Als ee vun de meescht Basisgeräter am Halbleiterfeld gi MOSFETs vill a béid IC Design a Board-Level Circuits benotzt. Am Moment, besonnesch am Beräich vun High-Power Halbleiter, spillen eng Vielfalt vu verschiddene Strukture vu MOSFETs och eng irreplaceable Roll. FirMOSFETs, D'Struktur vun deem kann gesot ginn, datt e Set vun einfachen a komplexen an engem ass, einfach ass einfach a senger Struktur, komplex baséiert op der Uwendung vu senger detailléierter Iwwerleeung. Am Alldag,MOSFET Hëtzt ass och eng ganz gemeinsam Situatioun considéréiert, de Schlëssel musse mir d'Grënn vun wou wëssen, a wéi eng Methode geléist ginn? Als nächst loosst eis zesumme kommen fir ze verstoen.
I. Ursaachen vunMOSFET Heizung
1, de Problem vum Circuit Design. Et ass fir de MOSFET am Online-Staat ze schaffen, net am Schaltzoustand. Dëst ass ee vun de Grënn firwat de MOSFET waarm gëtt. Wann den N-MOS de Wiessel mécht, muss d'G-Niveau Spannung e puer V méi héich sinn wéi d'Energieversuergung fir voll op ze sinn, an de Géigendeel ass wouer fir de P-MOS. Net voll oppen an de Spannungsfall ass ze grouss, wat zu Stroumverbrauch resultéiert, déi gläichwäerteg DC Impedanz ass relativ grouss, de Spannungsfall erhéicht, sou datt U * I och eropgeet, de Verloscht bedeit Hëtzt.
2, d'Frequenz ass ze héich. Haaptsächlech heiansdo ze vill fir de Volume, wat zu enger erhéiter Frequenz resultéiert, MOSFET Verloschter op der Erhéijung, wat och zu MOSFET Heizung féiert.
3, de Stroum ass ze héich. Wann d'ID manner wéi de maximale Stroum ass, féiert et och datt de MOSFET ophëtzt.
4, ass d'Wiel vum MOSFET Modell falsch. Déi intern Resistenz vum MOSFET gëtt net voll berücksichtegt, wat zu enger verstäerkter Schaltimpedanz resultéiert.ech,
D'Léisung fir déi schwéier Hëtztgeneratioun vum MOSFET
1, Maacht eng gutt Aarbecht iwwer den Heizkierper Design vum MOSFET.
2, Füügt genuch Hëllef Heizkierper.
3, Paste de Heizkierper Klebstoff.
Post Zäit: Mee-19-2024
