WSP4088 N-Kanal 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSP4088

BVDS:40 V

RDSON:13m Ω

ID:11 A

Kanal:N-Kanal

Package:SOP-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSP4088 MOSFET ass 40V, de Stroum ass 11A, d'Resistenz ass 13mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass SOP-8.

Uwendungen:Elektronesch Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, Dronen, medizinesch, Autosladung, Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSP4088 ass den héchste Leeschtung Trench N-Kanal MOSFET mat ganz héijer Zelldicht déi exzellente RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubitt.WSP4088 entsprécht RoHS a gréng Produit Ufuerderunge, 100% EAS Garantie, voll Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Eegeschaften

Zouverlässeg a robust, Bleifräi a gréng Geräter verfügbar

Uwendungen

Power Management am Desktop Computer oder DC / DC Konverter, Elektronesch Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, Dronen, medizinesch, Autosladung, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.

entspriechend Material Zuel

AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 etc.

Wichteg Parameteren

Absolut maximal Bewäertungen (TA = 25 C Wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter		Bewäertung	Eenheet
Gemeinsam Bewäertungen
VDSS	Drain-Source Volt		40	V
VGSS	Gate-Source Volt		± 20	V
TJ	Maximal Kräizung Temperatur		150	°C
TSTG	Stockage Temperatur Beräich		-55 bis 150	°C
IS	Diode kontinuéierlech Forward aktuell	TA = 25°C	2	A
ID	Kontinuéierlech Drain aktuell	TA = 25°C	11	A
ID	Kontinuéierlech Drain aktuell	TA = 70°C	8.4
IDM a	Pulséiert Drain aktuell	TA = 25°C	30
PD	Maximal Power Dissipatioun	TA = 25°C	2.08	W
PD	Maximal Power Dissipatioun	TA = 70°C	1.3	W
RqJA	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient	t £10s	30	°C/W
RqJA	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient	Steady Staat	60
RqJL	Thermesch Resistenz-Kräizung zu Lead	Steady Staat	20
IAS b	Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod	L = 0,1 mH	23	A
EAS b	Avalanche Energy, Single Puls	L = 0,1 mH	26	mJ

Note a:Max.Stroum ass limitéiert duerch Bindungsdraht.
Note b:UIS getest a Puls Breet limitéiert duerch maximal Kräizung Temperatur 150oC (Ufankstemperatur Tj = 25oC).

Elektresch Charakteristiken (TA = 25 C Wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Test Konditiounen		Min.	Typ.	Max.	Eenheet
Statesch Charakteristiken
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Volt Drain aktuell		TJ = 85°C	-	-	30	mA
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VDS=VGS, IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Gate Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
RDS(ON) c	Drain-Quell Op-Staat Resistenz	VGS=10V, IDS=7A		-	10.5	13	mW
			TJ = 125°C	-	15.75	-
		VGS=4.5V, IDS=5A		-	12	16
Gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, IDS=15A		-	31	-	S
Diode Charakteristiken
VSD c	Diode Forward Volt	ISD=10A, VGS=0V		-	0.9	1.1	V
trr	Ëmgedréint Erhuelung Zäit	VDD=20V, ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	Opluedzäit			-	9.4	-
tb	Entladungszäit			-	5.8	-
Qrr	Reverse Recovery Charge			-	9.5	-	nC
Dynamesch Charakteristiken d
RG	Gate Resistenz	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0.7	1.1	1.8	W
Ciss	Input Kapazitéit	VGS=0V,VDS=20V,Frequenz=1.0MHz		-	1125	-	pF
Coss	Output Kapazitéit			-	132	-
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit			-	70	-
td(ON)	Opzemaachen Verzögerung Time	VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	Opzemaachen Rise Time			-	10	-
td(OFF)	Ausschalten Verzögerungszäit			-	23.6	-
tf	Ausschalten Fall Time			-	6	-
Gate Charge Characteristics d
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A		-	20	28
Qgt	Threshold Gate Charge			-	2	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	3.9	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-