WSP4088 N-Kanal 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeng Beschreiwung
De WSP4088 ass den héchste Leeschtung Trench N-Kanal MOSFET mat ganz héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Paartladung fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubitt. WSP4088 entsprécht RoHS a gréng Produit Ufuerderunge, 100% EAS Garantie, voll Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.
Fonctiounen
Zouverlässeg a robust, Bleifräi a gréng Geräter verfügbar
Uwendungen
Power Management am Desktop Computer oder DC / DC Konverter, Elektronesch Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, Dronen, medizinesch, Autosladung, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, asw.
entspriechend Material Zuel
AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 etc.
Wichteg Parameteren
Absolut maximal Bewäertungen (TA = 25 C Wann net anescht uginn)
| Symbol | Parameter | Bewäertung | Eenheet | |
| Gemeinsam Bewäertungen | ||||
| VDSS | Drain-Source Volt | 40 | V | |
| VGSS | Gate-Source Volt | ± 20 | ||
| TJ | Maximal Kräizung Temperatur | 150 | °C | |
| TSTG | Stockage Temperatur Beräich | -55 bis 150 | ||
| IS | Diode kontinuéierlech Forward aktuell | TA = 25°C | 2 | A |
| ID | Kontinuéierlech Drain aktuell | TA = 25°C | 11 | A |
| TA = 70°C | 8.4 | |||
| IDM a | Pulséiert Drain aktuell | TA = 25°C | 30 | |
| PD | Maximal Power Dissipatioun | TA = 25°C | 2.08 | W |
| TA = 70°C | 1.3 | |||
| RqJA | Thermesch Resistenz-Kräizung zu Ambient | t £ 10s | 30 | °C/W |
| Steady Staat | 60 | |||
| RqJL | Thermesch Resistenz-Kräizung zu Lead | Steady Staat | 20 | |
| IAS b | Avalanche aktuell, Single Pulsatiounsperiod | L = 0,1 mH | 23 | A |
| EAS b | Avalanche Energy, Single Puls | L = 0,1 mH | 26 | mJ |
Note a:Max. Stroum ass limitéiert duerch Bindungsdraht.
Note b:UIS getest a Puls Breet limitéiert duerch maximal Kräizung Temperatur 150oC (Ufankstemperatur Tj = 25oC).
Elektresch Charakteristiken (TA = 25 C Wann net anescht uginn)
| Symbol | Parameter | Test Konditiounen | Min. | Typ. | Max. | Eenheet | |
| Statesch Charakteristiken | |||||||
| BVDS | Drain-Source Decompte Volt | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Zero Gate Volt Drain aktuell | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ = 85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS (eng) | Gate Threshold Volt | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Gate Leckaktuell | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| RDS(ON) c | Drain-Quell Op-Staat Resistenz | VGS=10V, IDS=7A | - | 10.5 | 13 | mW | |
| TJ = 125°C | - | 15.75 | - | ||||
| VGS=4.5V, IDS=5A | - | 12 | 16 | ||||
| Gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, IDS=15A | - | 31 | - | S | |
| Diode Charakteristiken | |||||||
| VSD c | Diode Forward Volt | ISD=10A, VGS=0V | - | 0.9 | 1.1 | V | |
| trr | Ëmgedréint Erhuelung Zäit | VDD=20V, ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms | - | 15.2 | - | ns | |
| ta | Opluedzäit | - | 9.4 | - | |||
| tb | Entladungszäit | - | 5.8 | - | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 9.5 | - | nC | ||
| Dynamesch Charakteristiken d | |||||||
| RG | Gate Resistenz | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | 0.7 | 1.1 | 1.8 | W | |
| Ciss | Input Kapazitéit | VGS=0V,VDS=20V,Frequenz=1.0MHz | - | 1125 | - | pF | |
| Coss | Output Kapazitéit | - | 132 | - | |||
| Crss | Ëmgedréit Transfer Kapazitéit | - | 70 | - | |||
| td(ON) | Opzemaachen Verzögerung Time | VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W | - | 12.6 | - | ns | |
| tr | Opzemaachen Rise Time | - | 10 | - | |||
| td(OFF) | Ausschalten Verzögerungszäit | - | 23.6 | - | |||
| tf | Ausschalten Fall Time | - | 6 | - | |||
| Gate Charge Characteristics d | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A | - | 9.4 | - | nC | |
| Qg | Total Gate Charge | VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A | - | 20 | 28 | ||
| Qgt | Threshold Gate Charge | - | 2 | - | |||
| Qgs | Gate-Source Charge | - | 3.9 | - | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | - | 3 | - | |||
Note c:
Puls Test; Pulsbreet £300ms, Duty Cycle £2%.
