Wéi Dir MOSFET Echec verhënneren

Wéi vermeide een MOSFET Echec

Post Zäit: Jul-29-2024

Op dëser Etapp an der Industrie Applikatioun Niveau, déi éischt klasséiert Konsument elektronesch Apparat Adapter Wueren. An no der Haaptverbrauch vu MOSFET Grëff, ass d'Demande fir MOSFET op der zweeter Plaz de Computer Motherboard, NB, Computer professionnelle Stroumadapter, LCD Display an aner Commodities. Zesumme mat der Entwécklung Trend vun der Basis national Konditiounen, Computer motherboards, Computer berufflech Muecht adapters, LCD Monitore op Ufuerderunge vunMOSFETs muss iwwer d'Situatioun vun Konsument elektronesch adapters goen.

Drënner ass deMOS ongülteg sechs Haaptgrënn.

1. Äerdrutsch ongülteg (Betribsspannung ongülteg), déi dacks als Leckage tëscht der Quell vun der BVdss Betribsspannung bezeechent gëtt, iwwerschreift den nominelle Stroum vum MOSFET, an doriwwer eraus eng gewësse Funktioun ze maachen, déi zu ongülteg MOSFET féiert.

2.SOA ongëlteg (Powerflow ongülteg), souwuel iwwer de MOSFET sécher Operatioun Beräich verursaacht vun der ongülteg, ënnerdeelt an Id iwwer d'Apparat Spezifikatioune an ongëlteg a seng Id ass ze grouss, héich zouzedrécken vun der Apparat laangfristeg thermesch Akkumulation verursaacht duerch d'ongëlteg.

3. Invalid Kierper Diode. An der Bréck, LLC an aner effektiv fir d'Kierperdiode fir d'Fortsetzung vun der Netzwierktopologie auszeféieren, well d'Kierperdiode vun der Invalidatioun betraff ass.

4. Invalid Serie Resonanz. An der Serieapplikatioun vum Link féieren d'Paart an d'Energieversuergung Circuit parasitäre Parameteren zu Schwankungen, déi duerch d'Invalidatioun verursaacht ginn.

5. Elektrostatesch Induktioun ass ongëlteg. Am Wanter an am Hierscht, wéinst dem Kierper a Maschinnen an Ausrüstung wéinst der elektrostatescher Induktioun, déi vum Apparat verursaacht gëtt, ass ongëlteg.

6. Invalid Gate Volt. Well d'Paart war anormal schaffen Volt Peaks, a Féierung fir de Paart Gate Sauerstoff Layer ass ongëlteg.