Als ee vun de meescht Basisgeräter am Halbleiterfeld gëtt MOSFET wäit a béid IC Design a Board-Niveau Circuit Uwendungen benotzt. Also wéi vill wësst Dir iwwer déi verschidde Parameteren vum MOSFET? Als Spezialist fir mëttel- an niddereg Volt MOSFETs,Olukeywäert Iech am Detail déi verschidde Parameteren vun MOSFETs erklären!
VDSS maximal Drain-Quell Spannung widderstoen
D'Drain-Quellspannung wann de fléissende Drainstroum e spezifesche Wäert erreecht (scharf eropgeet) ënner enger spezifescher Temperatur a Gate-Source Kuerzschluss. D'Drain-Quell Spannung an dësem Fall gëtt och Lawine Decompte Spannung genannt. VDSS huet e positiven Temperaturkoeffizient. Bei -50°C ass VDSS ongeféier 90% vun deem bei 25°C. Wéinst der Erlaabnis normalerweis lénks an normal Produktioun, der Lawin Decompte Volt vunMOSFETass ëmmer méi grouss wéi déi nominell nominell Spannung.
Dem Olukey seng waarm Erënnerung: Fir d'Zouverlässegkeet vum Produkt ze garantéieren, ënner de schlëmmsten Aarbechtsbedingunge, ass et recommandéiert datt d'Aarbechtsspannung net méi wéi 80 ~ 90% vum bewäerten Wäert däerfte.
VGSS maximal Gate-Quell widderstoen Volt
Et bezitt sech op de VGS Wäert wann de Réckstroum tëscht Paart a Quell staark eropgeet. Iwwerschreiden vun dësem Spannungswäert verursaacht dielektresch Decompte vun der Gateoxidschicht, wat en destruktiven an irreversiblen Decompte ass.
ID maximal Drain-Quellstrom
Et bezitt sech op de maximale Stroum deen tëscht dem Drain an der Quell passéiert wann de Feldeffekttransistor normalerweis funktionnéiert. Den Operatiounsstroum vum MOSFET däerf d'ID net iwwerschreiden. Dëse Parameter wäert erofgoen wann d'Kräiztemperatur eropgeet.
IDM maximal Pulsatiounsperiod drain-Quellstrom
Spigelt den Niveau vum Pulsstrom deen den Apparat handhaben kann. Dëse Parameter wäert erofgoen wéi d'Kräiztemperatur eropgeet. Wann dëse Parameter ze kleng ass, kann de System e Risiko sinn duerch Stroum während OCP Testen ofgebrach ze ginn.
PD maximal Muecht dissipation
Et bezitt sech op déi maximal Drain-Quell-Kraaftdissipatioun erlaabt ouni d'Leeschtung vum Feldeffekttransistor ze verschlechteren. Wann se benotzt ginn, soll den eigentleche Stroumverbrauch vum Feldeffekttransistor manner sinn wéi dee vum PDSM an e gewësse Spillraum hannerloossen. Dëse Parameter reduzéiert allgemeng wéi d'Kräiztemperatur eropgeet.
TJ, TSTG Betribssystemer Temperatur an Stockage Ëmfeld Temperatur Beräich
Dës zwee Parameteren kalibréieren d'Kräiztemperaturberäich erlaabt vum Betribs- a Späicherëmfeld vum Apparat. Dës Temperaturbereich ass agestallt fir de Minimum Operatiounsliewensfuerderunge vum Apparat z'erreechen. Wann den Apparat assuréiert ass an dësem Temperaturbereich ze bedreiwen, gëtt säi Liewensdauer staark verlängert.
Post Zäit: Dez-15-2023
