Analyse vu wichtegen Ursaachen vun der MOSFET Hëtzt Generatioun

N Typ, P Typ MOSFET Aarbechtsprinzip vun der Essenz ass d'selwecht, MOSFET gëtt haaptsächlech op d'Input Säit vun der Gatespannung bäigefüügt fir d'Ausgangssäit vum Drainstroum erfollegräich ze kontrolléieren, MOSFET ass e Spannungskontrolléierten Apparat, duerch d'Spannung dobäigesat. op d'Paart fir d'Charakteristike vum Apparat ze kontrolléieren, am Géigesaz zu der Triode fir Schaltzäit ze maachen wéinst dem Basisstroum verursaacht vum Ladungsspeichereffekt, beim Schalten vun Uwendungen, MOSFET's In Applikatiounen wiesselen,MOSFET an Schaltgeschwindegkeet ass méi séier wéi déi vun Triode.

An der Schaltkraaftversuergung, allgemeng benotzt MOSFET Open Drain Circuit, ass den Drain un d'Laascht verbonne wéi et ass, genannt Open Drain, Open Drain Circuit, d'Laascht ass verbonne mat wéi héich d'Spannung, fäeg ass unzeschalten, auszeschalten Laaschtstroum, ass den ideale analoge Schaltapparat, wat de Prinzip vum MOSFET ass fir Schaltgeräter ze maachen, de MOSFET fir Schalter a Form vu méi Circuits ze maachen.

Wat d'Schalten vun der Energieversuergungsapplikatioun ugeet, erfuerdert dës Applikatioun MOSFETs fir periodesch ze féieren, auszeschalten, sou wéi DC-DC Stroumversuergung déi allgemeng am Basis Buck Konverter benotzt gëtt, hänkt op zwee MOSFETs fir d'Schaltfunktioun auszeféieren, dës Schalter ofwiesselnd am Induktor fir Energie ze späicheren, d'Energie op d'Laascht fräiginn, dacks wielen Honnerte vu kHz oder souguer méi wéi 1 MHz, haaptsächlech well wat méi héich d'Frequenz dann ass, wat d'magnetesch Komponenten méi kleng sinn. Wärend der normaler Operatioun ass de MOSFET gläichwäerteg mat engem Dirigent, zum Beispill High-Power MOSFETs, Klengspannungs-MOSFETs, Circuiten, Stroumversuergung ass de Minimum Leedungsverloscht vun der MOS.

MOSFET PDF Parameteren, MOSFET Hiersteller hunn den RDS (ON) Parameter erfollegräich ugeholl fir d'On-State Impedanz ze definéieren, fir Uwendungen ze wiesselen, RDS (ON) ass déi wichtegst Apparatcharakteristik; datasheets definéieren RDS (ON), der Gate (oder fueren) Volt VGS an aktuell duerch de schalt fléissendem Zesummenhang, fir adäquate Gate fueren, RDS (ON) ass eng relativ statesch Parameter; MOSFETs, déi an der Leedung gewiescht sinn, sinn ufälleg fir Hëtztgeneratioun, a lues eropgoen Kräizungstemperaturen kënnen zu enger Erhéijung vun der RDS (ON) féieren;MOSFET Datasheets spezifizéieren den thermesche Impedanzparameter, deen definéiert ass wéi d'Fäegkeet vum Hallefleitverbindung vum MOSFET Package fir Hëtzt ze verleeden, an RθJC ass einfach definéiert als d'Kräizung-zu-Fall thermesch Impedanz.

1, d'Frequenz ass ze héich, heiansdo iwwer-verfollegt de Volume, wäert direkt zu héich Frequenz Féierung, MOSFET op de Verloscht vergréissert, der Groussregioun Hëtzt, maachen net eng gutt Aarbecht vun adäquate Hëtzt dissipation Design, héich aktuell, der nominal aktuelle Wäert vun der MOSFET, de Besoin fir eng gutt Hëtzt dissipation ze erreechen kënnen; ID ass manner wéi de maximale Stroum, kann e seriöse Hëtzt sinn, de Besoin fir adäquat Hilfsheizkierper.

2, MOSFET Selektiounsfehler a Feeler am Power Uerteel, MOSFET intern Resistenz gëtt net voll berücksichtegt, wäert direkt zu enger verstäerkter Schaltimpedanz féieren, wann Dir mat MOSFET Heizproblemer handelt.

3, wéinst Circuit Design Probleemer, déi zu Hëtzt resultéieren, sou datt de MOSFET an engem linearem Operatiounszoustand funktionnéiert, net am Schaltzoustand, wat eng direkt Ursaach vun der MOSFET Heizung ass, zum Beispill, N-MOS schalten, de G- Niveau Spannung muss méi héich sinn wéi d'Energieversuergung vun e puer V, fir fäeg ze sinn voll ze féieren, ass de P-MOS anescht; an der Verontreiung vun engem voll oppen, de Spannungsfall ass ze grouss, déi zu Muecht Konsum Resultat wäert, der gläichwäerteg DC Impedanz ass méi grouss, d'Spannungsfall wäert och eropgoen, U * ech wäert och eropgoen, de Verloscht féiert zu Hëtzt.