Neiegkeeten

Neiegkeeten

  • CMS8H1213 MCU Cmsemicon® Package SSOP24 Batch 24+

    CMS8H1213 MCU Cmsemicon® Package SSOP24 Batch 24+

    Cmsemicon® MCU Modell CMS8H1213 ass eng héich-Präzisioun Miessung SoC baséiert op RISC Kär, haaptsächlech an héich-Präzisioun Miessunge Felder benotzt wéi mënschlech Skalen, Kichen Skalen a Loft Pompelen. Déi folgend wäerten déi detailléiert Parameter vun ...
    Liest méi
  • Original Spot CMS79F726 Package SOP20 Touch Knäppchen 8-Pin Mikrokontroller Chip

    Original Spot CMS79F726 Package SOP20 Touch Knäppchen 8-Pin Mikrokontroller Chip

    Déi detailléiert Parameter vum Cmsemicon® MCU Modell CMS79F726 enthalen datt et en 8-Bit Mikrokontroller ass, an d'Betribspannungsbereich ass 1,8V bis 5,5V. Dëse Mikrokontroller huet 8Kx16 FLASH an 256x8 RAM, an ass och mat 128x8 Pro EE ausgestatt ...
    Liest méi
  • PCM3360Q High-Performance elektronesch Komponenten Cmsemicon® Package QFN32

    PCM3360Q High-Performance elektronesch Komponenten Cmsemicon® Package QFN32

    Den Zhongwei Modell PCM3360Q ass en High-Performance Audio Analog-zu-Digital Konverter (ADC) haaptsächlech an Auto Audio Systemer benotzt. Et huet 6 ADC Channels, kann Analog Input Signaler veraarbecht, an ënnerstëtzt Differential Input bis zu 10VRMS. Zousätzlech integréiert den Chip programméierbar ...
    Liest méi
  • Analyse vun Verbesserung an Ausschöpfung MOSFETs

    Analyse vun Verbesserung an Ausschöpfung MOSFETs

    D-FET ass an der 0 Gate Bias wann d'Existenz vum Kanal, kann de FET féieren; E-FET ass an der 0 Gate Bias wann et kee Kanal ass, kann de FET net féieren. dës zwou Zorte vu FETs hunn hir eege Charakteristiken a Gebrauch. Am Allgemengen, verstäerkte FET an Héichgeschwindegkeet, Low-Pow ...
    Liest méi
  • Richtlinnen fir MOSFET Package Auswiel

    Richtlinnen fir MOSFET Package Auswiel

    Zweetens, d'Gréisst vun de System Aschränkungen Verschidde elektronesch Systemer sinn duerch d'Gréisst vun der PCB an der intern Héicht limitéiert, wéi Kommunikatioun Systemer, modulare Energieversuergung wéinst Héicht Aschränkungen normalerweis benotzt DFN5 * 6, DFN3 * 3 Package; an e puer ACDC Stroumversuergung, ...
    Liest méi
  • Produktioun Method vun héich Muecht MOSFET dreiwend Circuit

    Produktioun Method vun héich Muecht MOSFET dreiwend Circuit

    Et ginn zwou Haaptléisungen: Ee ass en dedizéierten Chaufferchip fir de MOSFET ze benotzen, oder d'Benotzung vu schnelle Photocouplers, Transistoren bilden e Circuit fir de MOSFET ze fueren, awer déi éischt Aart vun Approche erfuerdert d'Bereetstellung vun enger onofhängeger Energieversuergung; déi aner...
    Liest méi
  • Analyse vu wichtegen Ursaachen vun der MOSFET Hëtzt Generatioun

    Analyse vu wichtegen Ursaachen vun der MOSFET Hëtzt Generatioun

    N Typ, P Typ MOSFET Aarbechtsprinzip vun der Essenz ass d'selwecht, MOSFET gëtt haaptsächlech op d'Input Säit vun der Gatespannung bäigefüügt fir d'Ausgangssäit vum Drainstroum erfollegräich ze kontrolléieren, MOSFET ass e Spannungskontrolléierten Apparat, duerch d'Spannung dobäigesat. zum Paart fir ...
    Liest méi
  • Wéi bestëmmen d'High-Power MOSFET gëtt duerch de Burnout verbrannt

    Wéi bestëmmen d'High-Power MOSFET gëtt duerch de Burnout verbrannt

    (1) MOSFET ass e Spannungsmanipuléierend Element, wärend den Transistor e Stroummanipuléiert Element ass. Am dreiwend Fäegkeet ass net disponibel, fueren aktuell ass ganz kleng, soll MOSFET ausgewielt ginn; an d'Signalspannung ass niddereg, a versprach méi Stroum aus dem ...
    Liest méi
  • EV Dashboards sinn ufälleg fir ze briechen, vläicht huet et eppes mat der Qualitéit vun de benotzte MOSFETs ze dinn

    EV Dashboards sinn ufälleg fir ze briechen, vläicht huet et eppes mat der Qualitéit vun de benotzte MOSFETs ze dinn

    Op dëser Etapp ass de Maart scho laang méi a méi elektresch Gefierer, seng Ëmweltschutzfeatures goufen unerkannt, an et gëtt en Ersatz fir Diesel Brennstoff Mobilitéitsinstrument Entwécklung Trend, elektresch Gefierer sinn och wéi aner Mobilitéitsinstrumenter, den Instr...
    Liest méi
  • Wéi vermeide een MOSFET Echec

    Wéi vermeide een MOSFET Echec

    Op dëser Etapp an der Industrie Applikatioun Niveau, déi éischt klasséiert Konsument elektronesch Apparat Adapter Wueren. An no der Haaptverbrauch vum MOSFET Grëff, ass d'Nofro fir MOSFET op der zweeter Plaz de Computer Motherboard, NB, Computer professionnelle Stroumadapter, LCD Displ ...
    Liest méi
  • Lithium Batterie Laden ass einfach ze beschiedegen, WINSOK MOSFET hëlleft Iech!

    Lithium Batterie Laden ass einfach ze beschiedegen, WINSOK MOSFET hëlleft Iech!

    Lithium als eng nei Zort vun ëmweltfrëndlechen Akkuen, gouf laang no an no an Batterie Autoen benotzt. Onbekannt wéinst de Charakteristiken vu Lithium Eisenphosphat nofëllbaren Batterien, am Gebrauch muss säi Batterie-Ladeprozess sinn fir Ënnerhalt auszeféieren ...
    Liest méi
  • MOSFET Gate Quell Schutz

    MOSFET Gate Quell Schutz

    MOSFET selwer huet vill Virdeeler, mä gläichzäiteg MOSFET huet eng méi sensibel kuerzfristeg Iwwerlaascht Kapazitéit, virun allem an héich-Frequenz Applikatioun Szenarie, sou an der Benotzung vun Muecht MOSFETs muss fir seng efficace Schutz Circuit entwéckelt ginn der stab ze verbesseren. ..
    Liest méi