WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

kuerz Beschreiwung:

Model Number:WSF70P02

BVDS:-20 V

RDSON:6,8mΩ

ID:-70 A

Kanal:P-Kanal

Package:BIS-252

Produit Summer:De WSF70P02 MOSFET huet eng Spannung vun -20V, Stroum vun -70A, Resistenz vu 6.8mΩ, e P-Kanal, an TO-252 Verpackung.

Uwendungen:E-Zigaretten, drahtlose Ladegeräter, Motoren, Kraaftbackups, Dronen, Gesondheetsariichtung, Autoscharger, Controller, Elektronik, Apparater a Konsumgidder.

Schéckt E-Mail un eis PDF

Produit Detailer

Applikatioun

Produit Tags

Allgemeng Beschreiwung

De WSF70P02 MOSFET ass den Top-Performance P-Kanal Trench-Apparat mat héijer Zelldicht.Et bitt aussergewéinlech RDSON a Gate Charge fir déi meescht synchron Buck Konverter Uwendungen.Den Apparat entsprécht de RoHS a Green Product Ufuerderunge, ass 100% EAS garantéiert, a gouf fir voll Funktioun Zouverlässegkeet guttgeheescht.

Eegeschaften

Fortgeschratt Trench Technologie mat héijer Zell Dicht, super niddereg Gate charge, excellent Reduktioun vun CdV / dt Effekt, eng 100% EAS Garantie, an Optiounen fir ëmweltfrëndlech Apparater.

Uwendungen

Héichfrequenz Point-of-Load Synchron, Buck Converter fir MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-Zigaretten, drahtlos Laden, Motoren, Noutkraaftversuergung, Dronen, medizinesch Versuergung, Autoslader , Controller, digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.

entspriechend Material Zuel

AOS

Wichteg Parameteren

Symbol	Parameter	Bewäertung		Unitéiten
		10s	Steady Staat
VDS	Drain-Source Volt	-20		V
VGS	Gate-Source Volt	± 12		V
ID@TC=25℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Pulséiert Drain Stroum 2	-200		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	360		mJ
IAS	Avalanche Aktuell	-55.4		A
PD@TC=25℃	Total Power Dissipation 4	80		W
TSTG	Stockage Temperatur Beräich	-55 bis 150		℃
TJ	Operatioun Junction Temperatur Range	-55 bis 150		℃

Symbol	Parameter	Konditiounen	Min.	Typ.	Max.	Eenheet
BVDS	Drain-Source Decompte Volt	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperatur Koeffizient	Referenz op 25 ℃, ID = -1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-15A	---	6.8	9,0	mΩ
RDS(ON)	Statesch Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS (eng)	Gate Threshold Volt	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Temperatur Koeffizient		---	2,94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Quell Leckaktuell					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Gate-Source Leckaktuell	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Total Gate Charge (-4.5V)	VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	13	---
Td (an)	Turn-On Delay Time	VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3.3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Rise Time		---	77	---
Td (aus)	Ausschalten Verzögerungszäit		---	195	---
Tf	Hierscht Zäit		---	186	---
Ciss	Input Kapazitéit	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Output Kapazitéit		---	520	---
Crss	Ëmgedréint Transfer Kapazitéit		---	445	---