WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSP4099

BVDS:-40 V

RDSON:30mΩ

ID:-6,5 A

Kanal:Dual P-Kanal

Package:SOP-8

Produit Summer:De WSP4099 MOSFET huet eng Spannung vun -40V, e Stroum vun -6.5A, eng Resistenz vun 30mΩ, en Dual P-Channel, a kënnt an engem SOP-8 Package.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, Dronen, medizinesch, Autosladere, Controller, Digital Produkter, kleng Apparater, Konsumentelektronik.

Schécken Ufro PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSP4099 ass e mächtege Trench P-ch MOSFET mat enger héijer Zelldicht. Et liwwert exzellent RDSON a Gate Charge, sou datt et gëeegent ass fir déi meescht synchron Buck Konverter Uwendungen. Et entsprécht RoHS a GreenProduct Standarden an huet 100% EAS Garantie mat voller Funktioun Zouverlässegkeet Genehmegung.

Fonctiounen

Fortgeschratt Trench Technologie mat héijer Zell Dicht, ultra-niddereg Gate charge, excellent CdV / dt Effekt Zerfall an eng 100% EAS Garantie sinn all Fonctiounen vun eise gréngen Apparater déi einfach sinn.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchronous Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, Digital Produkter , kleng Haushaltsapparater, a Konsumentelektronik.

entspriechend Material Zuel

OP FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	-40	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	-22	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	25	mJ
IAS	Avalanche Aktuell	-10	A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	2.0	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = -1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V, ID=-6.5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-4.5A	---	46	62	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.5	-2.0	-2.5	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Total Gate Charge (-4.5V)	VDS=-20V, VGS=-4.5V, ID=-6.5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.4	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.5	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Rise Time		---	7	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	31	---
Tf	Hierscht Zäit		---	17	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	98	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	72	---