MOSFETs sinn isoléierend MOSFETs an integréierte Circuiten.MOSFETs, als ee vun de meescht Basisgeräter ander semiconductor Terrain, sinn wäit an Verwaltungsrot-Niveau Circuiten wéi och am IC Design benotzt.Den Drain a Quell vunMOSFETs kann ausgetauscht ginn, a ginn an engem P-Typ Backgate mat enger N-Typ Regioun geformt. Am Allgemengen sinn déi zwou Quellen austauschbar, béid bilden eng N-Typ Regioun amP-Typ Backgate. Am Allgemengen sinn dës zwou Zonen d'selwecht, an och wann dës zwee Sektioune gewiesselt sinn, gëtt d'Performance vum Apparat net beaflosst. Dofir gëtt den Apparat als symmetresch ugesinn.
Prinzip:
MOSFET benotzt VGS fir de Betrag vun der "induzéierter Ladung" ze kontrolléieren fir den Zoustand vum konduktiven Kanal ze änneren, deen duerch dës "induzéiert Ladungen" geformt gëtt, fir den Drainstroum ze kontrolléieren. Wann MOSFETs fabrizéiert ginn, erschéngen eng grouss Zuel vu positiven Ionen an der Isoléierschicht duerch speziell Prozesser, sou datt méi negativ Ladungen op der anerer Säit vum Interface erkannt ginn, an d'N-Regioun vun den héichpermeabele Gëftstoffer ass verbonne mat dës negativ Ladungen, an de konduktiven Kanal gëtt geformt, an e relativ groussen Drainstroum, ID, gëtt generéiert och wann de VGS 0. Wann d'Gatespannung geännert gëtt, ännert d'Quantitéit vun der induzéierter Ladung am Kanal och, an d'Breet. vum konduktiven Kanal ännert sech am selwechte Mooss. Wann d'Paartspannung ännert, wäert d'Quantitéit vun der induzéierter Ladung am Kanal och änneren, an d'Breet am Leedungskanal ännert sech och, sou datt d'Drainstroum ID mat der Gatespannung ännert.
Roll:
1. Et kann op der amplifier Circuit applizéiert ginn. Wéinst der héijer Inputimpedanz vum MOSFET Verstärker kann d'Kapazitéit vun der Kupplung méi kleng sinn an elektrolytesch Kondensatore kënnen net benotzt ginn.
Héich Input Impedanz ass gëeegent fir Impedanz Konversioun. Et gëtt dacks fir Impedanzkonversioun an der Inputstadium vu Multi-Stage Verstärker benotzt.
3, Et kann als variabelen resistor benotzt ginn.
4, kann als elektronesch Schalter benotzt ginn.
MOSFETs ginn elo an enger breet Palette vun Uwendungen benotzt, dorënner Héichfrequenzkäpp an Fernsehapparaten a Schaltkraaftversuergung. Hautdesdaags gi bipolare gewéinlech Transistoren a MOS zesummegesat fir IGBT (isoléiert Gate bipolare Transistor) ze bilden, dee wäit an Héichkraaftberäicher benotzt gëtt, an MOS integréiert Circuits hunn d'Charakteristike vu nidderegen Energieverbrauch, an elo goufen CPUs vill benotzt an MOS Kreesleef.
Post Zäit: Jul-19-2024
