Wann Design engem schalt Muecht Fourniture oder Motor fueren Circuit benotztMOSFETs, Faktore wéi d'On-Resistenz, d'maximal Spannung a maximal Stroum vum MOS ginn allgemeng berücksichtegt.
MOSFET-Réier sinn eng Zort FET déi als Verbesserungs- oder Ausarmungstyp, P-Kanal oder N-Kanal fir insgesamt 4 Typen fabrizéiert ka ginn. Verbesserung NMOSFETs an Verbesserung PMOSFETs ginn allgemeng benotzt, an dës zwee ginn normalerweis ernimmt.
Dës zwee si méi heefeg benotzt ass NMOS. de Grond ass datt d'leitend Resistenz kleng ass an einfach ze fabrizéieren. Dofir gëtt NMOS normalerweis benotzt fir Stroumversuergung a Motordrive Uwendungen ze wiesselen.
Bannen am MOSFET gëtt en Thyristor tëscht dem Drain an der Quell plazéiert, wat ganz wichteg ass fir induktiv Lasten wéi Motoren ze féieren, an ass nëmmen an engem eenzegen MOSFET präsent, net normalerweis an engem integréierte Circuit Chip.
Parasitesch Kapazitéit existéiert tëscht den dräi Pins vum MOSFET, net datt mir et brauchen, awer wéinst Aschränkungen vum Fabrikatiounsprozess. D'Präsenz vun der parasitärer Kapazitéit mécht et méi ëmständlech wann Dir e Chaufferkrees designt oder auswielt, awer et kann net vermeit ginn.
D'Haaptrei Parameter vunMOSFET
1, Open Volt VT
Open Volt (och bekannt als Schwellspannung): sou datt d'Gatespannung erfuerderlech ass fir e konduktiven Kanal tëscht der Quell S an Drain D ze bilden; Standard N-Kanal MOSFET, VT ass ongeféier 3 ~ 6V; duerch Prozessverbesserungen kann de MOSFET VT Wäert op 2 ~ 3V reduzéiert ginn.
2, DC Input Resistenz RGS
D'Verhältnis vun der Spannung bäigefüügt tëscht dem Gatequellpol an dem Gatestroum Dës Charakteristik gëtt heiansdo duerch de Paartstroum ausgedréckt, deen duerch d'Paart fléisst, d'RGS vum MOSFET kann einfach 1010Ω iwwerschreiden.
3. Drain Quelle Decompte BVDS Volt.
Ënnert dem Bedingung vu VGS = 0 (verstäerkt), am Prozess vun der Erhéijung vun der Drain-Quellspannung, klëmmt d'ID staark wann de VDS d'Drain-Source Decomptespannung BVDS genannt gëtt, erhéicht d'ID staark aus zwee Grënn: (1) Lawine Zerbriechung vun der Verarmungsschicht no beim Drain, (2) Pénétratiounsdebroch tëscht dem Drain a Quellpole, e puer MOSFETs, déi eng méi kuerz Trenchlängt hunn, erhéijen d'VDS sou datt d'Drainschicht an der Drainregioun an d'Quellregioun erweidert gëtt, d'Kanallängt ze maachen ass null, dat ass, fir eng Drain-Quell-Penetratioun ze produzéieren, Pénétratioun, déi meescht vun den Träger an der Quellregioun ginn direkt vum elektresche Feld vun der Verarmungsschicht an d'Drain-Regioun ugezunn, wat zu enger grousser ID resultéiert. .
4, Gate Quell Decompte Volt BVGS
Wann d'Gatespannung erhéicht gëtt, gëtt de VGS wann den IG vun Null erhéicht gëtt d'Gatequelle Decomptespannung BVGS genannt.
5,Niddereg Frequenz Transkonduktioun
Wann VDS e fixe Wäert ass, gëtt de Verhältnis vun der Mikrovariatioun vum Drainstroum zu der Mikrovariatioun vun der Gatequellspannung, déi d'Ännerung verursaacht, Transkonduktioun genannt, wat d'Fäegkeet vun der Gatequellspannung reflektéiert fir den Drainstroum ze kontrolléieren, an ass eng wichtege Parameter, deen d'Verstäerkungsfäegkeet vun der charakteriséiertMOSFET.
6, op-Resistenz RON
On-Resistenz RON weist den Effekt vu VDS op ID, ass den Inverse vum Hang vun der Tangentlinn vun den Drain-Charakteristiken op engem bestëmmte Punkt, an der Sättigungsregioun, ID ännert sech bal net mam VDS, RON ass e ganz grousse Wäert, allgemeng an Zénger vu Kilo-Ohm bis Honnerte vu Kilo-Ohm, well an digitale Kreesleef, MOSFETs funktionnéieren dacks am Zoustand vun der konduktiver VDS = 0, also zu dësem Zäitpunkt kann d'On-Resistenz RON vun Urspronk vun der RON zu ongeféier, fir allgemeng MOSFET, RON Wäert bannent e puer honnert ohms.
7, interpolare Kapazitéit
Interpolar Kapazitéit existéiert tëscht den dräi Elektroden: Gate Quell Kapazitéit CGS, Gate Drain Kapazitéit CGD an Drain Quell Kapazitéit CDS-CGS an CGD ass ongeféier 1 ~ 3pF, CDS ass ongeféier 0,1 ~ 1pF.
8,Niddereg Frequenz Kaméidi Faktor
Kaméidi gëtt duerch Onregelméissegkeeten an der Bewegung vun Träger an der Pipeline verursaacht. Wéinst senger Präsenz geschéien onregelméisseg Spannungs- oder Stroumvariatiounen um Ausgang och wann et kee Signal vum Verstärker geliwwert gëtt. Geräischer Leeschtung gëtt normalerweis am Sënn vum Geräischer Faktor NF ausgedréckt. D'Eenheet ass decibel (dB). Wat de Wäert méi kleng ass, dest manner Geräischer produzéiert de Röhre. Den Nidderfrequenz Kaméidi Faktor ass de Kaméidi Faktor am niddereg-Frequenz Beräich gemooss. De Kaméidifaktor vun engem Feldeffektröhre ass ongeféier e puer dB, manner wéi dee vun enger bipolare Triode.
Post Zäit: Apr-24-2024
