MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) huet dräi Pole déi sinn:
Gate:G, de Paart vun engem MOSFET ass gläichwäerteg mat der Basis vun engem bipolare Transistor a gëtt benotzt fir d'Leedung an d'Ofschneiden vum MOSFET ze kontrolléieren. A MOSFETs bestëmmt d'Gatespannung (Vgs) ob e konduktiven Kanal tëscht der Quell an Drain geformt gëtt, souwéi d'Breet an d'Konduktivitéit vum konduktiven Kanal. D'Paart ass aus Materialien wéi Metall, Polysilicon, asw., a gëtt vun enger Isoléierschicht ëmginn (normalerweis Siliziumdioxid) fir ze verhënneren datt de Stroum direkt an oder aus dem Paart fléisst.
Quell:S, d'Quell vun engem MOSFET entsprécht dem Emitter vun engem bipolare Transistor an ass wou de Stroum fléisst. An N-Kanal MOSFETs ass d'Quell normalerweis mam negativen Terminal (oder Buedem) vun der Energieversuergung verbonnen, wärend an P-Kanal MOSFETs ass d'Quell un de positiven Terminal vun der Energieversuergung verbonnen. D'Quell ass ee vun de Schlësseldeeler déi de Leedungskanal bilden, deen Elektronen (N-Kanal) oder Lächer (P-Kanal) an den Drain schéckt wann d'Paartspannung héich genuch ass.
Drain:D, den Drain vun engem MOSFET entsprécht dem Sammler vun engem bipolare Transistor an ass wou de Stroum fléisst. Den Drain ass normalerweis mat der Belaaschtung ugeschloss an wierkt als Stroumausgang am Circuit. An engem MOSFET ass den Drain den aneren Enn vum konduktiven Kanal, a wann d'Paartspannung d'Bildung vun engem konduktiven Kanal tëscht der Quell an dem Drain kontrolléiert, kann de Stroum vun der Quell duerch de konduktiven Kanal an den Drain fléissen.
An enger Nossschuel, de Paart vun engem MOSFET gëtt benotzt fir un an auszeschalten, d'Quell ass wou de Stroum erausgeet, an d'Drain ass wou de Stroum fléisst. Zesumme bestëmmen dës dräi Pole den Operatiounszoustand an d'Leeschtung vum MOSFET .
Post Zäit: Sep-26-2024
