Basis MOSFET Identifikatioun an Testen

Neiegkeeten

Basis MOSFET Identifikatioun an Testen

1.Junction MOSFET PIN Identifikatioun

D'Paart vun derMOSFET ass d'Basis vum Transistor, an d'Drain an d'Quell sinn de Sammler an den Emitter vun derentspriechend Transistor. De Multimeter op R × 1k Gang, mat zwee Stëfter fir d'Forward an d'Réckresistenz tëscht den zwee Pins ze moossen. Wann eng zwee-Pin Forward Resistenz = Réckresistenz = KΩ, dat ass, déi zwee Pins fir d'Quell S an Drain D, ass de Rescht vum Pin de Paart G. Wann et e 4-Pin assKräizung MOSFET, déi aner Pole ass d'Benotzung vun engem Buedem Schëld.

Basis MOSFET Identifikatioun an Test 拷贝

2.Bestëmmt de Paart 

 

Mat dem schwaarze Pen vum Multimeter fir de MOSFET eng zoufälleg Elektrode ze beréieren, de roude Pen fir déi aner zwou Elektroden ze beréieren. Wa béid gemooss Resistenz kleng ass, wat beweist datt béid positiv Resistenz sinn, gehéiert de Röhre zum N-Kanal MOSFET, dee selwechte schwaarze Penkontakt ass och de Paart.

 

De Produktiounsprozess huet decidéiert datt d'Drain an d'Quell vum MOSFET symmetresch ass, a ka mateneen austauscht ginn, an net d'Benotzung vum Circuit beaflossen, de Circuit ass och normal zu dëser Zäit, also ass et net néideg ze goen zu exzessiv Ënnerscheed. D'Resistenz tëscht dem Drain a Quell ass ongeféier e puer dausend Ohm. Kann dës Method net benotzen fir d'Paart vum isoléierte Paart Typ MOSFET ze bestëmmen. Well d'Resistenz vum Input vun dësem MOSFET extrem héich ass, an d'interpolare Kapazitéit tëscht dem Paart a Quell ganz kleng ass, kann d'Miessung vu sou wéineg wéi eng kleng Quantitéit un der Ladung uewen op der interpolarer Form geformt ginn. Kapazitéit vun der extrem héich Spannung, wäert de MOSFET ganz einfach ze beschiedegen.

Basis MOSFET Identifikatioun an Testen (1)

3.Estimatioun vun der Verstäerkungskapazitéit vu MOSFETs

 

Wann de Multimeter op R × 100 gesat ass, benotzt de roude Pen fir d'Quell S ze verbannen, a benotzt de schwaarze Pen fir den Drain D ze verbannen, wat ass wéi eng 1.5V Spannung op de MOSFET ze addéieren. Zu dëser Zäit weist d'Nadel de Resistenzwäert tëscht dem DS-Pol un. Zu dëser Zäit mat engem Fanger de Paart G ze knipsen, de Kierper induzéiert Spannung als Input Signal un d'Paart. Wéinst der Roll vun der MOSFET Verstäerkung wäert ID an UDS änneren, dat heescht datt d'Resistenz tëscht dem DS Pol geännert huet, kënne mir beobachten datt d'Nadel eng grouss Schwenk Amplitude huet. Wann d'Hand d'Paart dréckt, ass d'Schwéngung vun der Nadel ganz kleng, dat heescht, d'MOSFET Verstärkungsfäegkeet ass relativ schwaach; wann d'Nadel net déi geringsten Handlung huet, wat beweist datt de MOSFET beschiedegt gouf.


Post Zäit: Jul-18-2024