De Choix vunMOSFETass ganz wichteg, eng schlecht Wiel kann d'Kraaftverbrauch vum ganze Circuit beaflossen, d'Nuancen vu verschiddene MOSFET Komponenten a Parameteren a verschiddene Schaltkreesser beherrschen kënnen Ingenieuren hëllefen vill Probleemer ze vermeiden, déi folgend sinn e puer Empfehlungen vum Guanhua Weiye fir d'Auswiel vu MOSFETs.
Éischt, P-Kanal an N-Kanal
Den éischte Schrëtt ass d'Benotzung vun N-Kanal oder P-Kanal MOSFETs ze bestëmmen. an Muecht Uwendungen, wann e MOSFET Buedem, an d'Laascht ass un de Kofferraum Volt verbonnen, derMOSFETstellt eng niddereg-Volt Säit schalt. Beim Nidderspannungssäitschalten ginn N-Kanal MOSFETs allgemeng benotzt, wat e Berücksichtegung fir d'Spannung ass fir den Apparat auszeschalten oder auszeschalten. Wann de MOSFET un de Bus a Laaschtbunn ugeschloss ass, gëtt en Héichspannungssäitschalter benotzt. P-Kanal MOSFETs ginn normalerweis benotzt, wéinst Spannungsfuerer Iwwerleeungen. Fir déi richteg Komponente fir d'Applikatioun ze wielen, ass et wichteg d'Spannung ze bestëmmen déi néideg ass fir den Apparat ze fueren a wéi einfach et ass am Design ëmzesetzen. De nächste Schrëtt ass déi erfuerderlech Spannungsbewäertung ze bestëmmen, oder déi maximal Spannung déi de Komponent droe kann. Wat méi héich ass d'Spannungsbewäertung, dest méi héich d'Käschte vum Apparat. An der Praxis soll d'Spannungsbewäertung méi grouss sinn wéi d'Trunk- oder Busspannung. Dëst wäert genuch Schutz ubidden fir datt de MOSFET net fällt. Fir MOSFET Selektioun ass et wichteg déi maximal Spannung ze bestëmmen déi vun Drain bis Quell widderstoen kann, dh de Maximum VDS, also ass et wichteg ze wëssen datt déi maximal Spannung déi de MOSFET widderstoen kann mat der Temperatur variéiert. Designer mussen d'Spannungsbereich iwwer de ganze Betribstemperaturberäich testen. Déi bewäert Spannung muss genuch Spillraum hunn fir dëse Beräich ze decken fir sécherzestellen datt de Circuit net fällt. Zousätzlech mussen aner Sécherheetsfaktoren als induzéiert Spannungstransienten ugesi ginn.
Zweetens, bestëmmen déi aktuell Bewäertung
Déi aktuell Bewäertung vum MOSFET hänkt vun der Circuitstruktur of. Déi aktuell Bewäertung ass de maximale Stroum deen d'Laascht ënner all Ëmstänn widderstoen kann. Ähnlech wéi de Spannungsfall muss den Designer suergen datt de gewielte MOSFET fäeg ass dëse bewäerte Stroum ze droen, och wann de System e Spikestroum generéiert. Déi zwee aktuell Szenarie fir ze berücksichtegen sinn kontinuéierleche Modus a Pulsspikes. de MOSFET ass an engem stännegen Zoustand am kontinuéierleche Leedungsmodus, wann de Stroum kontinuéierlech duerch den Apparat passéiert. Puls-Spikes bezéien sech op eng grouss Zuel vu Stroum (oder Spikes vum Stroum), déi duerch den Apparat fléissen, an deem Fall, wann de maximale Stroum bestëmmt ass, ass et einfach eng Saach direkt en Apparat ze wielen deen dëse maximale Stroum widderstoen kann.
Nodeems Dir de bewäerte Stroum gewielt hutt, gëtt och de Leedungsverloscht berechent. A spezifesche Fäll,MOSFETsinn net ideal Komponente wéinst den elektresche Verloschter, déi während dem konduktiven Prozess optrieden, déi sougenannte Leitungsverloschter. Wann "on" handelt de MOSFET als variabelen Widderstand, deen duerch den RDS (ON) vum Apparat bestëmmt gëtt a wesentlech mat der Temperatur ännert. De Stroumverloscht vum Apparat kann aus Iload2 x RDS (ON) berechent ginn, a well d'On-Resistenz mat der Temperatur variéiert, schwankt de Stroumverloscht proportional. Wat méi héich d'Spannung VGS op de MOSFET applizéiert gëtt, wat méi niddereg ass den RDS(ON); Ëmgekéiert, wat méi héich ass den RDS(ON). Fir de Systemdesigner, dëst ass wou d'Ofdreiwungen an d'Spill kommen ofhängeg vun der Systemspannung. Fir portable Designen si méi niddereg Spannungen méi einfach (a méi heefeg), wärend fir industriell Designen méi héich Spannungen kënne benotzt ginn. Notéiert datt d'RDS(ON) Resistenz liicht mat Stroum eropgeet.
Technologie huet en enormen Impakt op Komponenteigenschaften, an e puer Technologien tendéieren zu enger Erhéijung vum RDS (ON) wann Dir de maximalen VDS erhéijen. Fir esou Technologien ass eng Erhéijung vun der Wafergréisst erfuerderlech wann VDS an RDS(ON) erofgesat ginn, sou datt d'Packagegréisst eropgeet, déi mat him geet an déi entspriechend Entwécklungskäschte. Et ginn eng Zuel vun Technologien an der Industrie, déi probéieren d'Erhéijung vun der Wafergréisst ze kontrolléieren, déi wichtegst vun deenen Trench- a Chargebalance Technologien sinn. An der Trenchtechnologie ass eng déif Trench am Wafer agebonnen, normalerweis reservéiert fir niddereg Spannungen, fir d'On-Resistenz RDS (ON) ze reduzéieren.
III. Bestëmmt d'Hëtztvergëftungsfuerderunge
De nächste Schrëtt ass d'thermesch Ufuerderunge vum System ze berechnen. Zwee verschidde Szenarie musse berücksichtegt ginn, de schlëmmste Fall an de richtege Fall. TPV recommandéiert d'Resultater fir de schlëmmste Fall Szenario ze berechnen, well dës Berechnung eng méi grouss Sécherheetsmarge gëtt a garantéiert datt de System net fällt.
IV. Wiessel Leeschtung
Endlech d'Schaltleeschtung vum MOSFET. Et gi vill Parameteren déi d'Schaltleeschtung beaflossen, déi wichteg sinn Gate / Drain, Gate / Quell an Drain / Quell Kapazitéit. Dës Kapazitéite bilden Schaltverloschter an der Komponente wéinst der Bedierfnes fir se ze laden all Kéier wann se geschalt ginn. Als Resultat fällt d'Schaltgeschwindegkeet vum MOSFET erof an d'Effizienz vum Apparat reduzéiert. Fir d'Gesamtverloschter am Apparat beim Schalten ze berechnen, muss den Designer d'Verloschter beim Ausschalten (Eon) an d'Verloschter beim Ausschalten (Eoff) berechnen. Dëst kann duerch déi folgend Equatioun ausgedréckt ginn: Psw = (Eon + Eoff) x Schaltfrequenz. A Gate charge (Qgd) huet de gréissten Impakt op schalt Leeschtung.
Post Zäit: Apr-22-2024
