Kleng Volt MOSFET Auswiel ass e ganz wichtege Bestanddeel vun derMOSFETD'Auswiel ass net gutt, kann d'Effizienz an d'Käschte vum ganze Circuit beaflossen, awer och vill Ierger fir d'Ingenieuren bréngen, wéi Dir de MOSFET richteg auswielen?
Wiel vun engem N-Kanal oder P-Kanal Den éischte Schrëtt fir de richtegen Apparat fir en Design ze wielen ass ze entscheeden ob en N-Kanal oder P-Kanal MOSFET benotzt. de MOSFET ass Buedem an d'Laascht ass mat der Trunkspannung ugeschloss. An engem niddereg Volt Säit Schalter soll en N-Kanal MOSFET benotzt ginn wéinst der Iwwerleeung vun der Spannung néideg fir den Apparat auszeschalten oder auszeschalten.
Wann de MOSFET mam Bus ugeschloss ass an d'Laascht gegrënnt ass, soll den Héichspannungssäitschalter benotzt ginn. P-Kanal MOSFETs sinn normalerweis an dëser Topologie benotzt, erëm fir Volt fueren Considératiounen. Bestëmmt déi aktuell Bewäertung. Wielt déi aktuell Bewäertung vum MOSFET. Ofhängeg vun der Circuitstruktur, soll dës aktuell Bewäertung de maximale Stroum sinn, deen d'Laascht ënner all Ëmstänn widderstoen kann.
Ähnlech wéi de Fall vun der Spannung, muss den Designer suergen datt de gewielteMOSFETkann dës aktuell Bewäertung widderstoen, och wann de System Spikestroum generéiert. Déi zwee aktuell Fäll fir ze berücksichtegen sinn kontinuéierlech Modus a Pulsspikes. Am kontinuéierleche Leedungsmodus ass de MOSFET a stännegen Zoustand, wann de Stroum kontinuéierlech duerch den Apparat passéiert.
Puls Spikes sinn wann et grouss Iwwerschwemmungen (oder Spikes vum Stroum) duerch den Apparat fléisst. Wann de maximale Stroum ënner dëse Bedéngungen bestëmmt ass, ass et einfach eng Saach direkt en Apparat ze wielen deen dëse maximale Stroum widderstoen kann. Bestëmmung vun der thermescher Ufuerderunge Wiel vun engem MOSFET erfuerdert och d'Berechnung vun den thermesche Ufuerderunge vum System. Den Designer muss zwee verschidde Szenarie berücksichtegen, de schlëmmste Fall an de richtege Fall. Et ass recommandéiert déi schlëmmste Fall Berechnung ze benotzen well et e méi grousse Sécherheetsmarge gëtt a garantéiert datt de System net fällt. Et ginn och e puer Miessunge bewosst op der MOSFET Dateblatt; sou wéi d'thermesch Resistenz tëscht der Hallefleitverbindung vum Packageapparat an der Ëmwelt, an der maximaler Kräizungstemperatur. D'Entscheedung iwwer d'Schaltleistung, de leschte Schrëtt bei der Auswiel vun engem MOSFET ass d'Entscheedung iwwer d'Schaltleistung vun derMOSFET.
Et gi vill Parameteren déi d'Schaltleeschtung beaflossen, awer déi wichtegst sinn Gate / Drain, Gate / Quell an Drain / Quell Kapazitéit. Dës Kapazitéite kreéieren Schaltverloschter am Apparat well se während all Wiessel gelueden musse ginn. d'Schaltgeschwindegkeet vum MOSFET gëtt dofir reduzéiert an d'Effizienz vum Apparat fällt erof. Fir d'total Apparatverloschter beim Schalten ze berechnen, muss den Designer d'Turn-on Verloschter (Eon) an d'Ausschaltverloschter berechnen.
Wann de Wäert vun vGS kleng ass, ass d'Fähegkeet Elektronen ze absorbéieren net staark, Auswee - Quell tëscht dem nach kee conductive Kanal presentéiert, vGS Erhéijung, absorbéiert an der P Substrat baussenzegen Uewerfläch Layer vun Elektronen op der Erhéijung, wann de vGS erreecht eng bestëmmte Wäert, dës Elektronen am Paart no bei der P Substrat Erscheinung bilden eng dënn Schicht vun N-Typ, a mat deenen zwee N + Zone verbonne Wann vGS e bestëmmte Wäert erreecht, wäerten dës Elektronen am Paart bei der P Substrat Erscheinung eng N-Typ dënn Layer, a verbonne mat den zwee N + Regioun, am Drain - Quell bilden N-Typ konduktiv Kanal, seng konduktiv Aart an de Géigendeel vum P Substrat, déi d'Anti-Typ Schicht ausmécht. vGS ass méi grouss, d'Roll vun der Halbleiter Erscheinung vum méi staarken elektresche Feld, d'Absorptioun vun Elektronen no baussen vum P Substrat, wat méi de konduktiven Kanal méi déck ass, wat de Kanalresistenz manner ass. Dat ass, N-Kanal MOSFET a vGS <VT, kann net e konduktiven Kanal bilden, de Röhre ass am Ausschnëttszoustand. Soulaang wéi wann vGS ≥ VT, nëmmen wann de Kanal Zesummesetzung. Nodeems de Kanal konstituéiert ass, gëtt en Drainstroum generéiert andeems en Forward Volt vDS tëscht der Drain - Quell bäigefüügt gëtt.
Awer Vgs geet weider erop, loosst eis soen IRFPS40N60KVgs = 100V wann Vds = 0 a Vds = 400V, zwee Konditiounen, d'Röhrfunktioun fir ze bréngen wat Effekt, wann se verbrannt sinn, d'Ursaach an den internen Mechanismus vum Prozess ass wéi Vgs Erhéijung wäert reduzéieren Rds (on) reduzéieren Schaltverloschter, awer gläichzäiteg wäert de Qg erhéijen, sou datt de Turn-on Verloscht méi grouss gëtt, wat d'Effizienz vun der MOSFET GS Spannung beaflosst duerch Vgg op Cgs Laden an eropgoen, ukomm bei der Ënnerhaltspannung Vth , MOSFET ufänken konduktiv; MOSFET DS aktuell Erhéijung, Millier capacitance am Intervall wéinst der Offlossquantitéit vun DS capacitance an Offlossquantitéit, GS capacitance Opluedstatiounen huet net vill Impakt; Qg = Cgs * Vgs, mä de charge wäert weider opbauen.
D'DS Spannung vum MOSFET fällt op déiselwecht Spannung wéi Vgs, d'Millier Kapazitéit klëmmt staark, d'extern Fuerspannung stoppt d'Millier Kapazitéit ze laden, d'Spannung vun der GS Kapazitéit bleift onverännert, d'Spannung op der Millier Kapazitéit klëmmt, wärend d'Spannung op der DS capacitance weider erofgoen; d'DS Spannung vum MOSFET fällt op d'Spannung bei gesättigte Leitung, d'Millier Kapazitéit gëtt méi kleng D'DS Spannung vum MOSFET fällt op d'Spannung bei der Sättigungsleitung, d'Millier Kapazitéit gëtt méi kleng a gëtt zesumme mat der GS Kapazitéit vum externen Drive gelueden Spannung, an d'Spannung op der GS Kapazitéit klëmmt; d'Spannungsmiessungskanäl sinn déi Haushalter 3D01, 4D01, an Nissan 3SK Serie.
G-Pol (Gate) Bestëmmung: benotzt d'Diode Gang vum Multimeter. Wann e Fouss an déi aner zwee Féiss tëscht dem positiven an negativen Spannungsfall méi grouss sinn wéi 2V, dat heescht den Display "1", ass dëse Fouss d'Paart G. An da tauscht de Pen fir de Rescht vun den zwee Féiss ze moossen, de Spannungsfall ass déi Zäit kleng, de schwaarze Pen ass un den D-Pol (Drain) verbonnen, de roude Pen ass mam S-Pol (Quell) verbonnen.
Post Zäit: Apr-26-2024
