Erklärung vun all Parameter vun Muecht MOSFETs

VDSS Maximal Drain-Source Volt

Mat der Gatequell verkierzt, ass den Drain-Source Volt Rating (VDSS) déi maximal Spannung déi op d'Drain-Quell applizéiert ka ginn ouni Lawinen Decompte. Ofhängeg vun der Temperatur, kann déi aktuell Lawinen Debrochspannung méi niddereg sinn wéi déi bewäert VDSS. Fir eng detailléiert Beschreiwung vun V (BR) DSS, gesinn Electrostatic

Fir eng detailléiert Beschreiwung vun V (BR) DSS, gesinn Electrostatic Charakteristiken.

VGS Maximal Gate Quelltext Volt

De VGS Spannungsbewäertung ass déi maximal Spannung déi tëscht de Gatequellpole applizéiert ka ginn. Den Haaptzweck fir dës Spannungsbewäertung ze setzen ass Schied un der Gateoxid ze vermeiden verursaacht duerch exzessiv Spannung. Déi aktuell Spannung, déi de Gateoxid kann ausstoen ass vill méi héich wéi déi bewäert Spannung, awer wäert mam Fabrikatiounsprozess variéieren.

D'tatsächlech Gateoxid ka vill méi héich Spannungen widderstoen wéi déi bewäert Spannung, awer dëst wäert mam Fabrikatiounsprozess variéieren, sou datt de VGS bannent der bewäertter Spannung hält wäert d'Zouverlässegkeet vun der Applikatioun garantéieren.

ID - Kontinuéierlech Leckaktuell

ID ass definéiert als de maximal zulässlechen kontinuéierleche DC Stroum bei der maximaler bewäertener Kräizungstemperatur, TJ (max), a Röhreflächtemperatur vu 25 ° C oder méi héich. Dëse Parameter ass eng Funktioun vun der bewäertter thermescher Resistenz tëscht dem Kräizung an dem Fall, RθJC, an der Falltemperatur:

Schaltverloschter sinn net an der ID abegraff an et ass schwéier d'Röhre Uewerflächtemperatur bei 25 ° C (Tcase) fir praktesch Notzung ze halen. Dofir ass den aktuellen Schaltstroum an Hard-Switch Uwendungen normalerweis manner wéi d'Halschent vun der ID Bewäertung @ TC = 25 ° C, normalerweis am Beräich vun 1/3 bis 1/4. komplementär.

Zousätzlech kann d'ID bei enger spezifescher Temperatur geschat ginn wann thermesch Resistenz JA benotzt gëtt, wat e méi realistesche Wäert ass.

IDM - Impulsreferater Drain aktuell

Dëse Parameter reflektéiert d'Quantitéit vum gepulste Stroum deen den Apparat handhaben kann, wat vill méi héich ass wéi kontinuéierlech DC Stroum. Den Zweck fir IDM ze definéieren ass: d'ohmesch Regioun vun der Linn. Fir eng bestëmmte Gate-Quell Volt, derMOSFETféiert mat engem Maximum Drain aktuell presentéieren

aktuell. Wéi an der Figur gewisen, fir eng bestëmmte Gate-Quell Spannung, wann de Betribssystemer Punkt an der linearer Regioun läit, eng Erhéijung vun Drain Stroum erhéicht d'Drain-Quell Spannung, wat d'Leedungsverloschter erhéicht. Verlängert Operatioun bei héijer Kraaft féiert zu engem Ausfall vum Apparat. Aus dësem Grond

Dofir muss den nominalen IDM ënner der Regioun op typesch Gate Drive Spannungen gesat ginn. Den Ofschnëttpunkt vun der Regioun ass op der Kräizung vu Vgs an der Curve.

Dofir muss eng iewescht Stroumdicht Limit gesat ginn fir ze verhënneren datt den Chip ze waarm gëtt a verbrennt. Dëst ass wesentlech fir exzessive Stroum duerch d'Packageleit ze vermeiden, well an e puer Fäll déi "schwaachste Verbindung" um ganzen Chip net den Chip ass, awer de Package féiert.

Wann Dir d'Limitatioune vun den thermeschen Effekter op den IDM berécksiichtegt, ass d'Temperaturerhéijung ofhängeg vun der Pulsbreed, dem Zäitintervall tëscht Impulser, der Wärmevergëftung, dem RDS(on), an der Welleform an der Amplitude vum Pulsstroum. Einfach zefriddestellend datt de Pulsstroum d'IDM Limit net iwwerschreift, garantéiert net datt d'Kräiztemperatur

iwwerschreift net déi maximal zulässlech Wäert. D'Kräiztemperatur ënner pulséiertem Stroum kann geschätzt ginn andeems Dir op d'Diskussioun iwwer transient thermesch Resistenz an thermeschen a mechanesche Properties referéiert.

PD - Total erlaabt Channel Power Dissipatioun

Total Allowable Channel Power Dissipation kalibréiert déi maximal Kraaftdissipatioun déi vum Apparat ofgeleet ka ginn a kann als Funktioun vun der maximaler Kräizungstemperatur an der thermescher Resistenz bei enger Falltemperatur vu 25 ° C ausgedréckt ginn.

TJ, TSTG - Betribs- a Lagerung Ambient Temperatur Range

Dës zwee Parameteren kalibréieren d'Kräiztemperaturberäich erlaabt vun der Operatiouns- a Späicherëmfeld vum Apparat. Dës Temperaturbereich ass agestallt fir de Minimum Operatiounsdauer vum Apparat z'erreechen. Sécherstellen datt den Apparat an dësem Temperaturbereich funktionnéiert, wäert seng Operatiounsdauer staark verlängeren.

EAS-Single Pulse Avalanche Decompte Energie

 

Wann d'Spannungsiwwerschlag (normalerweis wéinst Leckstroum a Stray-Induktanz) d'Decomptespannung net iwwerschreift, wäert den Apparat net Lawine-Decompte ënnergoen an dofir net d'Fäegkeet brauch fir Lawine-Decompte ze dissipéieren. D'Avalanche Decompte Energie kalibréiert den transienten Iwwerschoss deen den Apparat toleréiere kann.

Avalanche Decompte Energie definéiert de séchere Wäert vun der transienter Iwwerschlagspannung, déi en Apparat toleréiere kann, an ass ofhängeg vun der Quantitéit un Energie, déi opgeléist muss ginn, fir datt Lawinen Decompte geschitt.

En Apparat, deen eng Lawin Decompte Energie Bewäertung definéiert, definéiert normalerweis och eng EAS Bewäertung, déi ähnlech ass wéi den UIS Bewäertung, an definéiert wéi vill ëmgedréint Lawinen Decompte Energie den Apparat sécher absorbéiere kann.

L ass den Induktiounswäert an iD ass de Peakstroum, deen am Induktor fléisst, deen abrupt ëmgewandelt gëtt an den Drainstroum am Miessapparat. D'Spannung generéiert iwwer den Induktor iwwerschreift d'MOSFET Decompte Spannung a wäert zu Lawinen Decompte féieren. Wann Lawinen Decompte geschitt, fléisst de Stroum am Induktor duerch de MOSFET-Apparat och wann deMOSFETass aus. D'Energie, déi am Induktor gespäichert ass, ass ähnlech wéi d'Energie, déi am Stray-Induktor gespäichert ass a vum MOSFET opgeléist gëtt.

Wann MOSFETs parallel verbonne sinn, sinn d'Decomptespannungen kaum identesch tëscht Apparater. Wat normalerweis geschitt ass datt een Apparat deen éischten ass, deen Lawinenofbroch erliewt, an all spéider Lawinenofbrochstréim (Energie) fléissen duerch dësen Apparat.

EAR - Energie vun Widderhuelung Avalanche

D'Energie vu repetitive Lawinen ass zu engem "Industriestandard" ginn, awer ouni d'Frequenz, aner Verloschter an d'Quantitéit vun der Ofkillung ze setzen, huet dëse Parameter keng Bedeitung. D'Wärmevergëftung (Ofkillung) Konditioun regéiert dacks déi repetitiv Lawineenergie. Et ass och schwéier den Niveau vun der Energie virauszesoen, déi duerch Lawinenofbau generéiert gëtt.

Et ass och schwéier den Niveau vun der Energie virauszesoen, déi duerch Lawinenofbau generéiert gëtt.

Déi richteg Bedeitung vun der EAR Bewäertung ass déi widderholl Lawin Decompte Energie ze kalibréieren déi den Apparat kann ausstoen. Dës Definitioun setzt viraus, datt et keng Begrenzung vun der Frequenz gëtt, sou datt den Apparat net iwwerhëtzt, wat realistesch ass fir all Apparat, wou Lawinenausbroch optrieden.

D'Et ass eng gutt Iddi d'Temperatur vum Apparat am Betrib oder Hëtzt ënnerzegoen ze moossen fir ze kucken ob de MOSFET Apparat während der Verifizéierung vum Apparat Design iwwerhëtzt, besonnesch fir Apparater wou Lawinen Decompte méiglecherweis optrieden.

IAR - Avalanche Breakdown aktuell

Fir e puer Apparater erfuerdert d'Tendenz vun der aktueller gesaten Rand um Chip während Lawinen Decompte datt de Lawinenstroum IAR limitéiert ass. Op dës Manéier gëtt de Lawinenstroum de "Findruck" vun der Lawin Decompte Energie Spezifizéierung; et weist déi richteg Fäegkeet vum Apparat.

Deel II statesch elektresch Charakteriséierung

V(BR)DSS: Drain-Source Breakdown Voltage (Zerstéierungsspannung)

V(BR)DSS (heiansdo VBDSS genannt) ass d'Drain-Quell Spannung bei där de Stroum, deen duerch den Drain fléisst, e spezifesche Wäert bei enger spezifescher Temperatur erreecht a mat der Gatequell verkierzt. D'Drain-Quell Spannung an dësem Fall ass d'Avalanche Decompte Spannung.

V(BR)DSS ass e positiven Temperaturkoeffizient, a bei niddregen Temperaturen ass V(BR)DSS manner wéi déi maximal Bewäertung vun der Drain-Quellspannung bei 25°C. Bei -50°C ass V(BR)DSS manner wéi déi maximal Bewäertung vun der Drain-Quellspannung bei -50°C. Bei -50°C ass V(BR)DSS ongeféier 90% vun der maximaler Drain-Quellspannung bei 25°C.

VGS(th), VGS(aus): Schwellspannung

VGS(th) ass d'Spannung bei där déi addéiert Gatequellspannung kann verursaachen datt den Drain ufänkt Stroum ze hunn, oder de Stroum verschwannen wann de MOSFET ausgeschalt ass, an d'Konditioune fir ze testen (Drain Stroum, Drain Quellspannung, Kräizung Temperatur) sinn och spezifizéiert. Normalerweis hunn all MOS Gate Apparater verschidden

Schwellspannungen wäerten ënnerschiddlech sinn. Dofir gëtt d'Variatiounsberäich vu VGS(th) spezifizéiert.VGS(th) ass en negativen Temperaturkoeffizient, wann d'Temperatur eropgeet, denMOSFETwäert op eng relativ niddereg Gate Quell Volt Tour op.

RDS(an): On-Resistenz

RDS (on) ass d'Drain-Quellresistenz gemooss bei engem spezifeschen Drainstroum (normalerweis d'Halschent vum ID Stroum), Gate-Source Spannung an 25 °C. Den RDS (on) ass d'Drain-Quellresistenz gemooss bei engem spezifeschen Drainstroum (normalerweis d'Halschent vum ID Stroum), Gate-Source Spannung, an 25 °C.

IDSS: null Gate Volt Drain aktuell

IDSS ass de Leckstroum tëscht dem Drain an der Quell bei enger spezifescher Drain-Quell Spannung wann d'Gate-Source Spannung null ass. Zënter de Leckstroum eropgeet mat der Temperatur, gëtt IDSS souwuel bei Raum- wéi och bei héijen Temperaturen spezifizéiert. D'Kraaftdissipatioun wéinst Leckstroum kann berechent ginn andeems d'IDSS mat der Spannung tëscht den Drainquellen multiplizéiert gëtt, wat normalerweis negligibel ass.

IGSS - Gate Quell Leckaktuell

IGSS ass de Leckstroum deen duerch d'Paart bei enger spezifescher Gatequellspannung fléisst.

Deel III Dynamic elektresch Charakteristiken

Ciss: Input Kapazitéit

D'Kapazitéit tëscht dem Paart an der Quell, gemooss mat engem AC-Signal andeems d'Drain an d'Quell verkierzt ass, ass d'Input Kapazitéit; Ciss gëtt geformt andeems d'Gate Drain Kapazitéit, Cgd, an d'gatequelle Kapazitéit, Cgs, parallel verbënnt, oder Ciss = Cgs + Cgd. Den Apparat gëtt ageschalt wann d'Input Kapazitéit op eng Schwellspannung gelueden ass, a gëtt ausgeschalt wann et zu engem bestëmmte Wäert entlooss gëtt. Dofir hunn de Chauffer Circuit an Ciss en direkten Impakt op den Turn-on an Tour-Off Verzögerung vum Apparat.

Coss: Output Kapazitéit

D'Ausgangskapazitanz ass d'Kapazitéit tëscht dem Drain an der Quell gemooss mat engem AC Signal wann d'Gatequell verkierzt ass, Coss gëtt geformt andeems d'Drain-Quell Kapazitéit Cds an d'Gate-Drain Kapazitéit Cgd parallel ginn, oder Coss = Cds + Cgd. Fir soft-switching Uwendungen ass Coss ganz wichteg well et Resonanz am Circuit verursaache kann.

Crss: Reverse Transfer Capacitance

D'Kapazitéit gemooss tëscht dem Drain an dem Paart mat der Quell gegrënnt ass déi ëmgedréint Transferkapazitanz. D'Reverse Transfer Kapazitéit ass gläichwäerteg mat der Gate Drain Kapazitéit, Cres = Cgd, a gëtt dacks Miller Kapazitéit genannt, wat ee vun de wichtegste Parameteren fir d'Opstiegs- a Fallzäite vun engem Schalter ass.

Et ass e wichtege Parameter fir d'Schalteropstiegs- a Fallzäiten, an beaflosst och d'Ausschaltverzögerungszäit. D'Kapazitéit hëlt erof wéi d'Drainspannung eropgeet, besonnesch d'Ausgangskapazitanz an d'Reverse Transfer Kapazitéit.

Qgs, Qgd a Qg: Gate Charge

De Paartladungswäert reflektéiert d'Laascht déi um Kondensator tëscht den Klemmen gespäichert ass. Zënter datt d'Laascht um Kondensator mat der Spannung am Moment vum Wiessel ännert, gëtt den Effekt vun der Paartladung dacks berücksichtegt wann Dir Paartdreiwerkreesser designt.

Qgs ass d'Laascht vun 0 op den éischte Inflektiounspunkt, Qgd ass den Deel vum éischten op den zweeten Inflection Point (och "Miller" Charge genannt), a Qg ass den Deel vun 0 bis de Punkt wou VGS gläich ass mat engem spezifesche Drive Spannung.

Ännerungen am Auslafe Stroum a Leckquellspannung hunn e relativ klengen Effekt op de Gateladungswäert, an d'Paartladung ännert sech net mat der Temperatur. D'Testbedingunge ginn uginn. Eng Grafik vun der Gateladung gëtt am Dateblat gewisen, dorënner déi entspriechend Gateladungsvariatiounskurven fir fixe Leckstroum a variéiert Leckquellspannung.

Déi entspriechend Paartladungsvariatiounskurven fir fixen Drainstroum a variéierend Drainquellspannung sinn an den Dateblieder abegraff. An der Grafik klëmmt d'Plateauspannung VGS(pl) manner mat der Erhéijung vum Stroum (a fällt mat der Ofsenkung vum Stroum). D'Plateauspannung ass och proportional zu der Schwellspannung, sou datt eng aner Schwellspannung eng aner Plateauspannung produzéiert.

Spannung.

Déi folgend Diagramm ass méi detailléiert an applizéiert:

td(an): Zäitverzögerungszäit

D'On-Time Verzögerungszäit ass d'Zäit vu wann d'Gatequellspannung op 10% vun der Gate Drive Volt eropgeet bis wann de Leckstroum op 10% vum spezifizéierte Stroum eropgeet.

td(off): Off Verzögerungszäit

D'Ausschaltungsverzögerungszäit ass d'Zäit, déi vergaang ass vu wann d'Gatequellspannung op 90% vun der Gate Drive Volt fällt bis wann de Leckstroum op 90% vum spezifizéierte Stroum fällt. Dëst weist d'Verzögerung erlieft ier de Stroum op d'Laascht transferéiert gëtt.

tr : Rise Time

D'Steigerzäit ass d'Zäit déi et brauch fir den Drainstroum vun 10% op 90% eropzegoen.

tf: Falen Zäit

D'Fallzäit ass d'Zäit déi et brauch fir den Drainstroum vun 90% op 10% ze falen.