Wéi bestëmmen d'High-Power MOSFET gëtt duerch de Burnout verbrannt

(1) MOSFET ass e Spannungsmanipuléierend Element, wärend den Transistor e Stroummanipuléiert Element ass. An der dreiwend Fäegkeet ass net verfügbar, fueren aktuell ass ganz kleng, soll ausgewielt ginnMOSFET; an am Signal Volt niddereg ass, a versprach méi aktuell aus der elektresch Fëscherei Maschinn fueren Etapp Konditiounen ze huelen, soll Transistor ausgewielt ginn.

(2) MOSFET ass d'Benotzung vun de meeschten Träger konduktiv, sougenannten unipolaren Apparat, während den Transistor ass datt et eng Majoritéit vun Träger ass, awer och d'Benotzung vun enger klenger Unzuel vun Träger konduktiv. Et gëtt bipolare Apparat genannt.

(3) E puerMOSFET Quell an Drain kënne fir d'Benotzung vun der Gate Spannung ausgetauscht ginn kann positiv oder negativ sinn, d'Flexibilitéit wéi den Transistor ass gutt.

(4) MOSFET kann an engem ganz klenge Stroum a ganz niddereg Spannungsbedéngungen operéieren, a säi Produktiounsprozess ka ganz bequem sinn fir vill MOSFETs an engem Siliziumchip z'integréieren, sou datt MOSFETs a grousse integréierte Circuiten vill benotzt goufen.

(5) MOSFET huet d'Virdeeler vun héijer Input Impedanz a geréng Kaméidi, sou datt et och vill an enger Vielfalt vun elektroneschen Fallausrüstung benotzt gëtt. Besonnesch mat dem Feld Effekt Rouer fir déi ganz elektronesch Ausrüstung Input, Ausgangsstadium ze maachen, kann den allgemenge Transistor kréien ass schwéier d'Funktioun z'erreechen.

(6)MOSFETs sinn an zwou Kategorien opgedeelt: roude Kräizung Typ an isoléiert Gate Typ, an hir Manipulatioun Prinzipien sinn déi selwecht.

Tatsächlech ass d'Triode méi bëlleg a méi praktesch ze benotzen, allgemeng an den alen niddereg-Frequenz Fëscher benotzt, MOSFET fir héich-Frequenz Héich-Vitesse Kreesleef, héich-aktuell Occasiounen, sou déi nei Zort vun héich-Frequenz Ultraschall Fëscher, wesentlech ass dengrouss MOS. allgemeng geschwat, niddereg-Käschten Occasiounen, déi allgemeng Notzung vun der éischter d'Benotzung vun Transistoren ze betruecht, net wann Dir de MOS ze betruecht wëllt.

MOSFET ass Decompte Grënn a Léisunge si wéi follegt

Als éischt ass d'Inputresistenz vum MOSFET selwer ganz héich, an d'Gate - Quell Inter-Elektrode Kapazitéit ass ganz kleng, sou datt et ganz ufälleg ass fir extern elektromagnéitesch Felder oder elektrostatesch Induktioun a gelueden, an eng kleng Ladung ka geformt ginn. an der Inter-Elektrode capacitance vun der entspriechend héich Volt (U = Q / C), wäert Rouer beschiedegt ginn. Och wann de MOS-Input vun der elektrescher Fëschmaschinn antistatesch Ënnerhaltmoossnamen huet, awer nach ëmmer mat Suergfalt behandelt musse ginn, an der Lagerung an der Liwwerung vun de beschten Metallbehälter oder konduktiven Materialverpackungen, setzen net einfach ze attackéieren statesch Héichspannung chemesch Materialien oder chemesch Faser Stoffer. Assemblée, Kommissioun, Saachen, Erscheinung, Aarbechtsstatioun, asw. Fir den Elektrostatesche Stéierungsschued vum Bedreiwer ze vermeiden, sou wéi d'Nylon, d'chemesch Faserkleedung, d'Hand oder eppes net sollt droen, ier Dir den integréierte Block beréiert, ass am beschten de Buedem ze verbannen. Fir d'Ausrüstung ze riichten a béien oder manuell Schweißen, ass d'Benotzung vun Ausrüstung néideg fir aussergewéinlech Buedemung.