WSR200N08 N-Kanal 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSR200N08

BVDS:80v vun

RDSON:2,9mΩ

ID:200 A

Kanal:N-Kanal

Package:TO-220-3L

Produit Summer:De WSR200N08 MOSFET kann bis zu 80 Volt an 200 Ampere mat enger Resistenz vun 2,9 Milliohms handhaben. Et ass en N-Kanal Apparat a kënnt an engem TO-220-3L Package.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Batteriemanagementsystemer, Backupkraaftquellen, onbemannt Loftfaart, Gesondheetsgeräter, elektresch Gefierer Opluedausrüstung, Kontrollunitéiten, 3D Dréckmaschinnen, elektronesch Geräter, kleng Hausgeräter, a Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSR200N08 ass den héchste Leeschtung Trench N-Ch MOSFET mat extrem héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubidden. De WSR200N08 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung, 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, exzellente CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar.

Uwendungen

Schaltapplikatioun, Power Management fir Inverter Systemer, Elektronesch Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, BMS, Noutkraaftversuergung, Dronen, medizinesch, Autosladung, Controller, 3D Dréckeren, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.

entspriechend Material Zuel

AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Wichteg Parameteren

Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	80	V
VGS	Gate-Source Volt	± 25	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum2,TC=25°C	790	A
EAS	Avalanche Energie, Eenzelpuls, L=0,5mH	1496	mJ
IAS	Lawinestroum, Eenzelpuls, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	345	W
PD@TC=100℃	Total Power Dissipation 4	173	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 175	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	175	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	Gate Resistenz	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Total Gate Charge (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	31	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	75	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Rise Time		---	18	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	42	---
Tf	Hierscht Zäit		---	54	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8 154	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	1029	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	650	---