Wousst Dir iwwer d'Evolutioun vum MOSFET?

I. Fréi Konzepter an Exploratiounen

Konzept proposéiert:D'Erfindung vum MOSFET kann bis an d'1830er Joren zréckgezunn ginn, wéi d'Konzept vum Feldeffekttransistor vum Däitsche Lilienfeld agefouert gouf. Allerdéngs hunn d'Versich an dëser Period net gelongen, e praktesche MOSFET ze realiséieren.

Eng virleefeg Etude:Duerno hunn d'Bell Labs vum Shaw Teki (Shockley) an anerer och probéiert d'Erfindung vu Feldeffektröhren ze studéieren, awer datselwecht ass net gelongen. Wéi och ëmmer, hir Fuerschung huet de Grondlag fir déi spéider Entwécklung vum MOSFET geluecht.

II. D'Gebuert an d'initial Entwécklung vu MOSFETs

Schlëssel Duerchbroch:Am Joer 1960 hunn de Kahng an den Atalla zoufälleg de MOS-Feldeffekttransistor erfonnt (MOS-Transistor fir kuerz) am Prozess vun der Verbesserung vun der Leeschtung vu bipolare Transistoren mat Siliziumdioxid (SiO2). Dës Erfindung markéiert de formell Entrée vun MOSFETs an der integréiert Circuit Fabrikatioun Industrie.

Leeschtung Verbesserung:Mat der Entwécklung vun der Halbleiterprozesstechnologie gëtt d'Performance vu MOSFETs weider verbessert. Zum Beispill kann d'Betribsspannung vun der Héichspannungsmuecht MOS 1000V erreechen, de Resistenzwäert vu Low-On-Resistenz MOS ass nëmmen 1 Ohm, an d'Betribsfrequenz rangéiert vun DC bis e puer Megahertz.

III. Breet Uwendung vu MOSFETs an technologesch Innovatioun

Vill benotzt:MOSFETs gi wäit a verschiddenen elektroneschen Apparater benotzt, sou wéi Mikroprozessoren, Erënnerungen, Logikkreesser, etc., wéinst hirer exzellenter Leeschtung. A modernen elektroneschen Apparater sinn MOSFETs ee vun den onverzichtbare Komponenten.

Technologesch Innovatioun:Fir den Ufuerderunge vu méi héije Betribsfrequenzen a méi héije Kraaftniveauen z'erreechen, huet IR den éischte Power MOSFET entwéckelt. duerno, vill nei Zorte vu Muecht Apparater goufen agefouert, wéi IGBTs, GTOs, IPMs, etc., a goufen ëmmer méi wäit an Zesummenhang Beräicher benotzt.

Material Innovatioun:Mat dem Fortschrëtt vun der Technologie ginn nei Materialien fir d'Fabrikatioun vu MOSFETs exploréiert; zum Beispill, Silicon Carbide (SiC) Materialien fänken un Opmierksamkeet a Fuerschung ze kréien duerch hir super physesch Properties.SiC Materialien hunn méi héich thermesch Konduktivitéit a verbueden Bandbreedung am Verglach mat konventionelle Si Materialien, wat hir exzellente Eegeschafte wéi héich Stroumdicht, héich bestëmmt. Decompte Feldstäerkt, an héich Operatiounstemperatur.

Véiert, dem MOSFET seng modernste Technologie an Entwécklungsrichtung

Dual Gate Transistoren:Verschidde Technike gi probéiert Dual Gate Transistoren ze maachen fir d'Performance vu MOSFETs weider ze verbesseren. Dual Gate MOS Transistoren hu besser Schrumpfbarkeet am Verglach zum eenzege Gate, awer hir Schrumpfäegkeet ass nach ëmmer limitéiert.

Kuerz Trench Effekt:Eng wichteg Entwécklungsrichtung fir MOSFETs ass de Problem vum Kuerzkanaleffekt ze léisen. De Kuerzkanaleffekt limitéiert d'weider Verbesserung vun der Apparatleistung, sou datt et néideg ass dëse Problem ze iwwerwannen andeems d'Kräizungsdéift vun de Quell- a Drain-Regiounen reduzéiert gëtt, an d'Source- an Drain-PN-Kräizungen duerch Metall-Hallefuederkontakten ersat.