WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Allgemeng Beschreiwung
De WSF4022 ass den héchste Leeschtung Trench Dual N-Ch MOSFET mat extrem héich Zell Dicht, déi excellent RDSON a Gate charge fir déi meescht vun der Synchron- Buck Converter Uwendungen ubidden. Zouverlässegkeet guttgeheescht.
Fonctiounen
Fir Fan Pre-Driver H-Bridge, Motor Kontroll, Synchron Rectification, E-Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, Noutkraaftversuergung, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.
Uwendungen
Fir Fan Pre-Driver H-Bridge, Motor Kontroll, Synchron Rectification, E-Zigaretten, drahtlos Opluedstatiounen, Motoren, Noutkraaftversuergung, Dronen, medizinesch Versuergung, Autosladere, Controller, Digital Produkter, kleng Haushaltsapparater, Konsumentelektronik.
entspriechend Material Zuel
AOS
Wichteg Parameteren
| Symbol | Parameter | Bewäertung | Unitéiten | |
| VDS | Drain-Source Volt | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source Volt | ± 20 | V | |
| ID | Drain Stroum (Kontinuéierlech) * AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Drain Stroum (Kontinuéierlech) * AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Drain Stroum (Kontinuéierlech) * AC | TA = 25°C | 12.2 | A |
| ID | Drain Stroum (Kontinuéierlech) * AC | TA = 70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Pulséiert Drain aktuell | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Single Pulse Avalanche Energie | L=0,5mH | 25 | mJ |
| IAS b | Avalanche Aktuell | L=0,5mH | 17.8 | A |
| PD | Maximal Power Dissipatioun | TC=25°C | 39,4 | W |
| PD | Maximal Power Dissipatioun | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Power Dissipatioun | TA = 25°C | 6.4 | W |
| PD | Power Dissipatioun | TA = 70°C | 4.2 | W |
| TJ | Operatioun Junction Temperaturbereich | 175 | ℃ | |
| TSTG | Operatiounstemperatur / Lagertemperatur | -55-175 | ℃ | |
| RθJA b | Thermal Resistenz Kräizung-Ambient | Stabilitéit c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Thermesch Resistenz Kräizung zu Fall | 3.8 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Konditiounen | Min. | Typ. | Max. | Eenheet |
| Statesch | ||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Decompte Volt | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Zero Gate Volt Drain aktuell | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Zero Gate Volt Drain aktuell | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Gate Leckaktuell | VGS = ±20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | ||
| VGS (eng) | Gate Threshold Volt | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(an) d | Drain-Quell Op-Staat Resistenz | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Chargee | ||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS=20V, VGS=4.5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Gate-Source Charge | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 2,75 | nC | |||
| Dynamik | ||||||
| Ciss | Input Kapazitéit | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Output Kapazitéit | 95 | pF | |||
| Crss | Ëmgedréit Transfer Kapazitéit | 60 | pF | |||
| td (an) | Opzemaachen Verzögerung Time | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Opzemaachen Rise Time | 6.9 | ns | |||
| td (aus) | Ausschalten Verzögerungszäit | 22.4 | ns | |||
| tf | Ausschalten Fall Time | 4.8 | ns | |||
| Diode | ||||||
| VSDd | Diode Forward Volt | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Input Kapazitéit | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Output Kapazitéit | 8.7 | nC | |||
