WSP6067A N&P-Kanal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSP6067A

BVDS:60V/-60V

RDSON:38 mΩ/80 mΩ

ID:7A/-5A

Kanal:N&P-Kanal

Package:SOP-8

Produit Summer:De WSP6067A MOSFET huet e Spannungsberäich vu 60 Volt positiv an negativ, e Stroumberäich vu 7 Ampere positiv a 5 Ampere negativ, e Resistenzberäich vun 38 Milliohms an 80 Milliohms, en N&P-Kanal, a gëtt am SOP-8 verpackt.

Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Dronen, Gesondheetsariichtung, Autosladere, Kontrollen, digital Geräter, kleng Apparater, an Elektronik fir Konsumenten.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

D'WSP6067A MOSFETs sinn déi fortgeschratt fir Trench P-ch Technologie, mat enger ganz héijer Dicht vun Zellen. Si liwweren exzellent Leeschtung a punkto RDSON a Paartladung, gëeegent fir déi meescht synchron Buck Konverter. Dës MOSFETs treffen RoHS a Green Product Critèrë, mat 100% EAS déi voll funktionell Zouverlässegkeet garantéiert.

Fonctiounen

Fortgeschratt Technologie erméiglecht eng héich-Dicht Zell Trench Formatioun, doraus an super niddereg Gate charge an super CdV / dt Effekt Zerfall. Eis Apparater kommen mat enger 100% EAS Garantie a sinn ëmweltfrëndlech.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinescht Ausrüstung, Autosladere, Controller, elektronesch Geräter, kleng Hausgeräter a Konsumentelektronik .

entspriechend Material Zuel

AOS

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung		Unitéiten
Symbol	Parameter	N-Kanal	P-Kanal	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	60	-60	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	± 20	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	4.0	-2.5	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	28	-20	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	22	28	mJ
IAS	Avalanche Aktuell	21	-24	A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	2.0	2.0	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Gate Resistenz	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Total Gate Charge (4.5V)	VDS=48V, VGS=4.5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.1	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=30V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Rise Time		---	34	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	23	---
Tf	Hierscht Zäit		---	6	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	65	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	45	---