Spezifesch Plang: e High-Power MOSFET Wärmevergëftungsapparat, inklusiv engem huel Strukturgehäuse an e Circuit Board. De Circuit Verwaltungsrot ass an der casing arrangéiert. Eng Zuel vu Säit-vun-Säit MOSFETs sinn op béide Enden vun der Circuit Verwaltungsrot duerch Pins ugeschloss. Et enthält och en Apparat fir d'Kompressioun vumMOSFETs. De MOSFET ass gemaach fir no beim Wärmevergëftungsdrockblock op der banneschten Mauer vum Gehäuse ze sinn. Den Wärmevergëftungsdrockblock huet en éischten zirkuléierende Waasserkanal deen doduerch leeft. Den éischten zirkuléierende Waasserkanal ass vertikal mat enger Pluralitéit vu Side-by-Side MOSFETs arrangéiert. D'Säitmauer vum Gehäuse gëtt mat engem zweeten zirkuléierende Waasserkanal parallel zum éischte zirkuléierende Waasserkanal geliwwert, an den zweeten zirkuléierende Waasserkanal ass no beim entspriechende MOSFET. Den Wärmevergëftungsdrockblock ass mat verschiddene threaded Lächer ausgestatt. D'Wärmevergëftungsdruckblock ass fix mat der banneschten Mauer vum Gehäuse duerch Schrauwen verbonnen. D'Schrauwen ginn an de threaded Lächer vun der Hëtzt dissipation Drock Block aus de threaded Lächer op der Säit Mauer vun casing geschrauft. Déi baussenzeg Mauer vum Gehäuse gëtt mat enger Wärmevergëftungsgroove versuergt. Ënnerstëtzung Baren sinn op béide Säiten vun der banneschten Mauer vun der Wunneng gëtt de Circuit Verwaltungsrot ënnerstëtzen. Wann de Wärmevergëftungsdruckblock fixéiert mat der banneschten Mauer vum Gehäuse verbonnen ass, gëtt de Circuitboard tëscht de Säitewänn vum Wärmevergëftungsdruckblock an den Ënnerstëtzungsbarren gedréckt. Et gëtt en Isoléierfilm tëscht demMOSFETan der banneschten Mauer vum casing, an et ass en isoléierend Film tëscht der Hëtzt dissipation Drock Block an der MOSFET. D'Säitmauer vun der Schuel gëtt mat engem Wärmevergëftungspipe senkrecht zum éischten zirkuléierende Waasserkanal versuergt. Een Enn vum Wärmevergëftungsleit ass mat engem Heizkierper versuergt, an deen aneren Enn ass zou. De Heizkierper an d'Wärmevergëftungsleitung bilden en zouenen banneschten Kavitéit, an den banneschten Kavitéit gëtt mat Kältemëttel versuergt. D'Hëtzt ënnerzegoen ëmfaasst eng Hëtzt dissipation Ring fixen un der Hëtzt dissipation Päif verbonnen an engem Hëtzt dissipation fin fest un der Hëtzt dissipation Ring verbonnen; den Heizkierper ass och fest mat engem Kühlfan verbonnen.
Spezifesch Effekter: Erhéijung der Hëtzt dissipation Effizienz vun MOSFET a verbesseren de Service Liewen vunMOSFET; d'Wärmevergëftungseffekt vum Gehäuse verbesseren, d'Temperatur am Gehäuse stabil halen; einfach Struktur an einfach Installatioun.
Der uewen Beschreiwung ass nëmmen en Iwwerbléck vun der technesch Léisung vun der presentéieren Erfindung. Fir d'technesch Mëttele vun der heiteger Erfindung méi kloer ze verstoen, kann se no den Inhalter vun der Beschreiwung ëmgesat ginn. Fir d'uewen an aner Objeten ze maachen, Fonctiounen an Virdeeler vun der presentéieren Erfindung méi offensichtlech a verständlech, bevorzugten Ausféierunge beschriwwen am Detail ënnert zesumme mat der accordéiert Zeechnungen.
D'Hëtzt dissipation Apparat ëmfaasst eng huel Struktur casing 100 an engem Circuit Verwaltungsrot 101. Circuit Verwaltungsrot 101 am casing arrangéiert 100. Eng Zuel vun Säit-vun-Säit MOSFETs 102 sinn op béide Enn vun der Circuit Verwaltungsrot verbonne 101 duerch Pins. Et enthält och e Wärmevergëftungsdruckblock 103 fir de MOSFET 102 ze kompriméieren, sou datt de MOSFET 102 no bei der banneschten Mauer vum Haus ass 100. D'Wärmevergëftungsdruckblock 103 huet en éischten zirkuléierende Waasserkanal 104 deen duerch leeft. Den éischten zirkuléierende Waasserkanal 104 ass vertikal mat e puer Side-by-Side MOSFETs 102 arrangéiert.
D'Wärmevergëftungsdruckblock 103 dréckt de MOSFET 102 géint d'Bannenmauer vum Gehäuse 100, an en Deel vun der Hëtzt vum MOSFET 102 gëtt an d'Gehäuse gefouert 100. En aneren Deel vun der Hëtzt gëtt an d'Hëtztvergëftungsblock 103 geleet, an der Wunneng 100 dissipates der Hëtzt an d'Loft. D'Hëtzt vum Wärmevergëftungsblock 103 gëtt vum Killwaasser am éischte zirkuléierende Waasserkanal 104 ewechgeholl, wat d'Wärmevergëftungseffekt vum MOSFET 102 verbessert. 100 gëtt och op d'Wärmevergëftungsdrockblock 103 gefouert. Dofir kann d'Hëtztvergëftungsdrockblock 103 d'Temperatur am Haus 100 weider reduzéieren an d'Aarbechtseffizienz an d'Liewensdauer vun anere Komponenten am Haus 100 verbesseren; D'Casing 100 huet eng huel Struktur, sou datt Hëtzt net einfach an der casing 100 accumuléiert ass, sou datt de Circuit Board 101 net iwwerhëtzt a verbrennt. D'Säit Mauer vun der Wunneng 100 gëtt mat enger zweeter Circulatioun Waasser Kanal 105 parallel zu der éischter Circulatioun Waasser Kanal 104, an der zweeter Circulatioun Waasser Kanal 105 no bei der entspriechend MOSFET 102. Déi baussenzeg Mauer vun der Wunneng 100 ass mat enger Hëtzt dissipation Groove 108 gëtt. D'Hëtzt vum Logement 100 gëtt haaptsächlech duerch d'Kältewaasser am zweeten zirkuléierende Waasserkanal 105 ewechgeholl. En aneren Deel vun der Hëtzt gëtt duerch d'Wärmevergëftungsgroove 108 opgeléist, wat d'Wärmevergëftungseffekt vum Haus verbessert 100. D'Hëtztvergëftungsdrockblock 103 gëtt mat verschiddene threaded Lächer 107. D'Wärmevergëftungsdrockblock 103 ass fest mat der banneschten Mauer vun der Wunneng 100 duerch Schrauwen. D'Schrauwen ginn an de threaded Lächer vum Wärmevergëftungsdruckblock 103 vun de threaded Lächer op de Säitewänn vum Haus 100 geschrauft.
An der heiteger Erfindung verlängert engem Verbindung Stéck 109 aus dem Rand vun der Hëtzt dissipation Drock Spär 103. D'Verbindung Stéck 109 ass mat enger Zuel vun threaded Lächer gëtt 107. D'Verbindung Stéck 109 fix op der banneschten Mauer vun der Wunneng verbonnen 100 duerch Schrauwen. Ënnerstëtzung Baren 106 sinn op béide Säiten vun der bannenzeg Mauer vun der Wunneng 100 fir de Circuit Verwaltungsrot 101 ze ënnerstëtzen. Säitewänn vum Wärmevergëftungsdruckblock 103 an d'Ënnerstëtzungsbarren 106. Während der Installatioun gëtt de Circuit Board 101 fir d'éischt op der Uewerfläch vun der Ënnerstëtzungsbar 106 gesat, an de Buedem vum Wärmevergëftungsdruckblock 103 gëtt géint d'Uewerfläch gedréckt. vun der Circuit Verwaltungsrot 101. Dann, der Hëtzt dissipation Drock Block 103 op der bannenzeg Mauer vun der Wunneng 100 mat Schrauwen fixéiert. Eng Spanngroove gëtt tëscht dem Wärmevergëftungsdruckblock 103 an der Supportbar 106 geformt fir de Circuit Board 101 ze klemmen fir d'Installatioun an d'Entfernung vum Circuit Board 101 z'erliichteren. Drockblock 103. Dofir gëtt d'Hëtzt, déi vum Circuit Verwaltungsrot 101 generéiert gëtt, an den Wärmevergëftungsdrockblock 103 gefouert, an den Wärmevergëftungsdrockblock 103 gëtt vum Killwaasser am éischten zirkuléierende Waasserkanal 104 gedroen, sou datt de Circuit Board 101 iwwerhëtzt. an brennen. Am léifsten gëtt en Isoléierfilm tëscht dem MOSFET 102 an der banneschten Mauer vum Gehäuse 100 entsuergt, an en Isoléierfilm gëtt tëscht dem Wärmevergëftungsdruckblock 103 an dem MOSFET 102 entsuergt.
A héich-Muecht MOSFET Hëtzt dissipation Apparat ëmfaasst eng huel Struktur casing 200 an engem Circuit Verwaltungsrot 202. Circuit Verwaltungsrot 202 ass am casing arrangéiert 200. Eng Zuel vun Säit-vun-Säit MOSFETs 202 sinn respektiv u béid Enden vun der Circuit ugeschloss. Verwaltungsrot 202 duerch Pins, an enthält och eng Hëtzt dissipation Drock Spär 203 fir eng Kompresser MOSFETs 202 sou datt MOSFETs 202 no bei der bannenzeg Mauer vun der Wunneng 200 sinn. Eng éischt zirkuléierend Waasser Kanal 204 leeft duerch d'Wärmevergëftung Drock Spär 203. Déi éischt zirkuléierend Waasser Kanal 204 ass vertikal mat e puer Säit-vun-Säit MOSFETs arrangéiert 202. D'Säit Mauer vun der Réibau ass mat engem Hëtzt dissipation Päif 205 senkrecht op déi éischt zirkuléierend Waasser Kanal 204, an een Enn vun der Hëtzt dissipation Päif 205 ass mat engem Hëtzt dissipation Kierper gëtt 206. Déi aner Enn ass zougemaach, an der Hëtzt dissipation Kierper 206 an der Hëtzt dissipation Päif 205 Form engem zouene banneschten Kavitéit, an Kältemëttel ass an der banneschten Kavitéit arrangéiert. MOSFET 202 generéiert Hëtzt a verdampft de Kältemëttel. Beim Verdampfung absorbéiert se d'Hëtzt vum Heizungs Enn (no beim MOSFET 202 Enn), a fléisst dann vum Heizungs Enn an d'Kühlend (ewech vum MOSFET 202 Enn). Wann et am Ofkillend Kälte begéint, léisst et Hëtzt op déi baussenzeg Peripherie vun der Röhrewand eraus. D'Flëssegkeet fléisst dann an d'Heizungsend, sou datt en Wärmevergëftungskrees bilden. Dës Wärmevergëftung duerch Verdampfung a Flëssegkeet ass vill besser wéi d'Hëtztvergëftung vu konventionelle Wärmeleiter. D'Hëtzt dissipation Kierper 206 ëmfaasst eng Hëtzt dissipation Ring 207 fix mat der Hëtzt dissipation Päif verbonnen 205 an engem Hëtzt dissipation fin 208 fix un der Hëtzt dissipation Ring verbonnen 207; D'Wärmevergëftungsfin 208 ass och fix mat engem Kühlfan 209 verbonnen.
D'Hëtzt dissipation Ring 207 an der Hëtzt dissipation Päif 205 hunn eng laang fit Distanz, sou datt Hëtzt dissipation Ring 207 séier d'Hëtzt an der Hëtzt dissipation Päif 205 zu der Hëtzt ënnerzegoen Transfermaart 208 séier Hëtzt dissipation ze erreechen.
Post Zäit: Nov-08-2023
