Wéi funktionnéieren MOSFETs?

1, MOSFETAféierung

FieldEffect Transistor Abbreviation (FET)) Titel MOSFET. vun enger klenger Unzuel vun Träger fir un der Wärmeleitung deelzehuelen, och bekannt als Multi-Pol Transistor. Et gehéiert zu Spannungsmastering Typ semi-Superconductor Mechanismus. Et ginn Ausgangsresistenz ass héich (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), niddereg Kaméidi, niddereg Muecht Konsum, statesch Gamme, einfach ze integréieren, keen zweeten Decompte Phänomen, der Versécherung Aufgab vum Mier breet an aner Virdeeler, huet elo geännert de bipolare Transistor a Kraaftverbindungstransistor vun de staarke Kollaborateuren.

 

2, MOSFET Charakteristiken

1, MOSFET ass e Volt Kontroll Apparat, et duerch d'VGS (Gate Quell Volt) Kontroll ID (drain DC);

2, MOSFET anAusgangs DC Pol ass kleng, sou datt d'Ausgangsresistenz grouss ass.

3, et ass d'Applikatioun vun enger klenger Unzuel vun Träger fir Hëtzt ze féieren, sou datt hien e bessere Mooss vu Stabilitéit huet;

4, et besteet aus der Reduktioun Wee vun der elektresch Reduktioun Koeffizient ass méi kleng wéi d'Triode besteet aus der Reduktioun Wee vun der Reduktioun Koeffizient;

5, MOSFET Anti-Bestrahlungsfäegkeet;

6, wéinst der Fehlen vun enger fehlerhafter Aktivitéit vun der Oligon-Dispersioun verursaacht duerch verspreet Partikele vu Kaméidi, sou datt de Kaméidi niddereg ass.

 

3, MOSFET Aufgab Prinzip

MOSFET anBetribsprinzip an engem Saz, ass "drain - Quell tëscht der ID, déi duerch de Kanal fir d'Paart fléisst an de Kanal tëscht dem pn-Kräizung geformt duerch d'Reverse Bias vun der Gatespannungsmaster ID", fir präzis ze sinn, ID fléisst duerch d'Breet vum Wee, dat ass, de Kanal Querschnitt Beräich, ass d'Ännerung vun der ëmgedréint Viraussetzung vun der pn Kräizung, déi produzéiert eng Ausschlag Layer De Grond fir d'verlängert Variatioun Kontroll. Am net-saturéierte Mier vu VGS=0, well d'Expansioun vun der Iwwergangsschicht net ganz grouss ass, laut dem Zousatz vum Magnéitfeld vu VDS tëscht der Drain-Quell, ginn e puer Elektronen am Quellsee vun der drain, Ee, et gëtt eng DC ID Aktivitéit aus dem Drain op d'Quell. D'moderéiert Layer vun der Paart op d'Drain vergréissert mécht e ganze Kierper vun der Kanal Form eng Spär Typ, ID voll. Nennt dës Form eng Prise-off. Symboliséiert d'Iwwergangsschicht op de Kanal vun enger ganzer Obstruktioun, anstatt DC Kraaft gëtt ofgeschnidden.

 

Well et keng fräi Bewegung vun Elektronen a Lächer an der Iwwergangsschicht ass, huet et bal isoléierend Eegeschaften an der idealer Form, an et ass schwéier fir den allgemenge Stroum ze fléien. Mä dann d'elektrescht Feld tëscht dem Drain - Quell, tatsächlech, déi zwee Transitioun Layer Kontakt Drain an Gate Pole bei den ënneschten Deel, well d'Drift elektrescht Feld zitt der Héich-Vitesse Elektronen duerch d'Transitioun Layer. D'Intensitéit vum Driftfeld ass bal konstant a produzéiert d'Fülle vun der ID Szen.

 

De Circuit benotzt eng Kombinatioun vun engem verstäerkte P-Kanal MOSFET an engem verstäerkte N-Kanal MOSFET. Wann den Input niddereg ass, féiert de P-Kanal MOSFET an den Ausgang ass mat dem positiven Terminal vun der Energieversuergung verbonnen. Wann den Input héich ass, féiert den N-Kanal MOSFET an den Ausgang ass mat dem Stroumversuergungsgrond verbonnen. An dësem Circuit funktionnéieren de P-Kanal MOSFET an den N-Kanal MOSFET ëmmer an entgéintgesate Staaten, mat hire Phasen-Inputen an Ausgänge ëmgedréint.