Iwwert d'Aarbechtsprinzip vun der Muecht MOSFET

Et gi vill Variatiounen vun Circuit Symboler allgemeng fir MOSFETs benotzt. Deen heefegsten Design ass eng riicht Linn déi de Kanal representéiert, zwou Linnen senkrecht zum Kanal representéieren d'Quell an d'Drain, an eng méi kuerz Linn parallel zum Kanal op der lénker déi de Paart representéiert. Heiansdo gëtt déi riicht Linn, déi de Kanal duerstellt, och duerch eng gebrach Linn ersat fir tëscht Erweiderungsmodus z'ënnerscheedenmosfet oder Ausarmmodus Mosfet, déi och an N-Kanal MOSFET an P-Kanal MOSFET zwou Zorte Circuit Symboler ënnerdeelt ass wéi an der Figur gewisen (D'Richtung vum Pfeil ass anescht).

Power MOSFETs funktionnéieren op zwou Haapt Weeër:

(1) Wann eng positiv Spannung op D a S bäigefüügt gëtt (Drain positiv, Quell negativ) an UGS = 0, ass de PN Kräizung an der P Kierperregioun an der N Drain Regioun ëmgedréint biased, an et gëtt kee Stroum tëscht D a S. Wann eng positiv Spannung UGS tëscht G an S dobäi ass, fléisst kee Paartstroum well d'Paart isoléiert ass, awer eng positiv Spannung um Paart dréckt d'Lächer ewech vun der P Regioun drënner, an d'Minoritéitsträgerelektronen ginn op d'P-Regioun Uewerfläch ugezunn. antipattern Layer N-Typ semiconductor; dëser antipattern Layer Formen engem N-Typ Kanal tëscht der Quell an Drain, sou datt de PN Kräizung verschwënnt, Quelltext an Drain konduktiv, an engem Drain aktuell ID leeft duerch d'Drain. UT gëtt d'Uschaltspannung oder d'Schwellspannung genannt, a wat méi UGS den UT iwwerschreift, dest méi konduktiv ass d'Konduktivfäegkeet, a wat méi grouss ass d'ID. Wat méi grouss den UGS iwwerschreift UT, wat méi staark d'Konduktivitéit ass, dest méi grouss ass d'ID.

(2) Wann D, S plus negativ Spannung (Quell positiv, Drain negativ), ass de PN Kräizung no vir biased, gläichwäerteg zu enger interner ëmgedréint Diode (huet keng séier Äntwert Charakteristiken), dat heeschtMOSFET huet keng ëmgedréint Blockéierungsfäegkeet, kann als ëmgedréint Leedungskomponent ugesi ginn.

Vun derMOSFET Prinzip vun der Operatioun kann gesi ginn, seng Leedung nëmmen eng Polaritéit Träger an der conductive involvéiert, also och bekannt als unipolar transistor.MOSFET fueren ass oft baséiert op der Muecht Fourniture IC an MOSFET Parameteren déi entspriechend Circuit ze wielen, ass MOSFET allgemeng fir schalt benotzt Stroumversuergung Drive Circuit. Wann Dir eng Schaltkraaftversuergung mat engem MOSFET designt, betruechten déi meescht Leit d'On-Resistenz, maximal Spannung a maximal Stroum vum MOSFET. Allerdéngs betruecht d'Leit ganz dacks nëmmen dës Faktoren, sou datt de Circuit richteg funktionnéiert, awer et ass keng gutt Designléisung. Fir e méi detailléierten Design soll de MOSFET och seng eege Parameterinformatioun berücksichtegen. Fir e definitive MOSFET, wäert säi Fuerkreeslaf, de Peakstroum vum Driveoutput, etc., d'Schaltleistung vum MOSFET beaflossen.