MOSFET Driver Circuit Ufuerderunge

Mat de MOS Chauffeuren vun haut ginn et verschidden aussergewéinlech Ufuerderungen:

1. Niddereg Volt Applikatioun

Wann d'Applikatioun vun 5V schaltStroumversuergung, zu dëser Zäit wann d'Benotzung vun traditionell Totempol Struktur, well d'Triode nëmmen 0.7V erop an erof Verloscht ginn, doraus an engem spezifeschen Finale Laascht Gate op der Volt nëmmen 4.3V, zu dëser Zäit, de Gebrauch vun allowable Gate Volt vun 4,5vMOSFETs et gëtt e gewësse Risiko.Déi selwecht Situatioun geschitt och an der Applikatioun vun 3V oder aner niddereg-Volt schalt Muecht Fourniture.

2.Wide Spannungsapplikatioun

D'Schlësselspannung huet keen numeresche Wäert, et variéiert vun Zäit zu Zäit oder wéinst anere Faktoren. Dës Variatioun verursaacht datt d'Antriebsspannung, déi dem MOSFET vum PWM Circuit gëtt, onbestänneg ass.

Fir de MOSFET bei héije Gatespannungen besser ze sécheren, hu vill MOSFETs Spannungsreegler agebaut fir eng Limit op d'Gréisst vun der Gatespannung ze zwéngen. An dësem Fall, wann d'Driftspannung bruecht gëtt fir d'Spannung vum Reguléierer ze iwwerschreiden, gëtt e grousse statesche Funktiounsverloscht verursaacht.

Zur selwechter Zäit, wann de Basisprinzip vum Widderstandspannungsdeeler benotzt gëtt fir d'Gatespannung ze reduzéieren, wäert et geschéien datt wann d'Schlësselspannung méi héich ass, de MOSFET gutt funktionnéiert, a wann d'Schlësselspannung reduzéiert gëtt, ass d'Gatespannung net genuch, wat zu net genuch Ausschalten an Ausschalten resultéiert, wat de funktionnelle Verloscht verbessert.

MOSFET Iwwerstroumschutzschaltung fir Energieversuergung Burnout Accidenter ze vermeiden (1)

3. Dual Volt Uwendungen

An e puer Kontrollkreesser applizéiert de Logikdeel vum Circuit déi typesch 5V oder 3.3V Datenspannung, während den Ausgangskraaftdeel 12V oder méi gëlt, an déi zwee Spannungen si mam gemeinsame Buedem ugeschloss.

Dëst mécht et kloer datt e Stroumversuergungsschaltung muss benotzt ginn sou datt d'Nidderspannungssäit den HéichspannungsMOSFET raisonnabel manipuléiere kann, während den HéichspannungsMOSFET fäeg ass déiselwecht Schwieregkeeten ze këmmeren, déi an 1 an 2 ernimmt ginn.

An dësen dräi Fäll kann d'Totempolkonstruktioun den Ausgangsfuerderunge net erfëllen, a vill existent MOS Chauffer ICs schéngen net e Paartspannungsbegrenzungskonstruktioun ze enthalen.