Metal-Oxid-SemiConductor Struktur vum Kristalltransistor allgemeng bekannt alsMOSFET, wou MOSFETs opgedeelt sinn an P-Typ MOSFETs an N-Typ MOSFETs. Déi integréiert Kreesleef aus MOSFETs ginn och MOSFET integréiert Kreesleef genannt, an déi enk verbonne MOSFET integréiert Kreesleef besteet aus PMOSFETs anNMOSFETs ginn CMOSFET integréiert Kreesleef genannt.
E MOSFET besteet aus engem p-Typ Substrat an zwee n-Verbreedungsberäicher mat héije Konzentratiounswäerter gëtt en n-Kanal genanntMOSFET, an de konduktiven Kanal, deen duerch en n-Typ konduktiven Kanal verursaacht gëtt, gëtt vun den n-Verbreedungsweeër an den zwee n-Verbreedungsweeër mat héije Konzentratiounswäerter verursaacht wann d'Röhre féiert. n-Kanal verdickte MOSFETs hunn den n-Kanal verursaacht duerch e konduktiven Kanal wann eng positiv Richtungsbias sou vill wéi méiglech um Paart erhéicht gëtt an nëmmen wann d'Gatequelloperatioun eng Operatiounsspannung erfuerdert déi d'Schwellspannung iwwerschreift. n-Kanal Ausschöpfung MOSFETs sinn déi, déi net prett fir de Gate Volt sinn (Gate Quell Operatioun verlaangt eng Betribssystemer Volt vun null). En n-Kanal Liichtverschmotzung MOSFET ass en n-Kanal MOSFET an deem de konduktiven Kanal verursaacht gëtt wann d'Gatespannung (d'Gatequellbetriebsanforderungsbedéngungsspannung Null ass) net virbereet ass.
NMOSFET integréiert Circuiten sinn N-Kanal MOSFET Stroumversuergungskrees, NMOSFET integréiert Circuiten, d'Inputresistenz ass ganz héich, déi grouss Majoritéit muss d'Absorptioun vum Stroumfluss net verdauen, an doduerch CMOSFET an NMOSFET integréiert Circuiten verbonne sinn ouni ze huelen an Rechnung der Belaaschtung vun Muecht Flux.NMOSFET integréiert Kreesleef, der grousser Majoritéit vun der Auswiel vun engem eenzege-Grupp positive schalt Energieversuergung Circuit Energieversuergung Circuit D'Majoritéit vun NMOSFET integréiert Kreesleef benotzen eng eenzeg positiv schalt Muecht Ëmgeréits Circuit Stroumversuergung Circuit, an ze 9V fir méi. CMOSFET integréiert Kreesleef brauchen nëmmen déi selwecht schalt Muecht Ëmgeréits Circuit Energieversuergung Circuit als NMOSFET integréiert Kreesleef ze benotzen, kann direkt mat NMOSFET integréiert Kreesleef verbonne ginn. Wéi och ëmmer, vun NMOSFET op CMOSFET direkt ugeschloss, well d'NMOSFET Ausgang Pull-Up Resistenz manner ass wéi de CMOSFET integréierte Circuit geschlësselte Pull-up Resistenz, also probéiert e potenziellen Ënnerscheed Pull-Up Resistor R z'applizéieren, de Wäert vum Widderstand R ass allgemeng 2 bis 100KΩ.
Bau vun N-Kanal thickened MOSFETs
Op engem P-Typ Siliziumsubstrat mat engem nidderegen Dopingkonzentratiounswäert ginn zwou N Regiounen mat engem héije Dopingkonzentratiounswäert gemaach, an zwou Elektroden ginn aus Aluminiummetall gezunn fir als Drain d an d'Quell s ze déngen.
Dann an der semiconductor Komponent Uewerfläch maskéiert eng ganz dënn Layer vun Silica isoléierend Rouer, am Drain - Quelle isoléierend Rouer tëscht dem Drain an der Quell vun enger anerer Aluminiumelektrode, wéi d'Gate g.
Am Substrat féiert och eng Elektrode B eraus, déi aus engem N-Kanal décke MOSFET besteet. MOSFET Quell a Substrat sinn allgemeng matenee verbonnen, déi grouss Majoritéit vun der Päif an der Fabrik ass laang domat verbonnen, säi Paart an aner Elektroden sinn tëscht dem Gehäuse isoléiert.
Post Zäit: Mee-26-2024
