MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ginn dacks als voll kontrolléiert Geräter ugesinn. Dëst ass well den Operatiounszoustand (on oder aus) vum MOSFET komplett vun der Gatespannung (Vgs) kontrolléiert gëtt an net vun der Basisstroum hänkt wéi am Fall vun engem bipolare Transistor (BJT).
An engem MOSFET bestëmmt d'Gatespannung Vgs ob e Leedungskanal tëscht der Quell an Drain geformt gëtt, souwéi d'Breet an d'Konduktivitéit vum Leedungskanal. Wann Vgs d'Schwellspannung Vt iwwerschreift, gëtt de Leedungskanal geformt an de MOSFET geet an den On-State; wann Vgs ënner Vt fällt, verschwënnt de Leedungskanal an de MOSFET ass am ofgeschniddene Staat. Dës Kontroll ass voll kontrolléiert well d'Gatespannung onofhängeg a präzis den Operatiounszoustand vum MOSFET kontrolléiere kann ouni op aner Stroum- oder Spannungsparameter ze vertrauen.
Am Géigesaz, ass den Operatiounszoustand vun hallefkontrolléierten Apparater (zB Thyristoren) net nëmmen vun der Kontrollspannung oder Stroum beaflosst, awer och vun anere Faktoren (zB Anodenspannung, Stroum, etc.). Als Resultat bidden voll kontrolléiert Geräter (zB MOSFETs) normalerweis besser Leeschtung a punkto Kontrollgenauegkeet a Flexibilitéit.
Zesummegefaasst sinn MOSFETs voll kontrolléiert Geräter deenen hiren Operatiounszoustand komplett vun der Gatespannung kontrolléiert gëtt, an d'Virdeeler vun héijer Präzisioun, héijer Flexibilitéit an nidderegen Energieverbrauch hunn.
Post Zäit: Sep-20-2024
