Als Schaltelementer erschéngen MOSFET an IGBT dacks an elektronesche Kreesleef. Si sinn och ähnlech am Erscheinungsbild a charakteristesche Parameteren. Ech gleewen, datt vill Leit sech froe firwat verschidde Circuiten MOSFET benotze mussen, anerer maachen. IGBT?
Wat ass den Ënnerscheed tëscht hinnen? Nächst,Olukeywäert Är Froen äntweren!
Wat ass aMOSFET?
MOSFET, de komplette chinesesche Numm ass Metalloxid Hallefleitfeldeffekttransistor. Well de Paart vun dësem Feldeffekttransistor vun enger isoléierender Schicht isoléiert ass, gëtt et och en isoléierte Paartfeldeffekttransistor genannt. MOSFET kann an zwou Zorte ënnerdeelt ginn: "N-Typ" an "P-Typ" no der Polaritéit vu sengem "Kanal" (schaffen Carrier), normalerweis och N MOSFET an P MOSFET genannt.
De MOSFET selwer huet seng eege parasitär Diode, déi benotzt gëtt fir ze verhënneren datt de MOSFET ausbrennt wann VDD Iwwerspannung ass. Well ier d'Iwwerspannung Schued un der MOSFET verursaacht, brécht d'Diode fir d'éischt ëmgekéiert a riicht de grousse Stroum op de Buedem, an doduerch verhënnert datt de MOSFET ausbrennt.
Wat ass IGBT?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ass e Compound Halbleiter Apparat aus engem Transistor an engem MOSFET.
De Circuit Symboler vun IGBT sinn nach net vereenegt. Wann Dir de schemateschen Diagramm zeechnen, sinn d'Symboler vun Triode a MOSFET allgemeng ausgeléint. Zu dëser Zäit kënnt Dir beurteelen ob et IGBT oder MOSFET ass aus dem Modell markéiert am schemateschen Diagramm.
Zur selwechter Zäit sollt Dir och oppassen ob den IGBT eng Kierperdiode huet. Wann et net um Bild markéiert ass, heescht dat net datt et net existéiert. Ausser déi offiziell Donnéeën spezifesch anescht uginn, ass dës Diode präsent. D'Kierperdiode am IGBT ass net parasitesch, awer ass speziell ageriicht fir déi fragil Réckstandspannung vum IGBT ze schützen. Et gëtt och FWD (Freewheeling Diode) genannt.
Déi intern Struktur vun deenen zwee ass anescht
Déi dräi Pole vum MOSFET sinn Quell (S), Drain (D) a Paart (G).
Déi dräi Pole vum IGBT sinn Sammler (C), Emitter (E) a Paart (G).
En IGBT gëtt konstruéiert andeems Dir eng zousätzlech Schicht zum Drain vun engem MOSFET bäidréit. Hir intern Struktur ass wéi follegt:
D'Applikatiounsfelder vun deenen zwee sinn ënnerschiddlech
Déi intern Strukture vu MOSFET an IGBT sinn ënnerschiddlech, wat hir Uwendungsfelder bestëmmt.
Duerch d'Struktur vum MOSFET kann et normalerweis e grousse Stroum erreechen, deen KA erreechen kann, awer d'Viraussetzungsspannungstandsfäegkeet ass net sou staark wéi IGBT. Seng Haaptapplikatiounsberäicher sinn Schaltkraaftversuergung, Ballasten, Héichfrequenz Induktiounsheizung, Héichfrequenz Inverter Schweessmaschinnen, Kommunikatiounskraaftversuergung an aner Héichfrequenz Energieversuergungsfelder.
IGBT ka vill Kraaft, Stroum a Spannung produzéieren, awer d'Frequenz ass net ze héich. Am Moment kann déi schwéier Schaltgeschwindegkeet vun IGBT 100KHZ erreechen. IGBT gëtt wäit a Schweessmaschinnen, Inverter, Frequenzkonverter, elektrolytesch Elektrolytesch Energieversuergung, Ultraschall Induktiounheizung an aner Felder benotzt.
Haaptmerkmale vu MOSFET an IGBT
MOSFET huet d'Charakteristiken vun héich Input Impedanz, séier Schaltgeschwindegkeet, gutt thermesch Stabilitéit, Spannungssteuerstroum, etc.. Am Circuit kann et als Verstärker, elektronesche Schalter an aner Zwecker benotzt ginn.
Als neien Typ vun elektroneschen Hallefleitgeräter huet IGBT d'Charakteristike vun héijer Inputimpedanz, Low Volt Kontroll Stroumverbrauch, einfache Kontrollkrees, Héichspannungsresistenz a grousser Stroumtoleranz, a gouf wäit a verschiddenen elektronesche Circuiten benotzt.
Déi ideal gläichwäerteg Circuit vun IGBT ass an der Figur ënnendrënner gewisen. IGBT ass tatsächlech eng Kombinatioun vu MOSFET an Transistor. MOSFET huet den Nodeel vun héijer On-Resistenz, awer IGBT iwwerwannt dëse Mängel. IGBT huet nach ëmmer niddereg On-Resistenz bei Héichspannung. .
Am Allgemengen ass de Virdeel vum MOSFET datt et gutt Héichfrequenz Charakteristiken huet a mat enger Frequenz vun Honnerte vu kHz a bis zu MHz funktionnéiert. Den Nodeel ass datt d'On-Resistenz grouss ass an de Stroumverbrauch grouss ass an Héichspannungs- an Héichstroumsituatiounen. IGBT funktionéiert gutt an niddereg Frequenz an héich Kraaft Situatiounen, mat klenge On-Resistenz an héich Widderstand Volt.
Wielt MOSFET oder IGBT
Am Circuit, ob MOSFET als Power Switch Tube oder IGBT ze wielen ass eng Fro déi Ingenieuren dacks begéinen. Wann Faktore wéi Spannung, Stroum a Schaltkraaft vum System berücksichtegt ginn, kënnen déi folgend Punkte zesummegefaasst ginn:
D'Leit froen dacks: "Ass MOSFET oder IGBT besser?" Tatsächlech gëtt et kee gudden oder schlechten Ënnerscheed tëscht deenen zwee. Déi wichtegst Saach ass seng aktuell Uwendung ze gesinn.
Wann Dir nach Froen iwwer den Ënnerscheed tëscht MOSFET an IGBT hutt, kënnt Dir Olukey fir Detailer kontaktéieren.
Olukey verdeelt haaptsächlech WINSOK mëttel- an niddereg Volt MOSFET Produiten. Produkter gi wäit an der Militärindustrie benotzt, LED / LCD Driver Boards, Motor Driver Boards, Schnellladung, elektronesch Zigaretten, LCD Monitore, Stroumversuergung, kleng Haushaltsapparater, medizinesch Produkter a Bluetooth Produkter. Elektronesch Skalen, Gefierelektronik, Netzwierkprodukter, Haushaltsapparater, Computer Peripherieger a verschidde digital Produkter.
Post Zäit: Dez-18-2023
