Dëst ass e gepacktMOSFETpyroelektresche Infraroutsensor. De rechteckege Frame ass d'Senséierfenster. De G Pin ass de Buedemterminal, den D Pin ass den internen MOSFET Drain, an de S Pin ass déi intern MOSFET Quell. Am Circuit ass G mam Buedem ugeschloss, D ass mat der positiver Energieversuergung verbonnen, Infrarout Signaler ginn aus der Fënster Input, an elektresch Signaler ginn aus S erausginn.
Uerteel Gate G
De MOS Chauffer spillt haaptsächlech d'Roll vun der Welleformformung an der Fuereverbesserung: Wann d'G Signal Welleform vun derMOSFETass net géi genuch, et wäert e grousse Betrag u Kraaftverloscht während der Schaltphase verursaachen. Seng Säit Effekt ass d'Effizienz vun der Circuit Konversioun ze reduzéieren. De MOSFET wäert schwéieren Féiwer hunn a liicht duerch Hëtzt beschiedegt ginn. Et gëtt eng gewësse Kapazitéit tëscht MOSFETGS. , Wann d'G-Signalfahrtfäegkeet net genuch ass, wäert et d'Welleformsprangzäit eescht beaflossen.
Kuerzschluss de GS Pol, wielt de R × 1 Niveau vum Multimeter, verbënnt de schwaarze Testleitung un de S Pol, an de roude Testleitung un den D Pol. D'Resistenz soll e puer Ω bis méi wéi zéng Ω sinn. Wann et festgestallt gëtt datt d'Resistenz vun engem bestëmmte Pin a sengen zwee Pins onendlech ass, an et ass nach ëmmer onendlech nom Austausch vun den Testleitungen, gëtt bestätegt datt dëse Pin de G Pol ass, well et vun deenen aneren zwee Pins isoléiert ass.
Bestëmmt d'Quell S an drain D
Setzt de Multimeter op R × 1k a moosst d'Resistenz tëscht den dräi Pins respektiv. Benotzt den Austausch Test Lead Method fir d'Resistenz zweemol ze moossen. Dee mat engem nidderegen Resistenzwäert (normalerweis e puer dausend Ω bis méi wéi zéngdausend Ω) ass d'Forward Resistenz. Zu dëser Zäit ass de schwaarze Testleit de S Pol an de roude Testleit ass un den D Pol verbonnen. Wéinst verschiddenen Testbedéngungen ass de gemoossene RDS(on) Wäert méi héich wéi den typesche Wäert deen am Handbuch uginn ass.
IwwerMOSFET
Den Transistor huet N-Typ Kanal sou datt et N-Kanal genannt gëttMOSFET, oderNMOS. P-Kanal MOS (PMOS) FET existéiert och, dat ass e PMOSFET aus engem liicht dotéiert N-Typ BACKGATE an engem P-Typ Quell an Drain komponéiert.
Onofhängeg vun N-Typ oder P-Typ MOSFET, ass säi Wierksprinzip am Wesentlechen d'selwecht. MOSFET kontrolléiert de Stroum am Drain vum Ausgangsterminal duerch d'Spannung, déi op de Paart vum Inputterminal applizéiert gëtt. MOSFET ass e Spannungskontrolléierten Apparat. Et kontrolléiert d'Charakteristiken vum Apparat duerch d'Spannung, déi op de Paart applizéiert gëtt. Et verursaacht net de Ladelagerungseffekt verursaacht vum Basisstroum wann en Transistor fir ze wiesselen benotzt gëtt. Dofir, beim Wiessel vun Uwendungen,MOSFETssoll méi séier wéi Transistoren schalt.
De FET kritt och säin Numm aus der Tatsaach datt säin Input (genannt de Paart) de Stroum beaflosst deen duerch den Transistor fléisst andeems en elektrescht Feld op eng Isoléierschicht projizéiert. Tatsächlech fléisst kee Stroum duerch dësen Isolator, sou datt de GATE Stroum vum FET Röhre ganz kleng ass.
Déi heefegst FET benotzt eng dënn Schicht Siliziumdioxid als Isolator ënner der GATE.
Dës Zort Transistor gëtt e Metalloxid Hallefleeder (MOS) Transistor genannt, oder, Metalloxid Hallefleitfeldeffekt Transistor (MOSFET). Well MOSFETs méi kleng a méi effizient sinn, hu se bipolare Transistoren a ville Uwendungen ersat.
Post Zäit: Nov-10-2023
