Gate Kapazitéit, On-Resistenz an aner Parameteren vun MOSFETs

I. Gate capacitance

Gate Kapazitéit enthält haaptsächlech Input Kapazitéit (Ciss), Ausgangskapazitanz (Coss) an ëmgedréint Transfer Kapazitéit (Crss, och bekannt als Miller Kapazitéit).

Input Kapazitéit (Ciss):

DEFINITION: D'Input Kapazitéit ass d'total Kapazitéit tëscht dem Paart an der Quell an Drain, a besteet aus der Gate Quell Kapazitéit (Cgs) an der Gate Drain Kapazitéit (Cgd) parallel verbonne, dh Ciss = Cgs + Cgd.

Funktioun: D'Input Kapazitéit beaflosst d'Schaltgeschwindegkeet vum MOSFET. Wann d'Input Kapazitéit op eng Schwellspannung gelueden ass, kann den Apparat ageschalt ginn; op e bestëmmte Wäert entlaascht, kann den Apparat ausgeschalt ginn. Dofir hunn d'Dreiwe Circuit an d'Ciss en direkten Impakt op d'Apparat an d'Verzögerung.

Output Kapazitéit (Coss):

Definitioun: D'Ausgangskapazitanz ass déi total Kapazitéit tëscht dem Drain an der Quell, a besteet aus der Drain-Quell Kapazitéit (Cds) an der Gate-Drain Kapazitéit (Cgd) parallel, dh Coss = Cds + Cgd.

Roll: A Soft-Switching Uwendungen ass Coss ganz wichteg well et Resonanz am Circuit verursaache kann.

Reverse Transmission Capacitance (Crss):

Definitioun: Déi ëmgedréint Transferkapazitanz ass gläichwäerteg mat der Gate Drain Kapazitéit (Cgd) a gëtt dacks als Miller Kapazitéit bezeechent.

Roll: Déi ëmgedréint Transferkapazitéit ass e wichtege Parameter fir d'Opstiegs- a Fallzäite vum Schalter, an et beaflosst och d'Ausschaltverzögerungszäit. De Kapazitéitswäert fällt erof wéi d'Drain-Quell Spannung eropgeet.

II. On-Resistenz (Rds (on))

Definitioun: On-Resistenz ass d'Resistenz tëscht der Quell an Drain vun engem MOSFET am On-State ënner spezifesche Bedéngungen (zB spezifesche Leckstroum, Gatespannung an Temperatur).

Aflossfaktoren: On-Resistenz ass net e fixe Wäert, et gëtt vun der Temperatur beaflosst, wat méi héich d'Temperatur ass, wat d'Rds(on) méi grouss ass. Zousätzlech, wat méi héich d'Widderstandspannung ass, wat méi déck ass d'intern Struktur vum MOSFET, wat méi héich ass déi entspriechend On-Resistenz.

Wichtegkeet: Wann Dir eng Schaltkraaftversuergung oder Driver Circuit designt, ass et néideg d'On-Resistenz vum MOSFET ze berücksichtegen, well de Stroum, deen duerch de MOSFET fléisst, Energie op dëser Resistenz verbraucht, an dësen Deel vun der verbrauchter Energie gëtt op- Resistenz Verloscht. Wiel vun engem MOSFET mat gerénger On-Resistenz kann den On-Resistenzverloscht reduzéieren.

Drëttens, aner wichteg Parameteren

Zousätzlech zu der Gatekapazitanz an der On-Resistenz huet de MOSFET e puer aner wichteg Parameteren wéi:

V(BR)DSS (Drain Source Breakdown Voltage):D'Drainquellespannung bei där de Stroum, deen duerch den Drain fléisst, e spezifesche Wäert bei enger spezifescher Temperatur erreecht a mat der Gatequell verkierzt. Iwwert dësem Wäert kann de Rouer beschiedegt ginn.

VGS(th) (Schwellspannung):D'Paartspannung erfuerderlech fir e Leedungskanal ze féieren tëscht der Quell an Drain ze bilden. Fir Standard N-Kanal MOSFETs ass VT ongeféier 3 bis 6V.

ID (Maximum kontinuéierlechen Drain Stroum):De maximale kontinuéierleche DC Stroum dee vum Chip bei der maximaler bewäertter Kräizungstemperatur erlaabt ka ginn.

IDM (Maximum Pulsed Drain Current):Reflektéiert den Niveau vum gepulste Stroum deen den Apparat handhaben kann, mat gepulste Stroum vill méi héich wéi kontinuéierlech DC Stroum.

PD (maximal Power dissipation):den Apparat kann de maximalen Energieverbrauch dissipéieren.

Zesummegefaasst, d'Gate Kapazitéit, On-Resistenz an aner Parameteren vun engem MOSFET si kritesch fir seng Leeschtung an Uwendung, a musse ausgewielt an entworf ginn no spezifesche Applikatiounsszenarien an Ufuerderunge.