WSP4016 N-Kanal 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeng Beschreiwung
De WSP4016 ass den héchste Leeschtung Trench N-ch MOSFET mat extrem héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubidden. De WSP4016 entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung, 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.
Fonctiounen
Fortgeschratt héich Zelldicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, Exzellent CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät verfügbar.
Uwendungen
Wäiss LED Boost Konverter, Autossystemer, Industriell DC / DC Konversiounskreesser, EAutomotive Elektronik, LED Luuchten, Audio, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik, Schutzbrett, asw.
entspriechend Material Zuel
AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Wichteg Parameteren
| Symbol | Parameter | Bewäertung | Unitéiten |
| VDS | Drain-Source Volt | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Volt | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | Pulséiert Drain Stroum 2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | Total Power Dissipation TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | Total Power Dissipation TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Stockage Temperatur Beräich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Operatioun Junction Temperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)
| Symbol | Parameter | Konditiounen | Min. | Typ. | Max. | Eenheet |
| BVDS | Drain-Source Decompte Volt | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Statesch Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS (eng) | Gate Threshold Volt | VGS=VDS , ID =250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Quell Leckaktuell | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Gate-Source Leckaktuell | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Total Gate Charge (4.5V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3 | --- | ||
| Td (an) | Turn-On Delay Time | VDD=20V, VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | --- | ||
| Td (aus) | Ausschalten Verzögerungszäit | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | Hierscht Zäit | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Input Kapazitéit | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| Coss | Output Kapazitéit | --- | 132 | --- | ||
| Crss | Ëmgedréit Transfer Kapazitéit | --- | 70 | --- |
Notiz:
1.Pulstest: PW<= 300 us Duty Cycle<= 2%.
2.Guaranteed vum Design, net ënnerleien zu Produktiounstest.
