WST2088A N-Kanal 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

Produiten

WST2088A N-Kanal 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:


  • Model Number:WST2088A
  • BVDS:20 V
  • RDSON:10,7mΩ
  • ID:7,5 A
  • Kanal:N-Kanal
  • Package:SOT-23-3L
  • Produit Summer:D'Spannung vum WST2088A MOSFET ass 20V, de Stroum ass 7.5A, d'Resistenz ass 10.7mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass SOT-23-3L.
  • Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.
  • Produit Detailer

    Applikatioun

    Produit Tags

    Allgemeng Beschreiwung

    De WST2088A ass déi héchst Leeschtung Trench N-ch MOSFETs mat extrem héich Zell Dicht, déi excellent RDSON a Gate charge fir déi meescht vun de klenge Muecht schalt a Luede schalt Uwendungen ubitt. De WST2088A entsprécht dem RoHS a Green Product Ufuerderung mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

    Fonctiounen

    Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, exzellent Cdv / dt Effekt Réckgang, Gréng Gerät verfügbar

    Uwendungen

    Power Switching Applikatioun, Hard Switched an High Frequency Circuits, Uninterruptible Power Supply, Elektronesch Zigaretten, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.

    entspriechend Material Zuel

    AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, etc.

    Wichteg Parameteren

    Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

    Symbol Parameter Bewäertung Unitéiten
    VDS Drain-Source Volt 20 V
    VGS Gate-Source Volt ±12 V
    ID@Tc=25℃ Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V 7.5 A
    ID@Tc=70℃ Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V 4.5 A
    IDP Pulséiert Drain aktuell 24 A
    PD@TA=25℃ Total Power Dissipatioun 1.25 W
    TSTG Stockage Temperatur Beräich -55 bis 150
    TJ Operatioun Junction Temperaturbereich -55 bis 150
    Symbol Parameter Konditiounen Min. Typ. Max. Eenheet
    BVDS Drain-Source Decompte Volt VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatur Koeffizient Referenz op 25 ℃, ID = 1mA --- 0,018 --- V/℃
    RDS(ON) Statesch Drain-Source On-Resistance2 VGS=4.5V, ID=6A --- 10.7 14
    VGS=2.5V, ID=5A --- 12.8 17
    VGS (eng) Gate Threshold Volt VGS=VDS , ID =250uA 0.4 0,63 1.2 V
    IDSS Drain-Quell Leckaktuell VDS=16V, VGS=0V. --- --- 10 uA
    IGSS Gate-Source Leckaktuell VGS=±12V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    Qg Total Gate Charge VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A --- 10 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.6 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 3.4 ---
    Td (an) Turn-On Delay Time VDS=10V, VGS=4.5V, RG=3.3Ω ID=1A --- 8 --- ns
    Tr Rise Time --- 15 ---
    Td (aus) Ausschalten Verzögerungszäit --- 33 ---
    Tf Hierscht Zäit --- 13 ---
    Ciss Input Kapazitéit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 --- pF
    Coss Output Kapazitéit --- 125 ---
    Crss Ëmgedréit Transfer Kapazitéit --- 90 ---

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis