Et ginn zwou Haaptarten vu MOSFET: Split Kräizung Typ an isoléiert Paart Typ. Kräizung MOSFET (JFET) ass benannt well et zwee PN Kräizungen huet, an isoléiert PaartMOSFET(JGFET) gëtt genannt well de Paart komplett vun aneren Elektroden isoléiert ass. Am Moment, ënner isoléierten Gate MOSFETs, ass de meescht benotzten MOSFET, bezeechent als MOSFET (Metalloxid-Hallefleiter MOSFET); Zousätzlech, ginn et PMOS, NMOS an VMOS Muecht MOSFETs, wéi och déi kuerzem lancéiert πMOS an VMOS Muecht Moduler, etc.
No de verschiddene Kanal Hallefleitmaterialien, Kräizungstyp an Isoléierpaarttyp sinn a Kanal a P Kanal opgedeelt. Wann opgedeelt no Konduktivitéitsmodus, kann MOSFET an Ausarmungstyp a Verbesserungstyp opgedeelt ginn. Junction MOSFETs sinn all Ausarmungstyp, an isoléiert Gate MOSFETs si souwuel Ausarmungstyp wéi och Verbesserungstyp.
Feldeffekttransistoren kënnen a Kräizungsfeldeffekttransistoren a MOSFETs opgedeelt ginn. MOSFETs sinn an véier Kategorien ënnerdeelt: N-Kanal Ausschöpfung Typ an Verbesserung Typ; P-Kanal Ausschöpfungstyp an Erweiderungstyp.
Charakteristike vun MOSFET
D'Charakteristike vun engem MOSFET ass de Südpaart Spannung UG; déi seng Drain aktuell ID kontrolléiert. Am Verglach mat gewéinleche bipolare Transistoren hunn MOSFETs d'Charakteristiken vun enger héijer Inputimpedanz, gerénger Geräischer, grousser dynamescher Gamme, nidderegen Energieverbrauch an einfacher Integratioun.
Wann den absolute Wäert vun der negativer Viraussetzungsspannung (-UG) eropgeet, erhéicht d'Austauschschicht, de Kanal fällt erof, an d'Drainstroum ID geet erof. Wann den absolute Wäert vun der negativer Viraussetzungsspannung (-UG) erofgeet, fällt d'Austauschschicht erof, de Kanal erhéicht, an d'Drainstroum ID erhéicht. Et kann gesi ginn datt d'Drainstroum ID vun der Gatespannung kontrolléiert gëtt, sou datt de MOSFET e Spannungskontrolléierten Apparat ass, dat heescht, d'Verännerungen am Ausgangsstroum gi kontrolléiert duerch Verännerungen an der Inputspannung, sou datt d'Verstäerkung an d'Verstäerkung erreecht gëtt. aner Zwecker.
Wéi bipolare Transistoren, wann MOSFET a Circuiten wéi Verstäerkung benotzt gëtt, sollt eng Biasspannung och zu sengem Paar bäigefüügt ginn.
D'Paart vun der Kräizung Feld Effekt Rouer soll mat enger ëmgedréint Viraussetzung Volt applizéiert ginn, dat ass, eng negativ Gate Spannung soll op d'N-Kanal Rouer applizéiert ginn an eng positiv Gate Claw soll op de P-Kanal Rouer applizéiert ginn. Verstäerkt isoléiert Paart MOSFET soll Forward Gate Spannung uwenden. D'Paartspannung vun engem Ausarmmodus isoléierend MOSFET kann positiv, negativ oder "0" sinn. D'Methoden fir Bias bäizefügen enthalen déi fix Biasmethod, déi selbst geliwwert Biasmethod, déi direkt Kupplungsmethod, etc.
MOSFEThuet vill Parameteren, dorënner DC Parameteren, AC Parameteren an Limite Parameteren, mä am normalen Gebrauch, Dir braucht nëmmen Opmierksamkeet op déi folgend Haaptrei Parameteren ze bezuelen: gesättegt Drain Quell aktuell IDSS Prise Spannung Up, (Kräizung Rouer an Ausschlagmodus isoléiert Gate Tube, oder Turn-on Volt UT (verstäerkt isoléiert Gate Tube), Transconductance gm, Drain-Quell Decompte Volt BUDS, maximal Muecht dissipation PDSM a maximal Drain-Quell aktuell IDSM.
(1) Saturéiert Drain-Quellstroum
De gesättigte Drain-Quellstroum IDSS bezitt sech op den Drain-Quellstroum wann d'Gatespannung UGS = 0 an engem Kräizung oder Ausschnëtter isoléiert Gate MOSFET.
(2) Spannungsspannung
D'Punch-Off Spannung UP bezitt sech op d'Gatespannung wann d'Drain-Quellverbindung just an engem Kräizung oder Ausarm-Typ isoléierter Gate MOSFET ofgeschnidden ass. Wéi an 4-25 fir d'UGS-ID Curve vum N-Kanal Röhre gewisen, kann d'Bedeitung vun IDSS an UP kloer gesi ginn.
(3) Opléisung Volt
D'Uschaltspannung UT bezitt sech op d'Gatespannung wann d'Drain-Quellverbindung just an der verstäerkter isoléierter Paart MOSFET gemaach gëtt. Figure 4-27 weist d'UGS-ID Kurve vum N-Kanal Röhre, an d'Bedeitung vun UT kann kloer gesi ginn.
(4) Transconductance
Transconductance gm duerstellt d'Fäegkeet vun der Gate-Quell Spannung UGS der Drain aktuell ID ze kontrolléieren, dat ass, d'Verhältnis vun der Ännerung vun der Drain aktuell ID zu der Ännerung vun der Gate-Quell Volt UGS. 9m ass e wichtege Parameter fir d'Verstäerkungsfäegkeet ze moossenMOSFET.
(5) Drain-Quell Decompte Spannung
D'Drain-Source Decompte Spannung BUDS bezitt sech op déi maximal Drain-Quell Spannung déi de MOSFET akzeptéiere kann wann d'Gate-Source Volt UGS konstant ass. Dëst ass e limitéierende Parameter, an d'Betribsspannung, déi op de MOSFET applizéiert gëtt, muss manner sinn wéi BUDS.
(6) Maximal Muecht dissipation
Déi maximal Kraaftvergëftung PDSM ass och e Limitparameter, dee sech op déi maximal Drain-Quell-Kraaftvergëftung erlaabt ouni Verschlechterung vun der MOSFET Leeschtung. Wann se benotzt, soll den aktuellen Stroumverbrauch vu MOSFET manner wéi PDSM sinn an e gewësse Spillraum hannerloossen.
(7) Maximum Drain-Source Stroum
De maximalen Drain-Quellstroum IDSM ass en anere Limitparameter, deen op de maximale Stroum bezitt, deen tëscht dem Drain an der Quell passéiert wann de MOSFET normalerweis funktionnéiert. Den Operatiounsstroum vum MOSFET sollt den IDSM net iwwerschreiden.
1. MOSFET kann fir amplification benotzt ginn. Zënter datt d'Inputimpedanz vum MOSFET Verstärker ganz héich ass, kann de Kupplungskondensator kleng sinn an d'elektrolytesch Kondensatoren mussen net benotzt ginn.
2. Déi héich Inputimpedanz vu MOSFET ass ganz gëeegent fir Impedanztransformatioun. Et gëtt dacks fir Impedanztransformatioun an der Inputstadium vu Multi-Stage Verstärker benotzt.
3. MOSFET kann als variabel resistor benotzt ginn.
4. MOSFET kann bequem als konstante Stroumquell benotzt ginn.
5. MOSFET kann als elektronesch Schalter benotzt ginn.
MOSFET huet d'Charakteristiken vun niddereg intern Resistenz, héich Widderstänn Volt, séier schalt, an héich Lawinen Energie. Déi entworf Stroumspann ass 1A-200A an d'Spannungsspann ass 30V-1200V. Mir kënnen d'elektresch Parameteren ajustéieren no de Client Applikatioun Felder an Applikatioun Pläng Client Produit Zouverlässegkeet ze verbesseren, allgemeng Konversioun Effizienz a Produit Präis Kompetitivitéit.
MOSFET vs Transistor Verglach
(1) MOSFET ass e Spannungskontrollelement, während e Transistor e Stroumsteuerelement ass. Wann nëmmen eng kleng Quantitéit vum Stroum erlaabt ass aus der Signalquell ze huelen, sollt e MOSFET benotzt ginn; Wann d'Signalspannung niddereg ass an eng grouss Quantitéit u Stroum erlaabt ass aus der Signalquell ze huelen, sollt en Transistor benotzt ginn.
(2) MOSFET benotzt Majoritéit Carrier fir Elektrizitéit ze féieren, sou datt et en unipolaren Apparat genannt gëtt, wärend Transistoren souwuel Majoritéit Carrier wéi och Minoritéit Carrier hunn fir Elektrizitéit ze féieren. Et gëtt e bipolare Apparat genannt.
(3) D'Quell an d'Drain vun e puer MOSFETs kënnen austauschbar benotzt ginn, an d'Paartspannung kann positiv oder negativ sinn, wat méi flexibel ass wéi Transistoren.
(4) MOSFET kann ënner ganz klenge Stroum a ganz niddrege Spannungsbedéngungen funktionnéieren, a säi Fabrikatiounsprozess ka vill MOSFETs einfach op engem Siliziumwafer integréieren. Dofir goufen MOSFETs vill a grousser integréierte Circuiten benotzt.
Wéi beurteelt een d'Qualitéit an d'Polaritéit vum MOSFET
Wielt d'Gamme vum Multimeter op RX1K, verbënnt de schwaarze Testleit op den D Pol, an de roude Testleit op de S Pol. Touch d'G an D Pole gläichzäiteg mat Ärer Hand. De MOSFET soll an engem momentanen Leedungszoustand sinn, dat heescht, d'Meternadel schwéngt op eng Positioun mat enger méi klenger Resistenz. , a beréiert dann d'G- a S-Pole mat Ären Hänn, de MOSFET sollt keng Äntwert hunn, dat heescht, d'Meternadel wäert net zréck an d'Nullpositioun réckelen. Zu dëser Zäit sollt et beurteelt ginn datt de MOSFET e gudde Rouer ass.
Wielt d'Gamme vum Multimeter op RX1K, a moosst d'Resistenz tëscht den dräi Pins vum MOSFET. Wann d'Resistenz tëscht engem Pin an deenen aneren zwee Pins onendlech ass, an et ass nach ëmmer onendlech nom Austausch vun den Testleitungen, Dann ass dëse Pin de G Pol, an déi aner zwee Pins sinn de S Pol an D Pol. Benotzt dann e Multimeter fir de Resistenzwäert tëscht dem S-Pol an dem D-Pol eemol ze moossen, d'Testleitungen austauschen an erëm ze moossen. Dee mat de méi klengen Resistenzwäert ass schwaarz. D'Testleitung ass mam S Pol verbonnen, an de roude Testleit ass mat der D Pol verbonnen.
MOSFET Detektioun a Benotzungsvirsiichtsmoossnamen
1. Benotzt e Pointer Multimeter fir de MOSFET z'identifizéieren
1) Benotzt Resistenzmiessungsmethod fir d'Elektroden vum Kräizung MOSFET z'identifizéieren
Geméiss dem Phänomen datt d'Forward an d'Reverse Resistenzwäerter vum PN Kräizung vum MOSFET ënnerschiddlech sinn, kënnen déi dräi Elektroden vum Kräizung MOSFET identifizéiert ginn. Spezifesch Method: Setzt de Multimeter op d'R × 1k Gamme, wielt all zwou Elektroden, a moosst hir Vir- a Réckresistenzwäerter respektiv. Wann d'Forward a Reverse Resistenzwäerter vun zwou Elektroden gläich sinn an e puer dausend Ohm sinn, da sinn déi zwou Elektroden den Drain D an d'Quell S respektiv. Well fir Kräizung MOSFETs, d'Drain an d'Quell sinn austauschbar, déi verbleiwen Elektrode muss de Paart G sinn. Dir kënnt och de schwaarze Testleitung beréieren (rout Testleit ass och akzeptabel) vum Multimeter op all Elektrode, an déi aner Testleitung fir beréiert déi aner zwou Elektroden an der Sequenz fir de Resistenzwäert ze moossen. Wann d'Resistenzwäerter zweemol gemooss ongeféier gläich sinn, ass d'Elektrode a Kontakt mat der schwaarzer Testleit de Paart, an déi aner zwou Elektroden sinn d'Drain respektiv Quell. Wann d'Resistenzwäerter zweemol gemooss sinn allebéid ganz grouss, heescht et datt et déi ëmgedréint Richtung vum PN-Kräizung ass, dat heescht, si sinn allebéid ëmgedréint Widderstänn. Et kann festgestallt ginn, datt et en N-Kanal MOSFET ass, an déi schwaarz Testleitung ass mat der Paart verbonnen; wann d'Resistenzwäerter zweemol gemooss sinn D'Resistenzwäerter si ganz kleng, wat beweist datt et e Forward PN Kräizung ass, dat heescht e Forward Resistenz, an et ass bestëmmt e P-Kanal MOSFET. Déi schwaarz Testleitung ass och mam Paart verbonnen. Wann déi uewe genannte Situatioun net geschitt, kënnt Dir déi schwaarz a rout Testleitungen ersetzen an den Test no der uewe genannter Method duerchféieren bis d'Gitter identifizéiert gëtt.
2) Benotzt Resistenzmiessungsmethod fir d'Qualitéit vum MOSFET ze bestëmmen
D'Resistenzmiessungsmethod ass e Multimeter ze benotzen fir d'Resistenz tëscht dem MOSFET seng Quell an Drain, Gate a Quell, Gate an Drain, Gate G1 a Gate G2 ze moossen fir ze bestëmmen ob et mam Resistenzwäert entsprécht an der MOSFET Handbuch. D'Gestioun ass gutt oder schlecht. Spezifesch Method: Als éischt, setzt de Multimeter op de R × 10 oder R × 100 Beräich, a moosst d'Resistenz tëscht der Quell S an dem Drain D, normalerweis am Beräich vun Zénger vun Ohm bis e puer dausend Ohm (et kann gesi ginn an d'Handbuch datt verschidde Modeller Réier, hir Resistenzwäerter anescht sinn), wann de gemoossene Resistenzwäert méi grouss ass wéi den normale Wäert, kann et wéinst engem schlechten internen Kontakt sinn; wann de gemoossene Resistenzwäert onendlech ass, kann et en intern gebrochene Pol sinn. Dann setzt de Multimeter op d'R × 10k Gamme, a moosst dann d'Resistenzwäerter tëscht Paarte G1 a G2, tëscht dem Paart an der Quell, an tëscht dem Paart an dem Drain. Wann déi gemoossene Resistenzwäerter all onendlech sinn, dann heescht et datt d'Röhre normal ass; wann déi uewe genannte Resistenzwäerter ze kleng sinn oder et gëtt e Wee, heescht et datt d'Röhre schlecht ass. Et sollt bemierkt datt wann déi zwee Paarte am Röhre gebrach sinn, kann d'Komponentsubstitutiounsmethod fir d'Detektioun benotzt ginn.
3) Benotzt d'Induktiounssignalinputmethod fir d'Verstäerkungsfäegkeet vum MOSFET ze schätzen
Spezifesch Method: Benotzt den R × 100-Niveau vun der Multimeter-Resistenz, verbënnt de roude Testleitung an d'Quell S, an de schwaarze Testleit op den Drain D. Füügt eng 1.5V Energieversuergungsspannung op de MOSFET. Zu dëser Zäit gëtt de Resistenzwäert tëscht dem Drain an der Quell vun der Meternadel uginn. Dann knipst de Paart G vum Kräizung MOSFET mat Ärer Hand, a füügt d'induzéiert Spannungssignal vum mënschleche Kierper un d'Paart. Op dës Manéier, wéinst dem Verstäerkungseffekt vum Röhre, wäert d'Drain-Quellspannung VDS an den Drainstroum Ib änneren, dat heescht d'Resistenz tëscht dem Drain an der Quell ännert sech. Vun dësem kann ee feststellen datt d'Meternadel zu engem groussen Deel schwéngt. Wann d'Nadel vun der Hand-ofgehalen Gitternadel wéineg schwéngt, heescht et datt d'Verstäerkungsfäegkeet vum Röhre schlecht ass; wann d'Nadel staark schwéngt, heescht et datt d'Verstäerkungsfäegkeet vum Röhre grouss ass; wann d'Nadel net bewegt, heescht et datt d'Röhre schlecht ass.
No der uewe genannter Method benotze mir d'R × 100 Skala vum Multimeter fir de Kräizung MOSFET 3DJ2F ze moossen. Als éischt öffnen d'G Elektroden vum Röhre a moosst d'Drain-Quellresistenz RDS op 600Ω. Nodeems Dir d'G Elektrode mat Ärer Hand hält, schwéngt d'Meternadel no lénks. Déi uginn Resistenz RDS ass 12kΩ. Wann d'Meter Nadel méi grouss schwéngt, heescht et datt d'Röhre gutt ass. , an huet méi grouss Verstäerkungskapazitéit.
Et ginn e puer Punkte fir ze notéieren wann Dir dës Method benotzt: Als éischt, wann Dir de MOSFET testt an d'Paart mat Ärer Hand hält, kann d'Multimeternadel no riets schwenken (de Resistenzwäert fällt erof) oder no lénks (de Resistenzwäert erhéicht) . Dëst ass wéinst der Tatsaach datt d'AC Spannung, déi vum mënschleche Kierper induzéiert gëtt, relativ héich ass, a verschidde MOSFETs kënnen ënnerschiddlech Aarbechtspunkte hunn wann se mat engem Resistenzberäich gemooss ginn (entweder an der gesättigter Zone oder an der onsaturéierter Zone funktionnéieren). Tester hu gewisen datt den RDS vun de meeschte Réier eropgeet. Dat heescht, d'Auerhand schwéngt no lénks; den RDS vun e puer Réier hëlt erof, wouduerch d'Auerhand no riets schwéngt.
Awer onofhängeg vun der Richtung an där d'Auerhand schwéngt, soulaang d'Auerhand méi grouss schwéngt, heescht et datt d'Röhre méi Verstäerkungsfäegkeet huet. Zweetens, dës Method funktionnéiert och fir MOSFETs. Awer et sollt bemierkt datt d'Inputresistenz vu MOSFET héich ass, an déi erlaabt induzéiert Spannung vum Paart G sollt net ze héich sinn, also dréckt de Paart net direkt mat Ären Hänn. Dir musst den isoléierte Grëff vum Schrauendräger benotzen fir de Paart mat engem Metallstab ze beréieren. , fir ze verhënneren datt d'Laascht, déi vum mënschleche Kierper induzéiert gëtt, direkt an d'Paart bäigefüügt gëtt, wat d'Paartofbroch verursaacht. Drëttens, no all Miessung, sollen d'GS-Pole kierziséiert ginn. Dëst ass well et eng kleng Quantitéit un Ladung um GS Kräizung Kondensator gëtt, déi d'VGS Spannung opbaut. Als Resultat kënnen d'Hänn vum Meter net bewegen wann Dir erëm moosst. Deen eenzege Wee fir d'Laascht ze entlaaschten ass d'Laascht tëscht de GS Elektroden ze kuerzen.
4) Benotzt Resistenzmiessungsmethod fir onmarkéiert MOSFETs z'identifizéieren
Als éischt benotzt d'Method fir d'Resistenz ze moossen fir zwee Pins mat Resistenzwäerter ze fannen, nämlech d'Quell S an d'Drain D. Déi reschtlech zwee Pins sinn déi éischt Paart G1 an déi zweet Paart G2. Schreift de Resistenzwäert tëscht der Quell S an dem Drain D als éischt mat zwee Testleitungen gemooss. Schalt d'Testleitungen a moosst erëm. Schreift de gemoossene Resistenzwäert op. Dee mat dem méi grousse Resistenzwäert zweemol gemooss ass de schwaarze Testleit. Déi verbonne Elektrode ass den Drain D; de roude Testleitung ass mat der Quell S ugeschloss. D'S- an D-Pole, déi duerch dës Methode identifizéiert ginn, kënnen och verifizéiert ginn andeems d'Verstäerkungsfäegkeet vum Röhre geschat gëtt. Dat ass, de schwaarze Testleit mat grousser Verstäerkungsfäegkeet ass mat der D Pol verbonnen; déi rout Testleitung ass mam Buedem an den 8-Pol verbonnen. D'Testresultater vu béide Methoden sollten d'selwecht sinn. Nodeems Dir d'Positioune vum Drain D an der Quell S festgeluecht hutt, installéiert de Circuit no den entspriechende Positiounen vun D a S. Generell ginn G1 a G2 och an der Sequenz ausgeriicht. Dëst bestëmmt d'Positioune vun deenen zwee Paarte G1 an G2. Dëst bestëmmt d'Uerdnung vun den D, S, G1, an G2 Pins.
5) Benotzt d'Ännerung am Réckresistenzwäert fir d'Gréisst vun der Transkonduktioun ze bestëmmen
Wann Dir d'Transkonduktanzleistung vun der VMOSN Kanalverbesserung MOSFET moosst, kënnt Dir de roude Testleit benotze fir d'Quell S an d'schwaarz Testleitung an d'Drain D ze verbannen. Dëst ass gläichwäerteg fir eng ëmgedréint Spannung tëscht der Quell an dem Drain ze addéieren. Zu dëser Zäit ass de Paart oppe Circuit, an de Réckresistenzwäert vum Röhre ass ganz onbestänneg. Wielt d'Ohm Gamme vum Multimeter op d'héich Resistenzberäich vun R × 10kΩ. Zu dëser Zäit ass d'Spannung am Meter méi héich. Wann Dir de Gitter G mat Ärer Hand beréiert, fannt Dir datt de Réckresistenzwäert vum Röhre wesentlech ännert. Wat méi grouss d'Ännerung ass, wat méi héich ass den Transkonduktanzenwäert vum Röhre; Wann d'Transkonduktioun vum Rouer ënner Test ganz kleng ass, benotzt dës Method fir ze moossen Wann , ännert d'Réckresistenz wéineg.
Precautiounen fir MOSFET ze benotzen
1) Fir MOSFET sécher ze benotzen, kënnen d'Limitewäerter vu Parameteren wéi d'dissipéiert Kraaft vum Rouer, déi maximal Drain-Quell Spannung, déi maximal Gate-Source Spannung, an de maximale Stroum net am Circuitdesign iwwerschratt ginn.
2) Wann Dir verschidden Aarte vu MOSFETs benotzt, musse se strikt mat der erfuerderter Bias mam Circuit verbonne sinn, an d'Polaritéit vun der MOSFET Bias muss observéiert ginn. Zum Beispill gëtt et e PN Kräizung tëscht dem Gate Quell an Drain vun engem Kräizung MOSFET, an de Paart vun engem N-Kanal Rouer kann net positiv partiell ginn; d'Paart vun engem P-Kanal Rouer kann net negativ partizipéiert ginn, etc.
3) Well d'Input Impedanz vun MOSFET extrem héich ass, mussen d'Pins während Transport a Stockage kuerz-circuited ginn, a muss mat Metal shielding verpakt ginn externen induzéiert Potential aus Decompte vun der Gate ze verhënneren. Notéiert besonnesch datt MOSFET net an enger Plastikskëscht plazéiert ka ginn. Et ass am beschten et an enger Metallkëscht ze späicheren. Zur selwechter Zäit oppassen fir d'Tube Feuchtigkeitbeständeg ze halen.
4) Fir MOSFET Gate induktiv Decompte ze vermeiden, mussen all Testinstrumenter, Workbenches, Lötstécker a Circuiten selwer gutt gegrënnt ginn; wann d'Pins solderen, solder d'Quell éischt; ier Dir un de Circuit verbënnt, d'Röhre All Leadendunge solle matenee verkierzt ginn, an d'Kürzschlussmaterial sollt nom Schweißen ofgeschloss ginn; wann Dir d'Röhre aus dem Komponent Rack erofhuelen, sollten adequat Methoden benotzt ginn fir sécherzestellen datt de mënschleche Kierper gegrënnt gëtt, wéi zum Beispill e Grondring; natierlech, wann fortgeschratt A Gas gehëtzt soldering Eisen ass méi praktesch fir Schweess MOSFETs a suergt Sécherheet; d'Röhre däerf net an de Circuit agesat oder erausgezunn ginn ier d'Kraaft ausgeschalt ass. Déi uewe genannte Sécherheetsmoossname mussen opmierksam gemaach ginn wann Dir MOSFET benotzt.
5) Wann Dir MOSFET installéiert, oppassen op d'Installatiounspositioun a probéiert ze vermeiden datt se no beim Heizelement sinn; fir d'Schwéngung vun de Päiffittings ze verhënneren, ass et néideg fir d'Röhre Shell ze zéien; Wann d'Stifleitungen gebéit sinn, sollten se 5 mm méi grouss sinn wéi d'Wurzelgréisst fir sécherzestellen datt d'Vermeiden d'Stiften ze béien an d'Loftleckage verursaachen.
Fir Kraaft MOSFETs si gutt Wärmevergëftungsbedéngungen erfuerderlech. Well Kraaft-MOSFETs ënner héije Belaaschtungsbedéngungen benotzt ginn, musse genuch Wärmebecher entworf ginn fir sécherzestellen datt d'Temperatur vum Fall net de bewäertte Wäert iwwerschreift, sou datt den Apparat stabil an zouverlässeg fir eng laang Zäit funktionnéiert.
Kuerz gesot, fir de séchere Gebrauch vu MOSFETs ze garantéieren, ginn et vill Saachen déi oppassen, an et ginn och verschidde Sécherheetsmoossnamen ze huelen. D'Majoritéit vu berufflechen an techneschen Personal, besonnesch d'Majoritéit vun elektroneschen Enthusiaster, musse weidergoen op Basis vun hirer aktueller Situatioun a praktesch Weeër huelen fir MOSFETs sécher an effektiv ze benotzen.
Post Zäit: Apr-15-2024
