Kuerz iwwer d'Produktiounsmethod vun engem High-Power MOSFET Wärmevergëftungsapparat schwätzen

D'Hëtzt dissipation Apparat ëmfaasst eng huel Struktur casing 100 an engem Circuit Verwaltungsrot 101. Circuit Verwaltungsrot 101 am casing arrangéiert 100. Eng Zuel vun Säit-vun-Säit MOSFETs 102 sinn op béide Enn vun der Circuit Verwaltungsrot verbonne 101 duerch Pins. Et enthält och e Wärmevergëftungsdruckblock 103 fir de MOSFET 102 ze kompriméieren, sou datt de MOSFET 102 no bei der banneschten Mauer vum Haus ass 100. D'Wärmevergëftungsdruckblock 103 huet en éischten zirkuléierende Waasserkanal 104 deen duerch leeft. Den éischten zirkuléierende Waasserkanal 104 ass vertikal mat e puer Side-by-Side MOSFETs 102 arrangéiert.
D'Wärmevergëftungsdruckblock 103 dréckt de MOSFET 102 géint d'Bannenmauer vum Gehäuse 100, an en Deel vun der Hëtzt vum MOSFET 102 gëtt an d'Gehäuse gefouert 100. En aneren Deel vun der Hëtzt gëtt an d'Hëtztvergëftungsblock 103 geleet, an der Wunneng 100 dissipates der Hëtzt an d'Loft. D'Hëtzt vum Wärmevergëftungsblock 103 gëtt vum Killwaasser am éischte zirkuléierende Waasserkanal 104 ewechgeholl, wat d'Wärmevergëftungseffekt vum MOSFET 102 verbessert. 100 gëtt och zum Wärmevergëftungsdrockblock 103 gefouert. Dofir kann den Wärmevergëftungsdrockblock 103 d'Temperatur am Gehäuse weider reduzéieren 100 a verbesseren d'Aarbechtseffizienz an d'Liewensdauer vun anere Komponenten am Logement 100; D'Casing 100 huet eng huel Struktur, sou datt Hëtzt net einfach an der casing 100 accumuléiert ass, sou datt de Circuit Board 101 net iwwerhëtzt a verbrennt. D'Säit Mauer vun der Wunneng 100 gëtt mat enger zweeter Circulatioun Waasser Kanal 105 parallel zu der éischter Circulatioun Waasser Kanal 104, an der zweeter Circulatioun Waasser Kanal 105 no bei der entspriechend MOSFET 102. Déi baussenzeg Mauer vun der Wunneng 100 ass mat enger Hëtzt dissipation Groove 108 gëtt. D'Hëtzt vum Logement 100 gëtt haaptsächlech duerch d'Kältewaasser am zweeten zirkuléierende Waasserkanal 105 ewechgeholl. En aneren Deel vun der Hëtzt gëtt duerch d'Wärmevergëftungsgroove 108 opgeléist, wat d'Wärmevergëftungseffekt vum Haus verbessert 100. D'Hëtztvergëftungsdrockblock 103 gëtt mat verschiddene threaded Lächer 107. D'Wärmevergëftungsdrockblock 103 ass fest mat der banneschten Mauer vun der Wunneng 100 duerch Schrauwen. D'Schrauwen ginn an de threaded Lächer vum Wärmevergëftungsdruckblock 103 vun de threaded Lächer op de Säitewänn vum Haus 100 geschrauft.

An der heiteger Erfindung verlängert engem Verbindung Stéck 109 aus dem Rand vun der Hëtzt dissipation Drock Spär 103. D'Verbindung Stéck 109 ass mat enger Zuel vun threaded Lächer gëtt 107. D'Verbindung Stéck 109 fix op der banneschten Mauer vun der Wunneng verbonnen 100 duerch Schrauwen. Ënnerstëtzung Baren 106 sinn op béide Säiten vun der bannenzeg Mauer vun der Wunneng 100 fir de Circuit Verwaltungsrot 101 ze ënnerstëtzen. Säitewänn vum Wärmevergëftungsdruckblock 103 an den Ënnerstëtzerbarren 106. Während der Installatioun gëtt de Circuit Board 101 fir d'éischt op gesat. der Uewerfläch vun der Ënnerstëtzung Bar 106, an ënnen vun der Hëtzt dissipation Drock Spär 103 géint déi iewescht Uewerfläch vun der Circuit Verwaltungsrot gedréckt 101. Dann, der Hëtzt dissipation Drock Spär 103 op der bannenzeg Mauer vun der Wunneng fix 100 mat Schrauwen. . Eng Spanngroove gëtt tëscht dem Wärmevergëftungsdruckblock 103 an der Supportbar 106 geformt fir de Circuit Board 101 ze klemmen fir d'Installatioun an d'Entfernung vum Circuit Board 101 z'erliichteren. Drockblock 103. Dofir gëtt d'Hëtzt, déi vum Circuit Verwaltungsrot 101 generéiert gëtt, an den Wärmevergëftungsdrockblock 103 gefouert, an den Wärmevergëftungsdrockblock 103 gëtt vum Killwaasser am éischten zirkuléierende Waasserkanal 104 gedroen, sou datt de Circuit Board 101 iwwerhëtzt. an brennen. Am léifsten gëtt en Isoléierfilm tëscht dem MOSFET 102 an der banneschten Mauer vum Gehäuse 100 entsuergt, an en Isoléierfilm gëtt tëscht dem Wärmevergëftungsdruckblock 103 an dem MOSFET 102 entsuergt.

A héich-Muecht MOSFET Hëtzt dissipation Apparat ëmfaasst eng huel Struktur casing 200 an engem Circuit Verwaltungsrot 202. Circuit Verwaltungsrot 202 ass am casing arrangéiert 200. Eng Zuel vun Säit-vun-Säit MOSFETs 202 sinn respektiv u béid Enden vun der Circuit ugeschloss. Board 202 duerch Pins, an enthält och e Wärmevergëftungsdrockblock 203 fir d'MOSFETs ze kompriméieren 202 sou datt d'MOSFETs 202 no bei der banneschten Mauer vum Haus 200 sinn. Eng éischt zirkuléierend Waasser Kanal 204 leeft duerch d'Wärmevergëftung Drock Spär 203. Déi éischt zirkuléierend Waasser Kanal 204 ass vertikal mat e puer Säit-vun-Säit MOSFETs arrangéiert 202. D'Säit Mauer vun der Réibau ass mat engem Hëtzt dissipation Päif 205 senkrecht op den éischten zirkuléierende Waasserkanal 204, an een Enn vun der Wärmevergëftungsleitung 205 gëtt zur Verfügung gestallt mat engem Hëtzt dissipation Kierper 206. Déi aner Enn ass zougemaach, an der Hëtzt dissipation Kierper 206 an der Hëtzt dissipation Päif 205 Form engem zouenen banneschten Kavitéit, an refrigerant am banneschten Kavitéit arrangéiert. MOSFET 202 generéiert Hëtzt a verdampft de Kältemëttel. Beim Verdampfung absorbéiert se d'Hëtzt vum Heizungs Enn (no beim MOSFET 202 Enn), a fléisst dann vum Heizungs Enn an d'Kühlend (ewech vum MOSFET 202 Enn). Wann et kal um Ofkillend Enn begéint, léisst et Hëtzt op déi baussenzeg Peripherie vun der Röhrewand eraus. D'Flëssegkeet fléisst dann an d'Heizungsend, sou datt en Hëtztofléisungskrees bilden. Dës Wärmevergëftung duerch Verdampfung a Flëssegkeet ass vill besser wéi d'Hëtztvergëftung vu konventionelle Wärmeleiter. Hëtzt dissipation Kierper 206 ëmfaasst eng Hëtzt dissipation Ring 207 fix mat der Hëtzt dissipation Päif verbonnen 205 an engem Hëtzt dissipation fin 208 fix un der Hëtzt dissipation Ring verbonnen 207; D'Wärmevergëftungsfin 208 ass och fix mat engem Kühlfan 209 verbonnen.

D'Hëtzt dissipation Ring 207 an der Hëtzt dissipation Päif 205 hunn eng laang fit Distanz, sou datt Hëtzt dissipation Ring 207 séier d'Hëtzt an der Hëtzt dissipation Päif 205 zu der Hëtzt ënnerzegoen Transfermaart 208 séier Hëtzt dissipation ze erreechen.