WST2088A N-Kanal 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WST2088A

BVDS:20 V

RDSON:10,7mΩ

ID:7,5 A

Kanal:N-Kanal

Package:SOT-23-3L

Produit Summer:D'Spannung vum WST2088A MOSFET ass 20V, de Stroum ass 7.5A, d'Resistenz ass 10.7mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass SOT-23-3L.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WST2088A ass déi héchst Leeschtung Trench N-ch MOSFETs mat extrem héijer Zell Dicht, déi excellent RDSON a Gate charge fir déi meescht vun de klenge Muecht schalt a Luede schalt Uwendungen bidden.De WST2088A entsprécht dem RoHS a Green Product Ufuerderung mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Eegeschaften

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, exzellent Cdv / dt Effekt Réckgang, Gréng Gerät verfügbar

Uwendungen

Power Switching Applikatioun, Hard Switched an High Frequency Circuits, Uninterruptible Power Supply, Elektronesch Zigaretten, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.

entspriechend Material Zuel

AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, etc.

Wichteg Parameteren

Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	20	V
VGS	Gate-Source Volt	± 12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V	7.5	A
ID@Tc=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V	4.5	A
IDP	Pulséiert Drain aktuell	24	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipatioun	1.25	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=6A	---	10.7	14	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=2.5V, ID=5A	---	12.8	17
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	0.4	0,63	1.2	V
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Total Gate Charge	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.4	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Rise Time		---	15	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	33	---
Tf	Hierscht Zäit		---	13	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	125	---
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	90	---