WSM340N10G N-Kanal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

WSM340N10G N-Channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Featured Image

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSM340N10G Fotoen

BVDS:100V an

RDSON:1,6mΩ

ID:340 A

Kanal:N-Kanal

Package:TOLL-8L

Produit Summer:D'Spannung vum WSM340N10G MOSFET ass 100V, de Stroum ass 340A, d'Resistenz ass 1.6mΩ, de Kanal ass N-Kanal, an de Package ass TOLL-8L.

Uwendungen:Medizinesch Ausrüstung, Dronen, PD Stroumversuergung, LED Stroumversuergung, Industrieausrüstung, asw.

Schécken Ufro PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSM340N10G ass den héchste Performance Trench N-Ch MOSFET mat extrem héijer Zelldicht, déi exzellent RDSON a Gate Charge fir déi meescht Synchron Buck Konverter Uwendungen ubidden. De WSM340N10G entsprécht der RoHS a Green Product Ufuerderung, 100% EAS garantéiert mat voller Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Fonctiounen

Fortgeschratt héich Zell Dicht Trench Technologie, Super Low Gate Charge, Excellent CdV / dt Effekt Réckgang, 100% EAS garantéiert, Gréng Gerät Verfügbar.

Uwendungen

Synchrone Rectifikatioun, DC / DC Konverter, Laaschtschalter, Medizinesch Ausrüstung, Dronen, PD Stroumversuergung, LED Stroumversuergung, Industrieausrüstung, asw.

Wichteg Parameteren

Absolut maximal Bewäertungen

Symbol	Parameter	Bewäertung	Unitéiten
VDS	Drain-Source Volt	100	V
VGS	Gate-Source Volt	± 20	V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ 10V	230	A
IDM	Pulséiert Drain Stroum..TC=25°C	1150	A
EAS	Avalanche Energie, Eenzelpuls, L=0,5mH	1800	mJ
IAS	Lawinestroum, Eenzelpuls, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipatioun	375	W
PD@TC=100℃	Total Power Dissipatioun	187	W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 175	℃
TJ	Operatioun Junction Temperaturbereich	175	℃

Elektresch Charakteristiken (TJ = 25 ℃, wann net anescht uginn)

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = 1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistenz	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Gate Resistenz	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Total Gate Charge (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Rise Time		---	50	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	228	---
Tf	Hierscht Zäit		---	322	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13 900	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	6 160	---
Crss	Ëmgedréit Transfer Kapazitéit		---	220	---