WSR140N12 N-Kanal 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSR140N12

BVDS:120 V

RDSON:5m qm

ID:140 A

Kanal:N-Kanal

Package:TO-220-3L

Produit Summer:D'Spannung vum WSR140N12 MOSFET ass 120V, de Stroum ass 140A, d'Resistenz ass 5mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass TO-220-3L.

Uwendungen:Energieversuergung, medezinesch, grouss Apparater, BMS etc.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSR140N12 ass den héchste Leeschtung Trench N-ch MOSFET mat extrem héich Zell Dicht, déi excellent RDSON a Gate charge fir déi meescht vun der Synchron- Buck Converter Uwendungen ubitt.De WSR140N12 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung, 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Eegeschaften

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, Excellent CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchron Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Stroumversuergung, medizinesch, grouss Apparater, BMS etc.

entspriechend Material Zuel

ST STP40NF12 etc.

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	120	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (TC=25℃)	140	A
IDM	Pulséiert Drain aktuell	330	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energie	400	mJ
PD	Total Power Dissipation... C=25℃)	192	W
RθJA	Thermesch Resistenz, Kräizung-Ambiente	62	℃/W
RθJC	Thermesch Resistenz, Kräizung-Fall	0,65	℃/W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Total Gate Charge	VDS=50V, VGS=10V, ID=15A	---	68,9	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	18.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	15.9	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Rise Time		---	33,0	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	59,5	---
Tf	Hierscht Zäit		---	11.7	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz	---	5823	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	778,3	---
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	17.5	---