MOSFET (FieldEffect Transistor Abbreviation (FET)) TitelMOSFET. vun enger klenger Unzuel vun Träger fir un der thermescher Konduktivitéit deelzehuelen, och bekannt als Multi-Pole Kräizungstransistor. Et ass kategoriséiert als e Spannungskontrolléierten Semi-Superconductor Apparat. Bestehend Ausgangsresistenz ass héich (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), niddereg Kaméidi, nidderegen Energieverbrauch, statesch Gamme, einfach z'integréieren, keen zweeten Decompte Phänomen, d'Versécherungsaufgab vum Breet Mier an aner Virdeeler, huet elo geännert bipolare junction transistor an power junction transistor vun der staark kollaboréieren.
Spezifikatioune vun MOSFET
Éischt: MOSFET ass e Volt Mastering Apparat, et duerch d'VGS (Gate Quell Volt) zu Master ID (drain DC);
Zweeten:MOSFET anAusgang DC ass ganz kleng, sou datt seng Ausgangsresistenz ganz grouss ass.
Dräi: et gëtt e puer Träger applizéiert fir Hëtzt ze féieren, an domat huet et e bessere Mooss fir Stabilitéit;
Véier: et besteet aus engem reduzéierte Wee vun elektresche Reduktioun vu klenge Koeffizienten fir méi kleng ze sinn wéi den Transistor aus engem reduzéierte Wee vun elektresche Reduktioun vu klenge Koeffizienten besteet;
Fënneften: MOSFET Anti-Bestralung Muecht;
Sechs: well et keng fehlerhafter Aktivitéit vun der Minoritéitsdispersioun verursaacht duerch verspreete Kaméidipartikelen, well de Kaméidi niddereg ass.
MOSFET Aufgab Prinzip
MOSFETAufgab Prinzip an engem Saz, dat ass, "drain - Quelltext Spadséiergank duerch de Kanal tëscht der ID, mat der Elektrode an de Kanal tëscht dem pn gebaut an engem ëmgedréint Viraussetzung Elektroden Volt Meeschtesch der ID". Méi genee, d'Amplitude vun ID iwwert de Circuit, dat ass, de Kanal Querschnitt Beräich, et ass duerch d'pn Kräizung Géigewier partiell Variant, d'Optriede vun der Ausschöpfung Layer d'Variatioun vun der Meeschtesch vun der Grond expandéiert. Am net-saturéierte Mier vu VGS=0 ass d'Expansioun vun der ugewisener Iwwergangsschicht net ganz grouss, well laut dem Magnéitfeld vu VDS tëscht der Drain-Quell bäigefüügt, e puer Elektronen am Quellsee vum Drain ewech gezunn ginn. , Ee, et gëtt eng DC ID Aktivitéit vum Drain op d'Quell. Déi moderéiert Schicht, déi aus dem Paart op d'Drain erweidert, wäert eng Blockéierungstyp vun engem ganze Kierper vum Kanal bilden, ID voll. Bezeechnen dëst Muster als Pinch-Off. Dëst symboliséiert datt d'Iwwergangsschicht e ganze Kanal verstoppt, an et ass net datt den DC ofgeschnidden ass.
An der Iwwergangsschicht, well et keng Selbstbewegung vun Elektronen a Lächer ass, an der realer Form vun den isoléierende Charakteristiken vun der Existenz vum allgemenge DC Stroum ass schwéier ze bewegen. Allerdéngs, d'Magnéitfeld tëscht dem Drain - Quell, an der Praxis, déi zwee Transitioun Layer Kontakt Drain a Gate Pole ënnen lénks, well d'Drift Magnéitfeld zitt der Héich-Vitesse Elektronen duerch d'Transitioun Layer. Well d'Kraaft vum Drift Magnéitfeld einfach d'Fülle vun der ID Szen net ännert. Zweetens, VGS op d'negativ Positioun änneren, sou datt VGS = VGS (off), dann ännert d'Iwwergangsschicht gréisstendeels d'Form fir de ganze Mier ze decken. An d'Magnéitfeld vu VDS gëtt gréisstendeels un d'Iwwergangsschicht bäigefüügt, d'Magnéitfeld dat den Elektron an d'Driftpositioun zitt, soulaang wéi no bei der Quellpol vum ganz kuerzen All, wat méi ass fir datt d'DC Muecht net ass. stagnéieren kënnen.
Post Zäit: Apr-12-2024
