WSP4016 N-Kanal 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSP4016

BVDS:40 V

RDSON:11,5 mΩ

ID:15,5 A

Kanal:N-Kanal

Package:SOP-8

Produit Summer:D'Spannung vum WSP4016 MOSFET ass 40V, de Stroum ass 15.5A, d'Resistenz ass 11.5mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass SOP-8.

Uwendungen:Automobilelektronik, LED Luuchten, Audio, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, Schutzbrett, asw.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSP4016 ass den héchste Performance Trench N-ch MOSFET mat extrem héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubitt.De WSP4016 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung, 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Eegeschaften

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, exzellent CDV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar.

Uwendungen

Wäiss LED Boost Konverter, Automotive Systemer, Industriell DC / DC Konversiounskreesser, EAutomotive Elektronik, LED Luuchten, Audio, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, Schutzbrett, asw.

entspriechend Material Zuel

AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	40	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	15.5	A
ID@TC=70℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	30	A
PD@TA=25℃	Total Power Dissipation TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Total Power Dissipation TA=70°C	1.3	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150	℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	-55 bis 150	℃

Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Total Gate Charge (4.5V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3.9	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=20V, VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Rise Time		---	10	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	23.6	---
Tf	Hierscht Zäit		---	6	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	132	---
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	70	---