WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSP4447

BVDS:-40 V

RDSON:13m Ω

ID:-11 A

Kanal:P-Kanal

Package:SOP-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSP4447 MOSFET ass -40V, de Stroum ass -11A, d'Resistenz ass 13mΩ, de Kanal ass P-Channel, an de Package ass SOP-8.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Dronen, medizinesch Geräter, Auto-Ladegeräter, Controller, digital Produkter, kleng Apparater, a Konsumentelektronik.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSP4447 ass en top performant MOSFET deen Trenchtechnologie benotzt an eng héich Zelldicht huet.Et bitt exzellent RDSON a Gate Charge, sou datt et gëeegent ass fir an de meeschte Synchron-Buck Converter Uwendungen ze benotzen.De WSP4447 entsprécht RoHS a Green Product Standards, a kënnt mat 100% EAS Garantie fir voll Zouverlässegkeet.

Eegeschaften

Fortgeschratt Trench Technologie erlaabt eng méi héich Zell Dicht, doraus zu engem Green Apparat mat Super Low Gate Charge an excellent CdV / dt Effekt Réckgang.

Uwendungen

Héichfrequenz Konverter fir eng Vielfalt vun Elektronik
Dëse Konverter ass entworf fir effizient eng breet Palette vun Apparater ze kreéieren, dorënner Laptops, Spillkonsolen, Netzwierkausrüstung, E-Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Dronen, medizinesch Geräter, Autosladere, Controller, digital Produkter, kleng Hausgeräter a Konsument. elektronesch.

entspriechend Material Zuel

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	-40	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID@TA=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-9,0	A
IDM a	300µs gepulste Drainstroum (VGS=-10V)	-44	A
EAS b	Avalanche Energie, Eenzelpuls (L=0,1mH)	54	mJ
IAS b	Lawinestroum, Eenzelpuls (L=0,1mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipation 4	2.0	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = -1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-4.5V, ID=-5A	---	18	26
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Total Gate Charge (-4.5V)	VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	5.2	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	8	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Rise Time		---	12	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	41	---
Tf	Hierscht Zäit		---	22	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	235	---
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	180	---