MuechtMOSFET ass eng relativ vill voorkomende Klass vun Ernährungsapparaten, "MOSFET" ass de englesche "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" Ofkierzung. Et gëtt fir d'Kraaft-Eindtrap-Apparat benotzt, de Schlëssel duerch d'Metalmaterial, SiO2 vu SiN an hallefgeleidermaterialien vun gedréchent Grondstoffer. Wann et däitlech ze soen, mécht MOSFET bedeit datt et e grousse verkaafte Stroum kann Ausgang ass, an datt se a ville Weeër gedeelt sinn, wou an der Funktioun vum Verloschtniveau ënnerdeelt ka ginn an verbesserten Typ a liicht Ausarmungstyp, no deem Kanal kann ënnerverdeelt ginn an N-Kanal Typ en P-Kanal Typ.
Power MOSFET's ginn iwwer allgemeng benotzt fir schakelende Stroumkreesser. Iwwert allgemeng wielenMOSFET-fabrikanten de Parameter RDS(ON) fir d'aan-uitkarakteristesch Impedantie ze definéieren; RDS(ON) ass och eng kritesch Apparatkarakteristik fir ORing FET-Applikatiounen. De Data Informatiounsguide definéiert RDS(ON) a Relatioun zu der Geschäftsspannung vun de Gate, VGS, an de Stroum déi duerch de vermogensschakelaar Flëssegkeet ass, awer RDS(ON) ass e relative stateschen Datenparameter fir genuch Gate Drive.
Wann eng MOSFET-fabrikant eng schakelende voeding wëll mat minimale Designspezifikatiounen a Käschten entwéckelen, ass eng grouss ausschakelkarakteristesch Impedanz e Must. Bei engem Design vun enger Ernärung muss all schakelende Führung oft méi ORing sinnMOSFET an parallel Laten schaffen a musse verschidde Apparater benotzt ginn fir de Stroum fir d'Belaaschtung ze féieren. A ville Fäll musse MOSFET-Designers an der Serie wiesselen, sou datt de RDS(ON) raisonnabel reducéiert ka ginn.
Nieft RDS(ON), am ganze Prozess vun der MOSFET-Selektioun, sinn och e puer MOSFET-Parameteren och ganz kritesch fir d'Ernährungsdesigner. A ville Fäll musse Gestalter gutt op der SOA-Grafik an der Datainformatiounsguide opmaachen, déi d'Korrelatioun tëscht Drainstroum an Drain-Bron bedrijfsspanning beschreiwen. Fir de gréissten Deel definéiert SOA de Ernährungsspannung a Stroum wou de MOSFET sécher funktionnéiert.
Fir déi uewe genannte Belaaschtungsbedéngungen, nodeems Dir déi méi grouss Betribsspannung geschätzt (oder gemooss hutt) an dann e Spillraum vun 20% bis 30% hannerloosst, kënnt Dir den néidege bewäerten aktuellen VDS Wäert vum MOSFET spezifizéieren. Hei muss soen ass, datt, fir besser méi staark Käschten a méi glat Charakteristiken, kann an der AC aktuell Serie aktuell diodes an inductors an der Zoumaache vun der Zesummesetzung vun der aktueller Kontroll Loop auswielen, Fräisetzung aus der inductive aktuell kinetesch Energie ze erhalen der MOSFET. Bewäerte Stroum ass kloer, de Stroum kann ofgeleet ginn. Awer hei muss zwee Parameter berücksichtegt ginn: een ass de Wäert vum Stroum an der kontinuéierlecher Operatioun an den héchste Wäert vun der eenzeger Pulsstroum Spike (Spike a Surge), dës zwee Parameteren fir ze entscheeden wéi vill Dir de bewäertte Wäert vun der aktuelle Wäert.
Post Zäit: Mee-28-2024
