Richtlinnen fir MOSFET Package Auswiel

Zweetens, d'Gréisst vun de System Aschränkungen

Puer elektronesch Systemer sinn duerch d'Gréisst vun der PCB limitéiert an intern hauteur, swéi Kommunikatiounssystemer, modulare Stroumversuergung wéinst Héichbeschränkungen benotzt normalerweis DFN5 * 6, DFN3 * 3 Package; an e puer ACDC Energieversuergung, d'Benotzung vun ultra-dënnen Design oder duerch d'Aschränkungen vun der Réibau, der Assemblée vun der TO220 Pak vun der Muecht MOSFET Féiss direkt an d'Wuerzel vun der Héicht Aschränkungen agebaut kann de TO247 Pak net benotzen. E puer ultra-dënnen Design direkt béien den Apparat Pins flaach, dësem Design Produktioun Prozess wäert komplex ginn.

Drëttens, de Produktiounsprozess vun der Firma

TO220 huet zwou Zorte vu Package: blo Metal Package a voll Plastik Package, blo Metal Package thermesch Resistenz ass kleng, Hëtzt dissipation Fähegkeet ass staark, mä am Produktioun Prozess, Dir musst Isolatioun erofzesetzen, der Produktioun Prozess ass komplex an deier, iwwerdeems de voll Plastik Package thermesch Resistenz grouss ass, Hëtzt dissipation Fähegkeet ass schwaach, mä de Produktioun Prozess ass einfach.

Fir de kënschtleche Prozess vu Schrauwen ze reduzéieren, an de leschte Joeren, hunn e puer elektronesch Systemer Clips benotztMOSFETs an der Hëtzt ënnerzegoen ageklemmt, sou datt d'Entstoe vun der traditionell TO220 Deel vun der ieweschter Deel vun der Entféierung vun Lächer an der neier Form vun Encapsulation, mä och d'Héicht vun der Apparat reduzéieren.

Véiert, Käschten Kontroll

An e puer extrem Käschte-sensibel Uwendungen wéi Desktop Motherboards a Boards, Power MOSFETs an DPAK Packagen ginn normalerweis benotzt wéinst de niddrege Käschte vun esou Packagen. Dofir, wann Dir e Power MOSFET Package auswielt, kombinéiert mat hirem Stil a Produktfeatures vun hirer Firma, a berücksichtegt déi uewe genannte Faktoren.

Fënneften, wielt der widderstoen Volt BVDSS am meeschte Fäll, well den Design vun der Input voLtage vun der elektronescher System ass relativ fix, d'Firma huet e spezifesche Fournisseur vun e puer Material Zuel ausgewielt, de Produit bewäert Spannung ass och fix.

D'Decompte Volt BVDSS vun Muecht MOSFETs am Dateblatt huet Testbedéngungen definéiert, mat verschiddene Wäerter ënner verschiddene Konditiounen, an BVDSS huet e positiven Temperaturkoeffizient, an der aktueller Uwendung vun der Kombinatioun vun dëse Faktoren soll op eng ëmfaassend Manéier berücksichtegt ginn.

Vill Informatioun a Literatur dacks ernimmt: wann de System vun Muecht MOSFET VDS vun der héchster Spike Volt wa méi grouss wéi de BVDSS, och wann d'Spike Pulsatiounsperiod Spannung Dauer vun nëmmen e puer oder Zénger vun ns, der Muecht MOSFET wäert an d'Lavin kommen. an esou geschitt Schued.

Am Géigesaz zu Transistoren an IGBT hunn Kraaft MOSFETs d'Fäegkeet Lawinen ze widderstoen, a vill grouss Hallefleitfirmen Muecht MOSFET Lawinenenergie an der Produktiounslinn ass déi voll Inspektioun, 100% Detektioun, dat ass, an den Daten ass dëst eng garantéiert Miessung, Lawinespannung geschitt normalerweis an 1,2 ~ 1,3 Mol de BVDSS, an d'Dauer vun der Zäit ass normalerweis μs, souguer ms Niveau, dann ass d'Dauer vun nëmmen e puer oder Zénger vun ns, vill méi niddreg wéi d'Lawin Spannung Spike Pulsatiounsperiod Volt net Schued un der Muecht MOSFET.

Sechs, duerch d'Drive Volt Auswiel VTH

Verschidde elektronesch Systemer vu Kraaft MOSFETs gewielte Fuerspannung ass net d'selwecht, AC / DC Stroumversuergung benotzt normalerweis 12V Fuerspannung, de Motherboard vum Notebook DC / DC Konverter benotzt 5V Fuerspannung, also laut dem System Drive Volt fir eng aner Schwellspannung ze wielen VTH Muecht MOSFETs.

D'Schwellspannung VTH vu Kraaft MOSFETs am Dateblat huet och definéiert Testbedéngungen an huet verschidde Wäerter ënner verschiddene Konditiounen, an VTH huet en negativen Temperaturkoeffizient. Verschidde Fuertspannungen VGS entspriechen verschidden On-Resistenz, an a prakteschen Uwendungen ass et wichteg d'Temperatur ze berücksichtegen

A prakteschen Uwendungen sollten Temperaturvariatioune berücksichtegt ginn fir sécherzestellen datt d'Kraaft MOSFET voll ageschalt ass, a gläichzäiteg garantéiert datt d'Spikeimpulser, déi un de G-Pole während dem Ausschaltprozess gekoppelt sinn, net duerch falsch Ausléisung ausgeléist ginn riichtaus oder kuerz-Circuit produzéiere.