Haaptparameter vun MOSFETs a Verglach mat triodes

Field Effect Transistor ofgekierzt alsMOSFET.Et ginn zwou Haapt Zorte: Kräizung Feld Effekt Réier an Metal-Oxid semiconductor Feld Effekt Réier. De MOSFET ass och bekannt als unipolare Transistor mat enger Majoritéit vun Träger an der Konduktivitéit involvéiert. Si sinn Spannungskontrolléiert Hallefleitgeräter. Wéinst senger héijer Inputresistenz, gerénge Geräischer, nidderegen Energieverbrauch an aner Charakteristiken, mécht et e staarke Konkurrent fir bipolare Transistoren a Kraafttransistoren.

I. Haaptparameter vun MOSFET

1, DC Parameteren

Sättigungsdrainstroum kann definéiert ginn als den Drainstroum entsprécht wann d'Spannung tëscht Gate a Quell gläich Null ass an d'Spannung tëscht Drain a Quell méi grouss ass wéi d'Punch-Off Spannung.

Pinch-off Volt UP: D'UGS erfuerderlech fir d'ID op e klenge Stroum ze reduzéieren wann d'UDS sécher ass;

Turn-on Volt UT: UGS erfuerderlech fir ID op e bestëmmte Wäert ze bréngen wann UDS sécher ass.

2, AC Parameteren

Niddereg-Frequenz transconductance gm: Beschreift de Kontroll Effekt vun Gate a Quell Volt op Drain Stroum.

Inter-Pol Kapazitéit: d'Kapazitéit tëscht den dräi Elektroden vum MOSFET, wat de Wäert méi kleng ass, wat d'Leeschtung besser ass.

3, Limit Parameteren

Drain, Quelle Decompte Spannung: wann d'Drain-Stroum staark eropgeet, wäert et Lawinenofbroch produzéieren wann d'UDS.

Gate Decompte Spannung: Kräizung Feld Effekt Rouer normal Operatioun, Paart a Quell tëscht dem PN Kräizung am ëmgedréint Bias Staat, de Stroum ass ze grouss fir Decompte ze produzéieren.

II. Charakteristiken vunMOSFETs

MOSFET huet eng Verstäerkungsfunktioun a kann e verstäerkte Circuit bilden. Am Verglach mat enger Triode huet et déi folgend Charakteristiken.

(1) De MOSFET ass e Spannungskontrolléierten Apparat, an de Potenzial gëtt vun UGS kontrolléiert;

(2) De Stroum um Input vum MOSFET ass extrem kleng, sou datt seng Inputresistenz ganz héich ass;

(3) Seng Temperaturstabilitéit ass gutt well et Majoritéit Carrier fir Leitung benotzt;

(4) D'Spannungsverstäerkungskoeffizient vu sengem Verstärkungskrees ass méi kleng wéi dee vun enger Triode;

(5) Et ass méi resistent géint Stralung.

Drëtten,MOSFET an Transistor Verglach

(1) MOSFET Quell, Gate, Drain an Triode Quell, Basis, Set Punkt Pol entsprécht der Roll vun ähnlechen.

(2) MOSFET ass e Spannungskontrolléierte Stroumapparat, de Verstärkungskoeffizient ass kleng, d'Verstäerkungsfäegkeet ass schlecht; Triode ass e Stroumkontrolléiert Spannungsapparat, d'Verstäerkungsfäegkeet ass staark.

(3) MOSFET Gate hëlt grondsätzlech net aktuell; an Triode Aarbecht, der Basis wäert eng bestëmmte aktuell absorbéieren. Dofir ass de MOSFET Gate Input Resistenz méi héich wéi d'Triode Input Resistenz.

(4) De konduktiven Prozess vu MOSFET huet d'Participatioun vu Polytron, an d'Triode huet d'Participatioun vun zwou Aarte vun Träger, Polytron an Oligotron, a seng Konzentratioun vum Oligotron ass staark beaflosst vun der Temperatur, Stralung an aner Faktoren, dofir, MOSFET huet besser Temperaturstabilitéit a Strahlungsresistenz wéi Transistor. MOSFET soll ausgewielt ginn wann d'Ëmweltbedéngungen vill änneren.

(5) Wann MOSFET mam Quellmetall an dem Substrat verbonnen ass, kënnen d'Quell an d'Drain ausgetauscht ginn an d'Charakteristiken änneren net vill, wärend wann de Sammler an den Emitter vum Transistor ausgetauscht ginn, sinn d'Charakteristiken ënnerschiddlech an de β-Wäert reduzéiert gëtt.

(6) D'Geräischfigur vum MOSFET ass kleng.

(7) MOSFET an Triode kënnen aus enger Vielfalt vu Verstärkerkreesser a Schaltkreesser komponéiert ginn, awer de fréiere verbraucht manner Kraaft, héich thermesch Stabilitéit, breet Palette vun der Versuergungsspannung, sou datt et vill a grousser Skala an ultra-grouss benotzt gëtt. Skala integréiert Kreesleef.

(8) D'On-Resistenz vun der Triode ass grouss, an d'On-Resistenz vum MOSFET ass kleng, sou datt MOSFETs allgemeng als Schalter mat méi héijer Effizienz benotzt ginn.