WST2088 N-Kanal 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WST 2088

BVDS:20 V

RDSON:8m qm

ID:8, 8a

Kanal:N-Kanal

Package:SOT-23-3L

Produit Summer:D'Spannung vum WST2088 MOSFET ass 20V, de Stroum ass 8.8A, d'Resistenz ass 8mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass SOT-23-3L.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, Controller, digital Geräter, kleng Hausgeräter, a Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

D'WST2088 MOSFETs sinn déi fortgeschratt N-Kanal Transistoren um Maart.Si hunn eng onheemlech héich Zell Dicht, déi Resultater an excellent RDSON a Gate charge.Dës MOSFETs si perfekt fir kleng Kraaftschalter a Lastschalter Uwendungen.Si entspriechen RoHS a Green Product Ufuerderunge a si komplett fir Zouverlässegkeet getest ginn.

Eegeschaften

Fortgeschratt Trench Technologie mat héijer Zell Dicht, Super Low Gate Charge, an excellent Cdv / dt Effekt Réckgang, mécht et engem Green Apparat.

Uwendungen

Kraaftapplikatiounen, Circuiten mat haarde Schalter an Héichfrequenz, onënnerbrach Stroumversuergung, E-Zigaretten, Controller, elektronesch Geräter, kleng Hausgeräter a Konsumentelektronik.

entspriechend Material Zuel

AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, etc.

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	20	V
VGS	Gate-Source Volt	± 12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V	8.8	A
ID@Tc=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V	6.2	A
IDP	Pulséiert Drain aktuell	40	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipatioun	1.5	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	-55 bis 150	℃

Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=2.5V, ID=5A	---	10	19	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	0,5	---	1.3	V
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Total Gate Charge	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	16	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.5	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	Rise Time		---	13	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	28	---
Tf	Hierscht Zäit		---	7	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1400	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	170	---
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	135	---