selbst, de lénksen Pin fir d'Paart, de richtege Testpin fir d'Quell, de Mëttelstift fir den Drain.
(1) Multimeter a verbonne Virbereedungen:
Éischt vun all, ier d'Messung soll fäeg sinn de Multimeter ze benotzen, besonnesch d'Uwendung vum Ohm Gang, fir den Ohm Block ze verstoen ass déi richteg Uwendung vum Ohm Block fir de Kristalltransistor ze moossen anMOSFET.
Mat dem Multimeter Ohm Block kann ohm Zentrum Skala net ze grouss sinn, am léifsten manner wéi 12 Ω (500-Typ Dësch fir 12 Ω), sou datt am R × 1 Block e méi grousse Stroum kann hunn, fir de PN Kräizung vun der Forward Charakteristiken vum Uerteel ass méi genee. Multimeter R × 10K Block intern Batterie ass am beschten méi wéi 9V, sou datt bei der Messung vun der PN-Kräizung inverse Leckstroum méi genau ass, soss kann d'Leckage net gemooss ginn.
Elo wéinst dem Fortschrëtt vum Produktiounsprozess, d'Fabréckscreening, d'Tester ass ganz strikt, mir beurteelen allgemeng soulaang d'Uerteel vum MOSFET net leeft, net duerch de Kuerzschluss brécht, den internen Net-Circuiting, kann ënnerwee verstäerkt ass d'Methode extrem einfach:
Mat engem Multimeter R × 10K Block; R × 10K Block intern Batterie ass allgemeng 9V plus 1.5V bis 10.5V dës Spannung gëtt allgemeng beurteelt als genuch PN Kräizung Inversion Leckage, de roude Pen vum Multimeter ass negativ Potenzial (verbonne mam negativen Terminal vun der interner Batterie), de schwaarze Pen vum Multimeter ass e positiven Potenzial (verbonne mam positiven Terminal vun der interner Batterie).
(2) Test Prozedur:
Connect de roude Pen un d'Quell vum MOSFET S; verbënnt de schwaarze Pen an den Drain vum MOSFET D. Zu dëser Zäit sollt d'Nadelindikatioun onendlech sinn. Wann et en ohmesche Index gëtt, wat beweist datt de Rouer, deen getest gëtt, e Leckphänomen huet, kann dëst Röhre net benotzt ginn.
Den uewe Staat erhalen; zu dëser Zäit mat engem 100K ~ 200K resistor verbonne mat der Gate an Drain; zu dësem Zäitpunkt soll d'Nadel d'Zuel vun den Ohm uginn, wat méi kleng ass, wat besser, allgemeng kann op 0 Ohm uginn ginn, dës Kéier ass et eng positiv Ladung duerch den 100K Widderstand op der MOSFET Paart Laden, wat zu engem Gate elektrescht Feld resultéiert, wéinst dat elektrescht Feld generéiert vum konduktiven Kanal, deen zu der Drain- a Quellleitung resultéiert, sou datt d'Multimeter Nadelablenkung, Oflehnungswinkel grouss ass (Ohm Index ass kleng) fir ze beweisen datt d'Entladungsleistung gutt ass.
An dann verbonne mat der resistor geläscht, da muss de Multimeter Zeigefanger picken nach de MOSFET op den Index bleift onverännert. Obwuel de resistor ze huelen ewech, mä well de resistor op d'Paart vun der charge gelueden net verschwannen, d'Gate elektrescht Feld weider den internen conductive Kanal ze erhalen ass nach erhalen, déi d'Charakteristiken vun der isoléiert Gate Typ MOSFET ass.
Wann de resistor ewechzehuelen der Nadel wäert lues a lues ze héich Resistenz zréck oder souguer un der Onendlechkeet zréck, ze betruecht, datt de gemoossene Rouer Gate Leckage.
Zu dëser Zäit mat engem Drot, verbonne mat dem Paart an der Quell vum Rouer ënner Test, ass de Pointer vum Multimeter direkt zréck an d'Onendlechkeet. D'Verbindung vun der Drot sou datt de gemooss MOSFET, Gate charge Fräisetzung, d'intern elektrescht Feld verschwënnt; Leitungskanal verschwënnt och, sou datt d'Drain an d'Quell tëscht der Resistenz an onendlech ginn.
2, High-Power MOSFET Ersatz
An der Reparatur vun Televisioun an all Zorte vun elektreschen Ausrüstung, begéint Komponent Schued soll mat der selwechter Zort vun Komponente ersat ginn. Wéi och ëmmer, heiansdo sinn déiselwecht Komponenten net op der Hand, et ass néideg aner Aarte vun Ersatz ze benotzen, sou datt mir all Aspekter vun der Leeschtung, Parameteren, Dimensiounen, asw. laang wéi d'Iwwerleeung vun der Spannung, Stroum, Kraaft kann allgemeng ersat ginn (Linnausgangsröhr bal déiselwecht Dimensioune vum Erscheinungsbild), an d'Kraaft tendéiert méi grouss a besser ze sinn.
Fir MOSFET Ersatz, obwuel och dëse Prinzip, ass et am beschten déi bescht Prototyp ze maachen, besonnesch, verfollegen d'Kraaft net méi grouss, well d'Muecht grouss ass; D'Input Kapazitéit ass grouss, geännert an d'Excitatiounskreesser entspriechen net d'Excitatioun vum Ladestroumbegrenzungswiderstand vum Bewässerungskrees vun der Gréisst vum Resistenzwäert an d'Input Kapazitéit vum MOSFET ass mat der Auswiel vun der Muecht vu grousse verbonnen trotz der Kapazitéit vu grouss, awer d'Input Kapazitéit ass och grouss, an d'Input Kapazitéit ass och grouss, an d'Kraaft ass net grouss.
D'Input Kapazitéit ass och grouss, d'Excitatiounskrees ass net gutt, wat am Tour de MOSFET op an aus der Leeschtung verschlechtert. Weist den Ersatz vu verschiddene Modeller vu MOSFETs, andeems d'Input Kapazitéit vun dësem Parameter berücksichtegt gëtt.
Zum Beispill gëtt et e 42-Zoll LCD TV Backlight High-Volt Board Schued, nodeems Dir den internen High-Power MOSFET Schued kontrolléiert, well et kee Prototyp Zuel vun Ersatz ass, d'Wiel vun enger Spannung, Stroum, Kraaft sinn net manner wéi den ursprénglechen MOSFET Ersatz, d'Resultat ass datt de Backlight-Röhre e kontinuéierleche Flicker schéngt (Startschwieregkeeten), a schliisslech ersat mam selwechten Typ vum Original fir de Problem ze léisen.
Detektéiert Schued un der High-Power MOSFET, Ersatz vu senge Peripheriekomponenten vum Perfusiounskrees muss och ersat ginn, well de Schued un der MOSFET och schlecht Perfusiounskreeskomponenten verursaacht duerch de Schued un der MOSFET. Och wann de MOSFET selwer beschiedegt ass, de Moment wou de MOSFET brécht, sinn d'Perfusiounskreeskomponenten och beschiedegt a sollten ersat ginn.
Just wéi mir vill clever Reparatur Meeschtesch an der Reparatur vun der A3 schalt Muecht Fourniture hunn; soulaang wéi d'Schalterröhre fonnt gëtt ze briechen, ass et och d'Front vum 2SC3807 Excitatiounsröhre zesumme mam Ersatz vum selwechte Grond (obwuel den 2SC3807 Röhre, gemooss mat engem Multimeter gutt ass).
Post Zäit: Apr-15-2024
