1, qualitativ UerteelMOSFETgutt oder schlecht
MOSFET Ersatzprinzip a gutt oder schlecht Uerteel, benotzt als éischt de Multimeter R × 10kΩ Block (built-in 9V oder 15V Batterie), den negativen Pen (schwaarz) verbonne mat dem Gate (G), de positive Pen (rout) verbonne mat der Quelle (S). Beim Opluedstatioun tëscht dem Paart a Quell, gëtt de Multimeter-Zeiger liicht ofgeleet. Erëm de Multimeter R × 1Ω Block benotzt, den negativen Pen zum Drain (D), de positive Pen un d'Quell (S), de Multimeter weist de Wäert vun e puer Ohm un, wat beweist datt de MOSFET gutt ass.
2, qualitativ Analyse vun Kräizung MOSFET Elektroden
De Multimeter gëtt op R × 100-Datei gewielt, de roude Pen op all Foussröhre, schwaarze Pen op en aneren, sou datt den drëtte Fouss suspendéiert ass. Wann Dir e liichte Schwenk vun der Meternadel fannt, beweist datt den drëtte Fouss d'Paart ass. Wann Dir méi offensichtlech Resultater wëllt kréien, kënnt Dir och de Kierper no bei oder mat engem Fanger benotze fir de suspendéierte Fouss ze beréieren, soulaang Dir d'Nadel däitlech ofgeleet gesäit, dat heescht, wat weist datt de suspendéierte Fouss fir d'Paart, rescht zwee Féiss fir d'Quell an Drain, respektiv.
Diskriminéierend Grënn:JFETD'Inputresistenz ass méi wéi 100MΩ, an d'Transkonduktioun ass ganz héich, wann de Paart oppe Circuit ass, kann de Raum elektromagnéitescht Feld einfach duerch de Gatespannungssignal induzéiert ginn, sou datt d'Röhre éischter ofschneiden oder tendéiert zu Leedung. Wann de mënschleche Kierper direkt un d'Gate Induktiounsspannung, wéinst dem Input-Interferenzsignal méi staark ass, gëtt dat uewe genannte Phänomen méi offensichtlech. Zum Beispill ass d'Nadel op déi lénks Bias ganz grouss, et heescht datt d'Röhre éischter ofschneiden, Drain-Quellresistenz RDS erhéicht, Drain-Quellstroum reduzéiert IDS. am Géigendeel, d'Nadel op der rietser Säit vun der grousser Ofleenung, datt d'Röhre éischter zu conduction, RDS ↓, IDS ↑. Wéi och ëmmer, wéi eng Richtung d'Meternadel tatsächlech ofleet, sollt duerch d'Polaritéit vun der induzéierter Spannung (Forward oder Reverse Volt) an dem Operatiounspunkt vum Röhre bestëmmt ginn.
Virsiichtsmoosnamen:
D'Testresultater weisen datt wann béid Hänn vun den D- a S-Pole isoléiert sinn an nëmmen de Paart beréiert gëtt, gëtt d'Meternadel allgemeng no lénks ofgeleet. Wéi och ëmmer, wann béid Hänn d'D- an d'S-Pole respektiv beréieren an d'Fangeren d'Paart beréieren, kann d'Meternadel observéiert ginn fir no riets ze béien. De Grond fir dës ass, datt verschidden Deeler vum mënschleche Kierper a Resistenz Viraussetzung derMOSFETan d'Sättigungsregioun.
Crystal Triode PIN Bestëmmung
Triode besteet aus engem Kär (zwee PN-Kräizungen), dräi Elektroden an enger Röhreschuel, déi dräi Elektroden ginn Sammler c, Emitter e, Basis b genannt. Momentan ass d'gemeinsame Triode e Siliziumplanarröhre, deen weider an zwou Kategorien opgedeelt ass: PNP-Typ an NPN-Typ. Germanium Legierung Réier sinn elo rar.
Hei wäerte mir eng einfach Method aféieren fir e Multimeter ze benotzen fir d'Triode Féiss vun der Triode ze moossen.
1, Fannt de Basispol, bestëmmt den Tubetyp (NPN oder PNP)
Fir PNP-Typ Triode, C an E Pole sinn déi positiv Pole vun den zwee PN Kräizungen dobannen, an de B Pol ass säi gemeinsame negativen Pol, während d'NPN-Typ Triode de Géigendeel ass, C an E Pole sinn déi negativ Pole. vun den zwee PN-Kräizungen, an de B-Pol ass säi gemeinsame positiven Pol, an et ass einfach de Basispol an d'Typ vum Röhre ze bestëmmen no de Charakteristiken vum PN-Kräizung seng positiv Resistenz ass kleng, an de Réckresistenz ass grouss . Déi spezifesch Method ass:
Benotzt e Multimeter op R × 100 oder R × 1K Gang. Roude Pen beréiert e PIN, a benotzt dann de schwaarze Pen waren mat den aneren zwee Pins verbonnen, sou datt Dir dräi Gruppen (all Grupp vun zwee) Liesungen kritt, wann ee vun den zwee Sätz vu Liesungen am nidderegen Resistenzwäert vun e puer honnert Ohm, wann d'ëffentlech Pins de roude Pen sinn, ass de Kontakt d'Basis, den Typ vum Transistor vum PNP-Typ; wann déi ëffentlech Pins de schwaarze Pen sinn, ass de Kontakt d'Basis, den Typ vum Transistor vum NPN Typ.
2, identifizéieren den Emitter a Sammler
Als Triode Produktioun, zwee P Beräich oder zwee N Beräich bannent der Doping Konzentratioun ass anescht, wann de richtege Verstärker, der Triode huet eng staark Verstäerkung, a vice versa, mat der falscher Verstäerker, der Verstäerker Verstäerkung vun enger grousser Zuel vu ganz schwaach. , also d'Triode mam richtege Verstärker, d'Triode mam falschen Verstärker, et gëtt e groussen Ënnerscheed.
No der Identifikatioun vun der Rouer Typ a Basis b, de Sammelstécker an Emitter kann op déi folgend Manéier identifizéiert ginn. Wielt de Multimeter op andeems Dir R x 1K dréckt. Kneipt d'Basis an den anere Pin zesummen mat béiden Hänn (passt op, datt d'Elektroden net direkt an de Kontakt kommen). Fir d'Miessphänomen offensichtlech ze maachen, naass Är Fanger, knipst de roude Stëft mat der Basis, knipst de schwaarze Bleistift mat deem anere PIN, a kuckt op d'Gréisst vum richtege Schwéngung vum Multimeterzeiger. Als nächst, passen déi zwee Pins un, widderhuelen déi uewe genannte Miessschrëtt. Vergläicht d'Amplitude vun der Nadelschwéngung an den zwou Miessunge a fënnt den Deel mat méi grousse Schwong eraus. Fir PNP-Typ Transistoren, verbënnt de schwaarze Pen un de Pin an d'Basis Pinch zesummen, widderhuelen déi uewe genannte Experimenter fir erauszefannen wou d'Nadel Schwéngungsamplitude méi grouss ass, fir den NPN-Typ ass de schwaarze Pen mat der Basis verbonnen, de roude Pen ass mat der Emitter verbonnen. Am PNP Typ ass de roude Pen un de Sammler verbonnen, de schwaarze Pen ass mam Emitter verbonnen.
De Prinzip vun dëser Identifikatiounsmethod ass d'Batterie am Multimeter ze benotzen, d'Spannung gëtt un de Sammler an den Emitter vum Transistor bäigefüügt, sou datt et d'Fäegkeet huet ze verstäerken. Hand knipst seng Basis, Sammler, gläich wéi d'Resistenz duerch d'Hand op d'Triode plus e positiven Biasstroum, sou datt et féiert, zu dëser Zäit d'Gréisst vun der Meternadel, déi no riets schwéngt, reflektéiert seng Verstärkungsfäegkeet, sou datt Dir richteg kënnt bestëmmen der Plaz vun der emitter, Sammler.
Post Zäit: Apr-21-2024
