Déi véier Regioune vun engem N-Kanal Verbesserung MOSFET
(1) Variabel Resistenzregioun (och onsaturéiert Regioun genannt)
Ucs" Ucs (th) (Turn-on Volt), uDs" UGs-Ucs (th), ass d'Regioun lénks vun der preclamped Spur an der Figur wou de Kanal ageschalt ass. De Wäert vun UDs ass kleng an dëser Regioun, an d'Kanalresistenz gëtt am Fong nëmme vu UGs kontrolléiert. Wann uGs sécher ass, ip an uDs an eng linear Relatioun, gëtt d'Regioun als eng Rei vu riichter Linnen ongeféier. Zu dëser Zäit ass de Feldeffektröhre D, S tëscht dem Äquivalent vun enger Spannung UGS
Kontrolléiert vun der Spannung UGS variabelen Resistenz.
(2) konstante Stroumregioun (och bekannt als Sättigungsregioun, Amplifikatiounsregioun, aktiv Regioun)
Ucs ≥ Ucs (h) an Ubs ≥ UcsUssth), fir d'Figur vun der rietser Säit vun der Pre-pinch Off Streck, awer nach net opgedeelt an der Regioun, an der Regioun, wann d'uGs musse sinn, ib bal net änneren mat den UDs, ass e konstante Stroum Charakteristiken. i gëtt nëmme vun den UGs kontrolléiert, dann ass de MOSFETD, S gläichwäerteg mat enger Spannung uGs Kontroll vun der aktueller Quell. MOSFET gëtt a Verstärkungskreesser benotzt, allgemeng op der Aarbecht vum MOSFET D, S ass gläichwäerteg mat enger Spannung uGs Kontrollstroumquell. MOSFET benotzt an Verstäerkungskreesser, funktionnéiert allgemeng an der Regioun, also bekannt als Verstäerkungsberäich.
(3) Ausschnëttgebitt (och Ausschnëttgebitt genannt)
Clip-off Beräich (och bekannt als Cut-off Area) fir den ucs "Ues (th) fir d'Figur no bei der horizontaler Achs vun der Regioun ze treffen, de Kanal ass alles ofgeklemmt, bekannt als de vollen Clip off, io = 0 , de Rouer funktionnéiert net.
(4) Decompte Zone Standuert
D'Decompte Regioun läit an der Regioun op der rietser Säit vun der Figur. Mat de verstäerkten UDs gëtt de PN Kräizung ze vill ëmgedréint Spannung an Decompte ënnerworf, d'IP klëmmt staark. D'Röhre soll operéiert ginn fir ze vermeiden an der Decompteregioun ze bedreiwen. D'Transferkarakteristikkurve kann aus der Ausgangscharakteristikkurve ofgeleet ginn. Op der Method benotzt als Grafik ze fannen. Zum Beispill, an der Figur 3 (a) fir Ubs = 6V vertikal Linn, seng Kräizung mat de verschiddene Kéiren entspriechend dem i, Us Wäerter an der ib- Uss Koordinaten verbonne mat der Kéier, dat ass, der Transfermaart charakteristesche Kéier ze kréien.
Parameter vunMOSFET
Et gi vill Parameteren vun MOSFET, dorënner DC Parameteren, AC Parameteren a Limite Parameteren, mä nëmmen déi folgend Haaptrei Parameteren mussen am gemeinsame Gebrauch betraff sinn: gesättegt Drain Quell aktuell IDSS Prise Spannung Up, (Kräizung-Typ Réier an Ausschöpfung). -Typ isoléiert Gate Tubes, oder Turn-on Volt UT (verstäerkt isoléiert Gate Tubes), Transkonduktanzen gm, Leckquelle Decompte Spannung BUDS, maximal dissipéiert Kraaft PDSM, a maximal Drain-Source aktuell IDSM.
(1) Saturéiert Drainstroum
De gesättigte Drainstroum IDSS ass den Drainstroum an engem Kräizung oder Ausarmungstyp isoléierte Paart MOSFET wann d'Gatespannung UGS = 0.
(2) Clip-off Volt
D'Pitch-Off Spannung UP ass d'Gatespannung an engem Kräizungs-Typ oder Ausarmungs-Typ isoléierten Gate MOSFET, deen just tëscht dem Drain a Quell ofschnëtt. Wéi am 4-25 fir den N-Kanal Tube UGS eng ID Curve gewisen, kann d'Bedeitung vun IDSS an UP verstane ginn
MOSFET véier Regiounen
(3) Opléisung Volt
D'Uschaltspannung UT ass d'Gatespannung an engem verstäerkten isoléierten Gate MOSFET deen d'Inter-Drain-Quell just konduktiv mécht.
(4) Transconductance
D'Transconductance gm ass d'Kontrollfäegkeet vun der Gatequellspannung UGS op der Drainstroum ID, dh d'Verhältnis vun der Verännerung vun der Drainstroum ID zu der Ännerung vun der Gatequellspannung UGS. 9m ass e wichtege Parameter deen d'Verstäerkungsfäegkeet vun derMOSFET.
(5) Drain Quell Decompte Volt
Drain Quell Decompte Volt BUDS bezitt sech op d'Gate Quell Volt UGS bestëmmte, MOSFET normal Operatioun kann déi maximal Drain Quell Volt akzeptéieren. Dëst ass e Limitparameter, bäigefüügt an der MOSFET Betribsspannung muss manner sinn wéi BUDS.
(6) Maximal Power Dissipatioun
Maximal Muecht dissipation PDSM ass och eng Limite Parameter, bezitt sech op deMOSFETLeeschtung verschlechtert net wann déi maximal zulässlech Auswee Quell Muecht dissipation. Wann Dir de MOSFET benotzt, sollt de praktesche Stroumverbrauch manner wéi de PDSM sinn an e gewësse Spillraum verloossen.
(7) Maximum Drain aktuell
Maximum Leckaktuell IDSM ass en anere Limitparameter, bezitt sech op déi normal Operatioun vum MOSFET, d'Leckquell vum maximale Stroum, deen duerch den Operatiounsstroum vum MOSFET passéiert, däerf den IDSM net iwwerschreiden.
MOSFET Operatiounsprinzip
De Betribsprinzip vum MOSFET (N-Channel Enhancement MOSFET) ass VGS ze benotzen fir de Betrag vun der "induktiver Ladung" ze kontrolléieren, fir den Zoustand vum konduktiven Kanal geformt duerch dës "induktiv Ladung" z'änneren an dann den Zweck z'erreechen. der Drain Stroum ze kontrolléieren. Den Zweck ass den Drainstroum ze kontrolléieren. Bei der Fabrikatioun vu Réier, duerch de Prozess fir eng grouss Zuel vu positiven Ionen an der Isoléierschicht ze maachen, sou datt op der anerer Säit vun der Interface méi negativ Ladungen induzéiert kënne ginn, kënnen dës negativ Ladungen induzéiert ginn.
Wann d'Paartspannung ännert, ännert sech och de Betrag vun der Ladung, déi am Kanal induzéiert gëtt, d'Breet vum konduktiven Kanal ännert och, an domat ännert d'Drainstroum ID mat der Gatespannung.
MOSFET Roll
I. MOSFET kann zu amplification applizéiert ginn. Wéinst der héijer Inputimpedanz vum MOSFET Verstärker kann de Kupplungskondensator méi kleng Kapazitéit sinn, ouni d'Benotzung vun elektrolytesche Kondensatoren.
Zweetens, ass déi héich Input Impedanz vum MOSFET ganz gëeegent fir Impedanz Konversioun. Allgemeng a Multi-Stage Verstärker Input Etapp fir Impedanz Konversioun benotzt.
MOSFET kann als variabel resistor benotzt ginn.
Véierten, MOSFET kann einfach als konstante Stroumquell benotzt ginn.
Fënneften, MOSFET kann als elektronesche Schalter benotzt ginn.
Post Zäit: Apr-12-2024
