Hautdesdaags, mat der rapider Entwécklung vu Wëssenschaft an Technologie, ginn Hallefleit a méi a méi Industrien benotzt, an deenen deMOSFET gëtt och als e ganz allgemengt Hallefleitgerät ugesinn, de nächste Schrëtt ass ze verstoen wat den Ënnerscheed tëscht de Charakteristiken vum bipolare Kraaftkristalltransistor an der Ausgangskraaft MOSFET ass.
1, de Wee vun Aarbecht
MOSFET ass d'Aarbecht néideg der Betribssystemer Volt ze förderen, Circuit Diagrammer erklären relativ einfach, förderen der Muecht vun kleng; Kraaft Kristalltransistor ass e Stroumfloss fir de Programmdesign ze förderen ass méi komplex, fir d'Spezifikatioun vun der Wiel vun schwéier ze förderen d'Spezifikatioun ze förderen wäert d'Energieversuergung total Schaltgeschwindegkeet a Gefor bréngen.
2, déi total Schaltgeschwindegkeet vun der Energieversuergung
MOSFET vun der Temperatur beaflosst ass kleng, d'Energieversuergung schalt Ausgangskraaft kann suergen datt méi wéi 150KHz; Kraaft Kristalltransistor huet e ganz wéineg gratis Ladungsspeicherzäit limitéiert seng Stroumversuergungsschaltgeschwindegkeet, awer seng Ausgangskraaft ass allgemeng net méi wéi 50KHz.
3, Sécher Aarbechtsberäich
Power MOSFET huet keng sekundär Basis, an déi sécher Aarbechtsberäich ass breet; Kraaftkristalltransistor huet eng sekundär Basissituatioun, déi de séchere Aarbechtsberäich limitéiert.
4, Elektresch Dirigent schaffen Noutwendegkeete schaffen Volt
MuechtMOSFET gehéiert zu der Héichspannungstyp, d'Leedungsbedarf Aarbechtsspannung ass méi héich, et gëtt e positiven Temperaturkoeffizient; Kraaft Kristalltransistor egal wéi vill Geld resistent ass géint d'Aarbechtsbedéngung Aarbechtsspannung, den elektresche Dirigent Aarbechtsbedarf Aarbechtsspannung ass méi niddereg, an huet en negativen Temperaturkoeffizient.
5, déi maximal Muecht Flux
Power MOSFET am Wiessel Muecht Ëmgeréits Circuit Energieversuergung Circuit Circuit Energieversuergung Circuit als Energieversuergung schalt, an Operatioun a stabil Aarbecht an der Mëtt, déi maximal Muecht Flux ass manner; a Kraaftkristalltransistor an der Operatioun a stabiler Aarbecht an der Mëtt, ass de maximale Kraaftfluss méi héich.
6, Produit Käschten
D'Käschte vun der Muecht MOSFET ass liicht méi héich; d'Käschte vun der Muecht Kristallsglas produzéiert Triode liicht manner.
7, Penetratioun Effekt
Power MOSFET huet keen Pénétratiounseffekt; Kraaftkristalltransistor huet Pénétratiounseffekt.
8, Wiessel Verloscht
MOSFET Schaltverloscht ass net grouss; Kraaftkristalltransistor-Schaltverloscht ass relativ grouss.
Zousätzlech, déi grouss Majoritéit vun Muecht MOSFET integréiert Schock absorbéierend Diode, iwwerdeems de bipolare Kraaft Kristallsglas produzéiert Transistor bal keng integréiert Schock absorbéierend diode.MOSFET Schock absorbéierend Diode kann och eng universell Magnéit fir Wiessel Muecht Energieversuergung Kreesleef Magnéit coils ginn der Muecht Faktor Wénkel ginn vun der Muecht Flux Sécherheet Kanal. Feld Effekt Rouer am Schock absorbéierend Diode am ganze Prozess vun auszeschalten mat der allgemeng Diode wéi d'Existenz vun ëmgedréint Erhuelung aktuell Flux, op dëser Zäit d'Diode op der engersäits d'Drain opzehuelen - Quelltext Pole positiv Mëtt vun engem substantiell Erhéijung vun den Aarbechtsfuerderunge vun der Betribsspannung, op der anerer Säit, an de Reverse Erhuelungsstroumfloss.
Post Zäit: Mee-24-2024
