WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

Produiten

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:


  • Model Number:WSP4888
  • BVDS:30 V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9, 8a
  • Kanal:Dual N-Kanal
  • Package:SOP-8
  • Produit Summer:D'Spannung vum WSP4888 MOSFET ass 30V, de Stroum ass 9.8A, d'Resistenz ass 13.5mΩ, de Kanal ass Dual N-Channel, an de Package ass SOP-8.
  • Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Dronen, Gesondheetsariichtung, Autosladere, Kontrollen, digital Geräter, kleng Apparater, an Elektronik fir Konsumenten.
  • Produit Detailer

    Applikatioun

    Produit Tags

    Allgemeng Beschreiwung

    De WSP4888 ass en héich performant Transistor mat enger dichter Zellstruktur, ideal fir an synchron Buck Konverter ze benotzen. Et bitt exzellent RDSON- a Gatekäschten, wat et zu enger Topwahl fir dës Uwendungen mécht. Zousätzlech entsprécht de WSP4888 souwuel RoHS a Green Product Ufuerderunge a kënnt mat enger 100% EAS Garantie fir zouverléisseg Funktioun.

    Fonctiounen

    Fortgeschratt Trench Technologie weist héich Zelldicht a super niddereg Paartladung, reduzéiert den CdV / dt Effekt wesentlech. Eis Apparater kommen mat enger 100% EAS Garantie an ëmweltfrëndlech Optiounen.

    Eis MOSFETs ënnerleien strikt Qualitéitskontrollmoossnamen fir ze garantéieren datt se den héchste Industrienormen entspriechen. All Eenheet gëtt grëndlech getest fir Leeschtung, Haltbarkeet an Zouverlässegkeet, fir e laangt Produktliewen ze garantéieren. Säin robusten Design erméiglecht et extrem Aarbechtskonditiounen ze widderstoen, onënnerbrach Ausrüstungsfunktionalitéit garantéiert.

    Kompetitiv Präisser: Trotz hirer superieure Qualitéit sinn eis MOSFETs héich kompetitiv Präisser, déi bedeitend Käschte spueren ouni d'Leeschtung ze kompromittéieren. Mir gleewen datt all Konsumenten Zougang zu héichwäertege Produkter hunn, an eis Präisstrategie reflektéiert dëst Engagement.

    Breet Kompatibilitéit: Eis MOSFETs si kompatibel mat enger Vielfalt vun elektronesche Systemer, sou datt se eng versatile Wiel fir Hiersteller an Endverbraucher maachen. Et integréiert nahtlos an existéierend Systemer, verbessert d'Gesamtleistung ouni gréisser Designmodifikatiounen ze erfuerderen.

    Uwendungen

    Héichfrequenz Point-of-Load Synchronous Buck Converter fir Benotzung a MB/NB/UMPC/VGA Systemer, Networking DC-DC Power Systems, Load Switches, E-Zigaretten, Wireless Chargers, Motors, Drones, Medical equipment, Car Chargers, Controllers , Digital Produkter, Kleng Hausgeräter, a Konsumentelektronik.

    entspriechend Material Zuel

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Wichteg Parameteren

    Symbol Parameter Bewäertung Unitéiten
    VDS Drain-Source Volt 30 V
    VGS Gate-Source Volt ± 20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Pulséiert Drain Stroum 2 45 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 25 mJ
    IAS Avalanche Aktuell 12 A
    PD@TA=25℃ Total Power Dissipation 4 2.0 W
    TSTG Stockage Temperatur Beräich -55 bis 150
    TJ Operatioun Junction Temperaturbereich -55 bis 150
    Symbol Parameter Konditiounen Min. Typ. Max. Eenheet
    BVDS Drain-Source Decompte Volt VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS Temperatur Koeffizient Referenz op 25 ℃, ID = 1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS(ON) Statesch Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V, ID=8.5A --- 13.5 18
           
        VGS=4.5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS (eng) Gate Threshold Volt VGS=VDS , ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) Temperatur Koeffizient   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Drain-Quell Leckaktuell VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Source Leckaktuell VGS=±20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Gate Resistenz VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Total Gate Charge (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.5 ---
    Td (an) Turn-On Delay Time VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Rise Time --- 9.2 19
    Td (aus) Ausschalten Verzögerungszäit --- 19 34
    Tf Hierscht Zäit --- 4.2 8
    Ciss Input Kapazitéit VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Output Kapazitéit --- 98 112
    Crss Ëmgedréit Transfer Kapazitéit --- 59 91

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis