WST2078 N&P Kanal 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WST 2078

BVDS:20V/-20V

RDSON:45 mΩ/65 mΩ

ID:3.8A/-4.5A

Kanal:N&P Kanal

Package:SOT-23-6L

Produit Summer:De WST2078 MOSFET huet Spannungsbewäertunge vun 20V an -20V. Et kann Stréimunge vun 3.8A an -4.5A handhaben, an huet Resistenzwäerter vu 45mΩ an 65mΩ. De MOSFET huet béid N&P Channel Fäegkeeten a kënnt an engem SOT-23-6L Package.

Uwendungen:E-Zigaretten, Controller, digital Produkter, Apparater, a Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WST2078 ass dee beschten MOSFET fir kleng Kraaftschalter a Lastapplikatiounen. Et huet eng héich Zell Dicht déi excellent RDSON a Gate charge gëtt. Et entsprécht de RoHS a Green Product Ufuerderunge a gouf fir voll Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt Technologie mat héich Zell Dicht Trenches, extrem niddereg Gate charge, an excellent Reduktioun vun Cdv / dt Effekter. Dësen Apparat ass och ëmweltfrëndlech.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Laascht Synchron-Kleng Kraaftschaltung ass perfekt fir ze benotzen an MB/NB/UMPC/VGA, Netzwierker DC-DC Stroumsystemer, Lastschalter, E-Zigaretten, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater a Konsument elektronesch.

entspriechend Material Zuel

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung		Unitéiten
Symbol	Parameter	N-Kanal	P-Kanal	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	20	-20	V
VGS	Gate-Source Volt	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipation 3	1.4	1.4	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V, ID=1A	---	85	120
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	0,5	0.7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Gate Resistenz	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Total Gate Charge (4.5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.1	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Rise Time		---	13	23
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	15	28
Tf	Hierscht Zäit		---	3	5.5
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	51	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	52	---